14電子(半導(dǎo)體器件)(完整版)
【正文】 ?(硅二極管 ) 理想二極管：死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 RL ui uO ui uo t t 二極管半波整流 例 2：二極管的應(yīng)用 R RL ui uR uo t t t ui uR uo 167。 PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管 P型半導(dǎo)體 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 內(nèi)電場(chǎng) E 漂移運(yùn)動(dòng) 空間電荷區(qū) PN結(jié)處載流子的運(yùn)動(dòng) 擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。 其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。 Si 硅原子 Ge 鍺原子 167。 形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。由于硼原子接受電子，所以稱(chēng)為 受主原子 。 PN結(jié)正向偏置 － － － － + + + + 內(nèi)電場(chǎng)減弱，使擴(kuò)散加強(qiáng)， 擴(kuò)散 ?飄移，正向電流大 空間電荷區(qū)變薄 P N + _ 正向電流 PN結(jié)反向偏置 － － － － + + + + 空間電荷區(qū)變厚 N P + _ + + + + － － － － 內(nèi)電場(chǎng)加強(qiáng)，使擴(kuò)散停止， 有少量飄移，反向電流很小 反向飽和電流 很小， ?A級(jí) 半導(dǎo)體二極管 (1)、基本結(jié)構(gòu) PN結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。 IB B E C N N P EB RB Ec IE 從基區(qū)擴(kuò)散來(lái)的電子漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成 IC。 （ 3）晶體管的特性曲線，三個(gè)工作區(qū)域， 電流放大倍數(shù)。 靜態(tài)電流放大倍數(shù) 靜態(tài)電流放大倍數(shù)，動(dòng)態(tài)電流放大倍數(shù) ? = IC / IB IC = ?IB 動(dòng)態(tài)電流放大倍數(shù) IB ： IB +? IB IC ： IC +? IC ? = ? IC / ? IB 一般認(rèn)為： ? = ?= ?，近似為一常數(shù)， ?值范圍： 20~100 ? IC = ? ? IB 特性曲線 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB USC USB 實(shí)驗(yàn)線路 (共發(fā)射極接法 ) C B E RC IB 與 UBE的關(guān)系曲線（同二極管） （ 1）輸入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1