【正文】 A60 181。5. 漏源動(dòng)態(tài)電阻 rds6. 最大漏極功耗 PDM《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件小 結(jié)第 1 章《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件一、兩種半導(dǎo)體和兩種載流子兩種載流子的運(yùn)動(dòng)電子 — 自由電子空穴 — 價(jià)電子兩 種半導(dǎo)體N 型 (多電子 )P 型 (多空穴 )二、二、 二極管1. 特性特性 — 單向 導(dǎo)電導(dǎo)電正向電阻小 (理想為 0)， 反向電阻大 (?)。預(yù)夾斷 (UGS － UDS ＝ UGD = UGS(th))： 漏極 D附近反型層 (電子薄膜 )消失 －－ 導(dǎo)電溝道在近 D端重新（預(yù)）夾斷預(yù)夾斷發(fā)生之前： uDS? iD?－－溝道已經(jīng)形成尚未被預(yù)夾斷， 可變電阻狀態(tài)預(yù)夾斷發(fā)生之后： uDS? iD 不變－－溝道已經(jīng)被重新預(yù)夾斷， 飽和 (放大 )狀態(tài)使導(dǎo)電溝道在近 D端重新預(yù)夾斷 )《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件管子處于放大狀態(tài)的條件： 0 UGS (th)(開(kāi)啟電壓 ) UGS 已經(jīng)由 UGS形成導(dǎo)電溝道 0 UGS － UDS ＝ UGD UGS(th)再由 UDS的增大使 UGS － UDS ＝ UGD減小到 小于 UGS(th) ，以至于導(dǎo)電溝道在近漏極 D端重新被（預(yù)）夾斷管子處于可變電阻狀態(tài)的條件： 0 UGS (th)(開(kāi)啟電壓 ) UGS 已經(jīng)由 UGS形成導(dǎo)電溝道 0 UGS(th) UGS － UDS ＝ UGD UDS尚未增大到使 UGS － UDS ＝ UGD減小到 小于 UGS(th) ，導(dǎo)電溝道仍然存在而未被預(yù)夾斷《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件3. 轉(zhuǎn)移特性曲線2 4 64321uGS /ViD /mAUDS = 10 VUGS (th)當(dāng) uGS UGS(th) ＞ 0 0＜ UGS － UDS ＝ UGD ＜＝ UGS(th)時(shí)，（管子工作在放大狀態(tài)），有：uGS = 2UGS(th) 時(shí)的 iD 值開(kāi)啟電壓O《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件4. 輸出特性曲線可變電阻區(qū) 0 UGS (th)(開(kāi)啟電壓 ) UGS 且 0 UGS(th) UGS － UDS ＝ UGD uDS?? iD ?，直到預(yù)夾斷飽和 (放大區(qū) ) 0 UGS (th)(開(kāi)啟電壓 ) UGS 且 0 UGS － UDS ＝ UGD UGS(th)uDS?， iD 不變， ?uDS 加在耗盡層上，溝道電阻不變截止區(qū) uGS ? UGS(th) 全夾斷 iD = 0 iD /mAuDS /VuGS = 2 V4 V6 V8 V截止區(qū) 飽和區(qū)可變電阻區(qū)放大區(qū)恒流區(qū)O《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件二、耗盡型 N 溝道 MOSFETSGDB Sio2 絕緣層中摻入了正離子。由于溝道被夾斷，即使 UDS進(jìn)一步增大，增加的電壓主要加在夾斷部分，幾乎不會(huì)引起電流 ID的增加，表現(xiàn)為ID幾乎不受 UDS影響，但是只要改變UGS就可明顯改變溝道寬度，從而明顯改變 ID,即 Δ ID=gmΔ UGS,管子工作在 飽和狀態(tài)（放大狀態(tài)）處于放大狀態(tài)的條件 : UGS （ off） ＜ UGS 0 UGS不足以讓導(dǎo)電溝道完全夾斷UDS增大到使 UGSUDS=UGD ＜ UGS (off) 0 UDS使溝道預(yù)夾斷Δ UGS控制 Δ ID《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件(3) UDS 也不足以?shī)A斷導(dǎo)電溝道的情況UGS(Off) UGS ? 0 ?溝道未被完全夾斷此時(shí)施加 UDS 0由于沿溝道從 D到 S存在電位差，溝道呈楔型，近 D端窄，近 S端寬隨 UDS增大，溝道變窄，在 UDS增大到使導(dǎo)電溝道 預(yù)夾斷之前，此時(shí) UGS(off) UGD = UGSUDS 0；導(dǎo)電溝道始終是存在的。3. U(BR)CEO — 基極開(kāi)路時(shí) C、 E 極 間反向擊穿電壓。A30 181。輸出特性曲線間距增大。A30 181。A10 181。《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件例 分析簡(jiǎn)單穩(wěn)壓電路的工作原理， R 為限流電阻。0 V 正偏導(dǎo)通5 V 正偏導(dǎo)通0 V《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件輸入電壓 理想二極管 輸出電壓UA UB V1 V20 V 0 V 正偏導(dǎo)通 正偏導(dǎo)通 0 V0 V 5 V 正偏導(dǎo)通 反偏截止 0 V5 V 0 V 反偏截止 正偏導(dǎo)通 0 V5 V 5 V 正偏導(dǎo)通 正偏導(dǎo)通 5 V《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件例 畫(huà)出硅二極管構(gòu)成的橋式整流電路在ui = 15sin?t (V) 作用下輸出 uO 的波形。— PN 結(jié)燒毀。二、 PN 結(jié)的單向?qū)щ娦?. 外加 正向 電壓 (正向偏置 ) — forward bias《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件P 區(qū) N 區(qū)內(nèi)電場(chǎng)外電場(chǎng)外電場(chǎng)使多子向 PN 結(jié)移動(dòng) ,中和部分離子 使空間電荷區(qū)變窄。載流子 — 自由運(yùn)動(dòng)的帶電粒子。共價(jià)鍵 — 相鄰原子共有價(jià)電子所形成的束縛。 IF限流電阻擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)形成正向電流 IF 。(擊穿電壓 6 V，正 溫度系數(shù) )擊穿電壓在 6 V 左右時(shí)，溫度系數(shù)趨近零。(按理想模型 )O tui / V15RLV1V2V3V4ui BA uO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件O tuO/ V15　 　 若有條件，可切換到 EWB 環(huán)境觀察橋式整流波形。IR = IZ + ILUO= UI – IR RUI UORRLILIRIZ《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 發(fā)光二極管與光敏二極管一、發(fā)光二極管 LED (Light Emitting Diode)1. 符號(hào)和特性工作條件： 正向偏置一般工作電流幾十 mA， 導(dǎo)通電壓 (1 ? 2) V符號(hào)u /Vi /mAO 2特性《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件2. 主要參數(shù)電學(xué)參數(shù)： I FM ， U(BR) ， IR光學(xué)參數(shù)： 峰值波長(zhǎng) ?P， 亮度 L， 光通量 ?發(fā)光類(lèi)型： 可見(jiàn)光： 紅、黃、綠顯示類(lèi)型： 普通 LED ，不可見(jiàn)光： 紅外光點(diǎn)陣 LED七段 LED ,《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件二、光敏二極管1．符號(hào)和特性符號(hào) 特性u(píng)iO暗電流E = 200 lxE = 400 lx工作條件：反向偏置2. 主要參數(shù)電學(xué)參數(shù)：暗電流，光電流，最高工作范圍光學(xué)參數(shù)：光譜范圍，靈敏度，峰值波長(zhǎng) 實(shí)物照片《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件補(bǔ)充： 選擇二極管限流電阻步驟：1. 設(shè)定工作電壓 (如 V； 2 V (LED)； UZ )2. 確定工作 電流 (如 1 mA； 10 mA； 5 mA)3. 根據(jù)歐姆定律求電阻 R = (UI ? UD)/ ID(R 要選擇標(biāo)稱值 )《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件　雙極型　雙極型 半導(dǎo)體半導(dǎo)體三極管三極管 晶體三極管 晶體三極管的特性曲線 晶體三極管的主要參數(shù)返回二極管《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件(Semiconductor Transistor) 晶體三極管一、結(jié)構(gòu)、符號(hào)和分類(lèi)NNP發(fā)射極 E基極 B集電極 C發(fā)射結(jié)集電結(jié)— 基區(qū)— 發(fā)射區(qū)— 集電區(qū)emitterbasecollectorNPN 型PPNEBCPNP 型ECBECB《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件分類(lèi)：按材料分： 硅管、鍺管按功率分： 小功率管 500 mW按結(jié)構(gòu)分： NPN、 PNP按使用頻率分： 低頻管、高頻管大功率管 1 W中功率管 ?1 W《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件二、電流放大原理1. 三極管放大的條件內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結(jié)面積大外部條件發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏2. 滿足放大條件的三種電路ui uoCEB ECBui uoECBui uo共發(fā)射極 共集電極共基極《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件實(shí)現(xiàn)電路 :《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件3. 三極管內(nèi)部載流子的傳輸過(guò)程1) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子 電子 ， 形成發(fā)射極電流 IE。AIB = 0O 2 4 6 8 43211. 截止區(qū)：2. IB ? 0 3. IC = ICEO ? 04. 條件： 兩個(gè)結(jié)反偏截止區(qū)ICEO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iC / mAuCE /V