【正文】 表示：　 　 由于 PN 結(jié) 寬度 l 隨外加電壓 U 而變化，因此 勢壘電容 Cb不是一個常數(shù) 。圖 綜上所述：　 　 PN 結(jié)總的結(jié)電容 Cj 包括勢壘電容 Cb 和擴散電容 Cd 兩部分?！?　 rZ 愈小愈好。PZ = UZIZPZ 會轉(zhuǎn)化為熱能，使穩(wěn)壓管發(fā)熱。圖 　三極管的結(jié)構(gòu)(a)平面型 (NPN) (b)合金型 (PNP)NecNPb二氧化硅be cPNPe 發(fā)射極，b基極， c 集電極?！?　 三極管放大的外部條件 ：外加電源的極性應(yīng)使 發(fā)射結(jié)處于正向偏置 狀態(tài)，而 集電結(jié)處于反向偏置 狀態(tài)。ICBO圖 　三極管中載流子的運動beceRcRb　　三極管的電流分配關(guān)系IEpICBOIEICIBIEnIBnICnIC = ICn + ICBO IE = ICn + IBn + IEp 　 = IEn+ IEp　 　 一般要求 ICn 在 IE 中占的比例 盡量大。 3. 共射電流放大系數(shù)共基電流放大系數(shù)IB/mA ? 0 IC/mA IE/mA 0 4. 在表的第一列數(shù)據(jù)中， IE = 0 時， IC = mA = ICBO， ICBO 稱為 反向飽和電流 。 * 特性右移 (因集電結(jié)開始吸引電子 )OIB/?AUCE ≥ 1 時的輸入特性具有實用意義。截止區(qū)放大區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)　 　 1. 截止區(qū)　 IB ≤ 0 的區(qū)域。A40 181。 特點 ： IC 基本上不隨 IB 而變化，在飽和區(qū)三極管失去放大作用。在 IC = ICM 時， ? 值下降到額定值的三分之二。UCEUBE+?+?IEIBICebCUCEUBE(+)(?)IEIBICebC(+)(?) PNP 三極管各極電流和電壓的規(guī)定正方向。P 溝道場效應(yīng)管圖 　 P 溝道結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)圖N+ N+P型溝道GSD P 溝道場效應(yīng)管是在 P 型硅棒的兩側(cè)做成高摻雜的 N 型區(qū) (N+)， 導(dǎo)電溝道為 P 型 ，多數(shù)載流子為空穴。ID = 0GDSP+ P+N型溝道 (b) UGS 0VGGID = 0GDSP+ P+ (c) UGS = UPVGG　 　 2. 在漏源極間加正向 VDD，使 UDS 0，在柵源間加負(fù)電源 VGG，觀察 UGS 變化時耗盡層和漏極 ID 。UDS = 常數(shù)ID/mA0??1? UGS /VUDS = 15 V5ID/mAUDS /V0UGS = 0? V? V? V? V10 15 20 25　 　 結(jié)型場效應(yīng)管柵極基本不取電流，其輸入電阻很高，可達(dá) 107 ? 以上。SBD圖 (2) UDS = 0， 0 UGS UTP 型襯底N+ N+BGS D P 型襯底中的電子被吸引靠近 SiO2 與空穴復(fù)合， 產(chǎn)生由負(fù)離子組成的耗盡層。b. UDS= UGS – UT， UGD = UT　 　 靠近漏極溝道達(dá)到臨界開啟程度，出現(xiàn)預(yù)夾斷。ID/mAUGS /VOUP(a)轉(zhuǎn)移特性IDSS圖 　 MOS 管的符號SGDBSGDB(b)漏極特性ID/mAUDS /VO+1VUGS=0?3 V?1 V?2 V43215 10 15 20圖 　特性曲線　場效應(yīng)管的主要參數(shù)一、直流參數(shù)1. 飽和漏極電流 IDSS2. 夾斷電壓 UP3. 開啟電壓 UT4. 直流輸入電阻 RGS為耗盡型場效應(yīng)管的一個重要參數(shù)。一般為幾個皮法。 漏極耗散功率轉(zhuǎn)化為熱能使管子的溫度升高。為耗盡型場效應(yīng)管的一個重要參數(shù)。a. UDS UGS – UT ，即 UGD = UGS – UDS UTP 型襯底N+ N+BGS DVGGVDDP 型襯底N+ N+BS DVGGVDDP 型襯底N+ N+BGS DVGGVDD夾斷區(qū)DP型襯底N+ N+BGSVGGVDDP型襯底N+ N+BGS DVGGVDDP型襯底N+ N+BGS DVGGVDD夾斷區(qū)圖 　 UDS 對導(dǎo)電溝道的影響(a) UGD UT (b) UGD = UT (c) UGD UT3. 特性曲線(a)轉(zhuǎn)移特性(b)漏極特性ID/mAUDS /VO預(yù)夾斷軌跡恒流區(qū)擊穿區(qū) 可變電阻區(qū)UGS UT ， ID = 0；　 　 UGS ≥ UT，形成導(dǎo)電溝道，隨著 UGS 的增加，ID 逐漸增大。VGG? ? ?(3) UDS = 0， UGS ≥ UT　　由于吸引了足夠多的電子，會在耗盡層和 SiO2 之間形成可移動的表面電荷層 ——? ? ?N 型溝道反型層、 N 型導(dǎo)電溝道。圖 　在漏極特性上用作圖法求轉(zhuǎn)移特性　絕緣柵型場效應(yīng)管 由金屬、氧化物和半導(dǎo)體制成。GDSP+ NISIDP+ P+ VDDVGG UGS 0， UDG ， ID 較小。GDSNN型溝道柵極源極漏極P+ P+耗盡層 　 　 *在柵極和源極之間加反向電壓，耗盡層會變寬，導(dǎo)電溝道寬度減小，使溝道本身的電阻值增大，漏極電流 ID 減小，反之，漏極 ID 電流將增加。　 　 電壓 (UBE、 UCE)實際方向與規(guī)定正方向相反。ICUCE PCM 為安全工作區(qū)ICUCE PCM 為過損耗區(qū)ICUCEOPCM = ICUCE安全工 作 區(qū)安全工 作 區(qū)過損耗區(qū)過損耗區(qū)圖 　三極管的安全工作區(qū)3. 極間反向擊穿電壓外加在三極管各電極之間的最大允許反向電壓。 當(dāng) UCE = UBE，即 UCB = 0 時，稱 臨界飽和 ， UCE UBE時稱為 過飽和 。AIB =0O 5 10 154321放大區(qū)　 　 集電極電流和基極電流體現(xiàn)放大作用，即放大區(qū)放大區(qū)對 NPN 管 UBE 0， UBC 0圖 　 NPN 三極管的輸出特性曲線3. 飽和區(qū)：條件 ：兩個結(jié)均正偏IC / mAUCE /V100 181?！?　 IB= 0 時， IC = ICEO。圖 　三極管共射特性曲線測試電路圖 　三極管的輸入特性二、輸出特性圖 　 NPN 三極管的輸出特性曲線IC / mAUCE /V100 181?！?　 根據(jù) ? 和 ? 的定義，以及三極管中三個電流的關(guān)系，可得故 ? 與 ? 兩個參數(shù)之間滿足以下關(guān)系：　 　 直流參數(shù) 與交流參數(shù) ?、 ? 的含義是不同的，但是，對于大多數(shù)三極管來說， ? 與 ， ? 與 的數(shù)值卻差別不大，計算中，可不將它們嚴(yán)格區(qū)分。上式中的后一項常用 ICEO 表示， ICEO 稱穿透電流。becRcRb三極管中載流子運動過程I EIB　 　 1. 發(fā)射　 發(fā)射區(qū)