【正文】 . IF — 最大整流電流 (最大正向平均電流 )2. URM — 最高反向工作電壓 ， 為 U(BR) / 2 3. IR — 反向電流 (越小單向?qū)щ娦栽胶?)4. fM — 最高工作頻率 (超過時單向?qū)щ娦宰儾?)iDuDU (BR)I FURM O《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件影響工作頻率的原因 — PN 結(jié)的電容效應(yīng) 結(jié)論：1. 低頻 時，因結(jié)電容很小，對 PN 結(jié)影響很小。2. 結(jié)面積小時結(jié)電容小，工作頻率高?！赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件[解 ] VDD = 2 V 理想 IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA)UO = VDD = 2 V恒壓降 UO = VDD – UD(on) = 2 ? = (V)IO = UO / R = / 2 = (mA)VDD = 10 V 理想 IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA)恒壓降 UO = 10 ? = (V)IO = / 2 = (mA)VDD 大， 采用理想模型VDD 小， 采用恒壓降模型《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件例 試求電路中電流 I I IO 和輸出電壓 UO 的值 。0 V 正偏導(dǎo)通5 V 正偏導(dǎo)通0 V《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件輸入電壓 理想二極管 輸出電壓UA UB V1 V20 V 0 V 正偏導(dǎo)通 正偏導(dǎo)通 0 V0 V 5 V 正偏導(dǎo)通 反偏截止 0 V5 V 0 V 反偏截止 正偏導(dǎo)通 0 V5 V 5 V 正偏導(dǎo)通 正偏導(dǎo)通 5 V《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件例 畫出硅二極管構(gòu)成的橋式整流電路在ui = 15sin?t (V) 作用下輸出 uO 的波形?！赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件例 ui = 2 sin ?t (V)，分析二極管的限幅作用。[解 ] 1. 靜態(tài)分析 令 ui = 0，取 UQ ? VIQ = (VDD?UQ) / R = mA《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件2. 動態(tài)分析rd = 26 / IQ = 26 / ? 8 (?)Idm= Udm/ rd= 5 /8 ? (mA)id = sin?t3. 總電壓、電流= ( + sin?t ) V= ( + sin?t ) mA《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件　 特殊二極管 穩(wěn)壓二極管 光電二極管《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 穩(wěn)壓二極管一、伏安特性符號工作條件： 反向擊穿iZ /mAuZ/VO?UZ? IZmin? IZmax?UZ?IZ ? IZ特性《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件二、主要參數(shù)1. 穩(wěn)定電壓 UZ 流過規(guī)定電流時穩(wěn)壓管 兩端的反向電壓值。3. 最大工作電流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM4. 動態(tài)電阻 rZrZ = ?UZ / ?IZ 越小穩(wěn)壓效果越好?！赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件例 分析簡單穩(wěn)壓電路的工作原理， R 為限流電阻。I CN多數(shù)向 BC 結(jié)方向擴(kuò)散形成 ICN。I BN基區(qū)空穴來源基極電源提供 (IB)集電區(qū)少子漂移(ICBO)I CBOIBIBN ? IB + ICBO即：IB = IBN – ICBO 2)電子到達(dá)基區(qū)后(基區(qū)空穴運(yùn)動因濃度低而忽略)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件I CNIEI BNI CBOIB 3) 集電區(qū)收集擴(kuò)散過 來的載流子形成集 電極電流 ICICI C = ICN + ICBO 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件4. 三極管的電流分配關(guān)系　 　 當(dāng)管子制成后，發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集電結(jié)面積等確定，故電流的比例關(guān)系確定，即：IB = I BN ? ICBO IC = ICN + ICBO穿透電流《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件IE = IC + IB《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 晶體三極管的特性曲線一、輸入特性輸入回路輸出回路與二極管特性相似《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件O特性基本 重合 (電流分配關(guān)系確定 )特性右移 (因集電結(jié)開始吸引電子 )導(dǎo)通電壓 UBE(on) 硅管： ( ? ) V鍺管： ( ? ) V 取 V取 V《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件二、輸出特性iC / mAuCE /V50 181。A30 181。A10 181。A40 181。A20 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 放大區(qū)：放大區(qū)截止區(qū)條件： 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏特點： 水平、等間隔ICEO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iC / mAuCE /V50 181。A30 181。A10 181。溫度每升高 1?C， UBE ? (2 ? ) mV。OT2 T1《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件2. 溫度升高，輸出特性曲線 向上移。輸出特性曲線間距增大。A40 181。A20 181。AIB = 0O 2 4 6 8 4321— 直流電流放大系數(shù) ? — 交流電流放大系數(shù)一般為幾十 ? 幾百Q(mào)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iC / mAuCE /V50 181。A30 181。A10 181。 Q二、極間反向飽和電流CB 極 間反向飽和電流 ICBO， CE 極 間反向飽和電流 ICEO。2. PCM — 集電極最大允許功率損耗 PC = iC ? uCE。3. U(BR)CEO — 基極開路時 C、 E 極 間反向擊穿電壓。U(BR)CBO U(BR)CEO U(BR)EBO (P34 )已知 :ICM = 20 mA, PCM = 100 mW ，U(BR)CEO = 20 V，當(dāng) UCE = 10 V 時， IC mA當(dāng) UCE = 1 V，則 IC mA當(dāng) IC = 2 mA，則 UCE V 102020《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件　場效應(yīng)管　場效應(yīng)管 引　言 結(jié)型場效應(yīng)管 場效應(yīng)管的主要參數(shù) MOS 場效應(yīng)管《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件引 言場效應(yīng)管 FET (Field Effect Transistor)類型：結(jié)型 JFET (Junction Field Effect Transistor)絕緣柵型 IGFET(Insulated Gate FET)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件特點：1. 單極性器件 (一種載流子導(dǎo)電 )3. 工藝簡單、易集成、功耗小、 體積小、成本低2. 輸入電阻高 (107 ? 1015 ?， IGFET 可高達(dá) 1015 ?)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 結(jié)型場效應(yīng)管1. 結(jié)構(gòu)與符號N 溝道 JFET P 溝道 JFET《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件2. 工作原理(1) UGS 對導(dǎo)電溝道的影響 UDS=0,UGS0隨 UGS負(fù)向增長， PN結(jié)變厚，導(dǎo)電溝道變窄。即使此時加上 UDS，由于溝道已經(jīng)被完全夾斷，故漏極電流 ID極小，接近于 0。處于截至狀態(tài)的條件 : UGS＜ UGS （ off） 02. 工作原理《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 (2) UDS 對導(dǎo)電溝道的影響UGS (Off) UGS? 0 ?溝道未被完全夾斷此時施加 UDS 0由于沿溝道從 D到 S存在電位差，如：VxVy ，則：VxVy = VxVG VyVG0(G點電位為負(fù) )即 VG Vx＜ VG Vy 0 = UGXUGY0結(jié)論： x處的 PN結(jié)比 y處的 PN結(jié)厚所以： 靠近 D端的 PN結(jié)最厚，靠近 S端的 PN結(jié)最薄。由于溝道被夾斷，即使 UDS進(jìn)一步增大，增加的電壓主要加在夾斷部分，幾乎不會引起電流 ID的增加，表現(xiàn)為ID幾乎不受 UDS影響，但是只要改變UGS就可明顯改變溝道寬度，從而明顯改變 ID,即 Δ ID=gmΔ UGS,管子工作在 飽和狀態(tài)（放大狀態(tài)）處于放大狀態(tài)的條件 : UGS （ off） ＜ UGS 0 UGS不足以讓導(dǎo)電溝道完全夾斷UDS增大到