【正文】 uD / MN直流負(fù)載線斜率 ? 1/R靜態(tài)工作點(diǎn)斜率 1/RDiDQIQUQ《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件也可取 UQ = VIQ= (VDD ? UQ) / R = 5 (mA) 二極管直流電阻 RD《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iD / mAuD /VO二、交流圖解法電路中含直流和小信號(hào)交流電源時(shí) ,二極管中 含交、直流 成分C 隔直流 通交流當(dāng) ui = 0 時(shí) iD = IQUQ= V (硅 )， V (鍺 )設(shè) ui = sin ?tVDDVDD/ RQIQ?tOuiUQ斜率 1/rd《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件iD / mAuD /VOVDDVDD/ RQIQ?tOuiUQiD / mA?tOid斜率 1/rdrd = UT / IQ= 26 mV / IQ當(dāng) ui 幅度較小時(shí)，二極管伏安特性在Q點(diǎn)附近近似為直線《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件ui udRidrd三、微變等效電路分析法對(duì)于交流信號(hào)電路可等效為例 ui = 5sin?t (mV)， VDD= 4 V， R = 1 k?， 求 iD 和 uD。IE少數(shù)與空穴復(fù)合，形成 IBN 。A30 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43213. 飽和區(qū)： uCE ? u BEuCB = uCE ? u BE ? 0條件： 兩個(gè)結(jié)正偏特點(diǎn)： IC ? ? IB臨界飽和時(shí)： uCE = uBE深度飽和時(shí)： V (硅管 )UCE(SAT)= V (鍺管 )放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)ICEO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件三、溫度對(duì)特性曲線的影響1. 溫度升高，輸入特性曲線 向左移。A30 181。AIB = 0O 2 4 6 8 43212. 共基極電流放大系數(shù)? ? 1 一般在 以上?！赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件(1) UGS 對(duì)導(dǎo)電溝道的影響 UDS=0,UGS0隨 UGS負(fù)向增長(zhǎng)， PN結(jié)變厚，導(dǎo)電溝道變窄，當(dāng)負(fù)向增長(zhǎng)到某值時(shí)，兩個(gè) PN結(jié)合攏，導(dǎo)電溝道被 完全夾斷完全夾斷 ， 此時(shí)的UGS稱為 完全夾斷電壓，完全夾斷電壓， 記為 UGS （（ off）） 。反型層(溝道 )《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件1)uGS 對(duì)導(dǎo)電溝道的影響 (uDS = 0)a. 當(dāng) UGS = 0 ， DS 間為兩個(gè)背對(duì)背的 PN 結(jié)；b. 當(dāng) 0 UGS UGS(th)(開(kāi)啟電壓 )時(shí)， GB 間的垂 直電場(chǎng)吸引 P 區(qū)中電子形成電子薄膜 ； 此時(shí) 溝道尚未形成 管子處于 截止?fàn)顟B(tài) ，無(wú)論 UDS如何增長(zhǎng)， ID都幾乎為 0。 UDS進(jìn)一步增大，導(dǎo)電溝道消失部分向 S極端延伸擴(kuò)展。A60 181。AIB = 0O 3 6 9 124321放大區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)放大區(qū)特點(diǎn)：1)iB 決定 iC (IC = ? IB )2)曲線水平表示恒流3)曲線間隔表示受控《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件5. 參數(shù)特性參數(shù)電流放大倍數(shù) ? ? ? = ? /(1 ? ? )? = ? /(1 + ? )極間反向電流 ICBOICEO極限參數(shù)ICMPCMU(BR)CEOuCEOICEOiCICMU(BR)CEOPCM安 全 工 作 區(qū)= (1 + ?) ICBO《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件場(chǎng)效應(yīng)管1. 分類按導(dǎo)電溝道分 N 溝道P 溝道按結(jié)構(gòu)分 絕緣柵型(MOS)結(jié)型按特性分 增強(qiáng)型耗盡型 uGS = 0 時(shí)， iD = 0uGS = 0 時(shí)， iD ? 0增強(qiáng)型耗盡型(耗盡型 )導(dǎo)電溝道尚未形成導(dǎo)電溝道已經(jīng)存在《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件2. 特點(diǎn)柵源電壓改變溝道寬度從而控制漏極電流壓控器件輸入電阻高，工藝簡(jiǎn)單，易集成由于 FET 無(wú)柵極電流，故采用 轉(zhuǎn)移特性 和輸出特性 描述3. 特性不同類型 FET 的特性比較參見(jiàn) 表 12 第 6 4頁(yè)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件不同類型 FET 轉(zhuǎn)移特性比較結(jié)型N 溝道uGS /ViD /mAO增強(qiáng)型耗盡型MOS 管(耗盡型 ) IDSS 開(kāi)啟電壓UGS(th)夾斷電壓 UGS(off)IDO 是 uGS = 2UGS(th) 時(shí)的 iD 值《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件四、晶體管電路的基本問(wèn)題和分析方法三種工作狀態(tài)狀態(tài) 電流關(guān)系 ?條 ???件放大 I C = ? IB 發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏飽和 I C ? ? IB 兩個(gè)結(jié)正偏I(xiàn)CS = ? IBS 集電結(jié)零偏臨界截止 IB 0, IC = 0 兩個(gè)結(jié)反偏判斷導(dǎo)通還是截止：UBE U(th) 則 導(dǎo)通以 NPN為 例：UBE U(th) 則 截止《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件判斷飽和還是放大：1. 電位判別法NPN 管 UC UB UE 放大UE UC ? UB 飽和PNP 管 UC UB UE 放大UE UC ? U B 飽和2. 電流判別法IB IBS 則 飽和 IB IBS 則 放大且 UB － UE ≥U th(正 ) 且 UB － UE ≤ Uth(負(fù) ) 《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。A20 181。IDSSuGS /ViD /mAO對(duì)增強(qiáng)型：UDS=0的情況下，導(dǎo)電溝道開(kāi)始形成時(shí)的 UGS對(duì)耗盡型：UDS=0的情況下，導(dǎo)電溝道剛被完全夾斷時(shí)的 UGS《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件UGS(th)UGS(off)3. 直流輸入電阻 RGS指漏源間短路時(shí)，柵、源間加 反向電壓呈現(xiàn)的直流電阻。 uGS 越大 溝道越厚。此時(shí)管子處于截至狀態(tài)。《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件三、極限參數(shù)1. ICM — 集電極最大允許電流，超過(guò)時(shí) ? 值明顯降低。A10 181。溫度每升高 10?C， ICBO 約增大 1 倍。A10 181。A40 181。2. 穩(wěn)定電流 IZ 越大穩(wěn)壓效果越好， 小于 Imin 時(shí)不穩(wěn)壓?！赌M電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件　　 二極管電路的二極管電路的 分析方法分析方法 理想二極管及二極管 特性的折線近似 圖解法和微變等效電路法《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 理想二極管及二極管特性的折線近似一、理想二極管特性u(píng)DiD符號(hào)及等效模型 S S正偏導(dǎo)通， uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) = ?《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件二、二極管的恒壓降模型uDiDUD(on)uD = UD(on) V (Si) V (Ge)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件三、二極管的折線近似模型uDiDUD(on) ?U?I斜率 1/ rDrD1UD(on)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件UD(on)例 硅二極管， R = 2 k?，分別用二極管理想模型和恒壓降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 時(shí) IO 和 UO 的值。漂移運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)形成反向電流 IRIR = I少子 ? 0《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件三、 PN 結(jié)的伏安特性反向飽和電流溫度的電壓當(dāng)量電子電量 玻爾茲曼常數(shù)當(dāng) T = 300(27?C)：UT = 26 mVO u /VI /mA正向特性反向擊穿加正向電壓時(shí)加反向電壓時(shí) i≈–IS《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件　　 半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù)《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程教學(xué)課件 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)和類型構(gòu)成： PN 結(jié) + 引線 + 管殼 = 二極管 (Diode)符號(hào)： A (anode) C (cathode)分類：按材料分 硅二極管鍺二極管按結(jié)構(gòu)分點(diǎn)接觸型面接觸型平面型《模擬電子技術(shù)