【正文】 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 不計發(fā)射結(jié)勢壘區(qū)的復(fù)合即 JnE ( x1 ) ＝ JnB( 0 ) 于是得發(fā)射極電流密度為 ? ? ? ? ? ? ? ??????????????????????????1000111kTqUpenepebpbnbpEnBpEnEEEeLpDWnDqxJJxJxJJChapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 或者有 ??????????????????????????????????????????1c sc1000kTqUnbbnbpbnbkTqUpenepenbbnbpbnbEEEeLWhLnDqeLpDLWc t hLnDqJChapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 由 ? ? ? ?? ?2200。 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 均勻基區(qū)晶體管的短路電流放大系數(shù) Short Circuit Current amplify Factor of Transistor with uniform Base Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 發(fā)射效率 Emitting Efficiency 根據(jù) npn 晶體管發(fā)射效率 γ 的定義 nEpEpEnEnEEnEJJJJJJJ?????11?Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 把已求得的 JpE 、 JnE 代入上式，有 pepbnbbnepenEpELnDWpDJJ00?Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 根據(jù)嚴(yán)格計算的結(jié)果，上式成立有兩個條件： 集電結(jié)短路 ( UC = 0 )； 基區(qū)寬度 Wb 比基區(qū)中電子的擴散長度 Lnb 小得多 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 類似地， 在后面導(dǎo)出 γ 、 β *、 α * 等量時， 均要求 UC = 0。 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 集電極電流密度也應(yīng)等于集電區(qū)內(nèi)電子和空穴的電流密度之和 。 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 考慮到 UE kT / q ，且為正值，為形式上與以后公式一致，將上式改寫為 ? ? ????????? 10kTqUbpbnbnBEeWnqDxJChapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 如從下式出發(fā)， ? ????????????????????????????????? ???????????nbbnbkTqUpbnbbkTqUpbpbLWshLxshenLxWshenxnCE1100Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices ? ????????????????????????????????? ???????????nbbnbkTqUpbnbbkTqUpbnbnbnBLWshLxchenLxWchenLqDxJCE1100得基區(qū)電子的擴散電流密度為 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 分別求 JnB(0) 及 JnB(Wb)，可以發(fā)現(xiàn) x ＝ 0 處的電子電流密度比 x ＝ Wb 處大，表明基區(qū)是存在復(fù)合的。11 xxWxxeppxpxpbkTqUneneneneE?????????? ?????????????如從擴散方程出發(fā) ， 利用邊界條件 ， 可得到 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices ? ? ? ?10 。39。 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 根據(jù)上述定義，有 ECnCCnEnCEnEJJJJJJJJ?????**????Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 考慮到集電結(jié)勢壘區(qū)雪崩倍增效應(yīng)將使集電極電流迅速增大，因此電流放大系數(shù)還應(yīng)乘以雪崩倍增因子 M： M**???? ?Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 以上討論及定義， 盡管只針對 npn 晶體管，但將電子和空穴對換， 也適用于 pnp 晶體管。 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 由發(fā)射區(qū)注入并到達(dá)集電區(qū)的電子電流 1 對放大作用有貢獻，我們希望這部分電流盡可能大，其它分量盡可能小。 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 基本結(jié)構(gòu) Basic Structures 晶體管由兩個 pn 結(jié)：發(fā)射結(jié)和集電結(jié)，將晶體管劃分為三個區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)及集電區(qū)。 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices 基區(qū)大部分注入電子憑擴散及漂移運動到達(dá)集電結(jié)邊界，被反偏集電結(jié)強電場掃入集電區(qū)，從集電極流出，即圖中 1 所示。 Chapter 2 Basic Properties of Bipolar Junction Transistors Fundamental of Semiconductor Devices β * 稱基區(qū)輸運系數(shù)，表示到達(dá)集電結(jié)的電子電流與注入到基區(qū)的電子電流之比，即 nEnCJJ?*?Chapter 2 Basic Properties of Bip