模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)--第1章--常用半導(dǎo)體器件--14--場(chǎng)效應(yīng)管-在線瀏覽
2025-02-03 09:04本頁(yè)面
【正文】 電阻。=0伏、 UDS的值增加至 │Up│時(shí) 對(duì)應(yīng)輸出特性曲線中的 A點(diǎn)。3/8/2023（ )UGS3/8/2023當(dāng)電壓源 UDS增加時(shí)，可以近似認(rèn)為漏極電流不隨 UDS的增加而增加。此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管可當(dāng)作電壓控制器件用來(lái)組成放大電路。=0伏、 UDS繼續(xù)增加至 U（ BR） DS此時(shí)的UDS值為最大漏源電壓，記為 U（ BR） DS= 由小變大時(shí)， JFET的狀態(tài)()UGS1伏、 UDS的值比較小時(shí)導(dǎo)電溝道不再是上下平行等寬，而是上窄下寬。3/8/2023()UGS1伏、 UDS的值增加至某值開始出現(xiàn)預(yù)夾斷 =│Up│。M點(diǎn)對(duì)應(yīng)的 UDS值比 A點(diǎn)對(duì)應(yīng)的UDS值小，因?yàn)?UDS=│Up││UGS││Up│。=當(dāng) UDS繼續(xù)增加時(shí)，兩邊PN結(jié)相接的區(qū)域繼續(xù)向源極方向擴(kuò)展，此時(shí)導(dǎo)電溝道在靠近源極的區(qū)域依然存在，導(dǎo)電溝道對(duì)應(yīng)的電阻比較小。3/8/2023(） UGS1伏、 UDS繼續(xù)增加至出現(xiàn) PN結(jié)擊穿UGS結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)入反向擊穿狀態(tài)，此時(shí)的 UDS值比 UGS3/8/2023(5)UP時(shí)， JFET處于截止?fàn)顟B(tài)當(dāng) UGS≤ 不同 UGS下預(yù)夾斷點(diǎn)相連成一條曲線，此曲線與縱軸相夾的區(qū)域稱為可變電阻區(qū)?？勺冸娮鑵^(qū)在數(shù)字電路中作為開關(guān)元件的一個(gè)狀態(tài)，相當(dāng)于開關(guān)閉合，此時(shí)的 UDS記為 UDS（ sat） UDS（ sat） 3/8/2023JFET的三個(gè)狀態(tài)? 恒流區(qū)（放大區(qū)、飽和區(qū)）? 可變電阻區(qū)? 截止區(qū)3/8/2023小結(jié)? 溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，所以 場(chǎng)效應(yīng)管也稱為單極型三極管。? 預(yù)夾斷前 iD與 vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后， 思考：思考： 為什么為什么 JFET的輸入電阻比的輸入電阻比 BJT高得多？高得多？? JFET柵極與溝道間的 PN結(jié)是反向偏置的，因此 iG?0，輸入電阻很高。3/8/2023場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用小結(jié) ? 一是當(dāng)作壓控可變電阻，即非線性電阻來(lái)使用， 二是當(dāng)作電壓控制器件用來(lái)組成放大電路， VGS電壓控制漏極電流的大小，控制比例系數(shù)為 gm三是在數(shù)字電路中用做開關(guān)元件，管子工作在可變電阻區(qū)和截止區(qū)，有兩個(gè)明確、穩(wěn)定的狀態(tài)。3/8/2023第三節(jié) 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（ IGFET)的結(jié)構(gòu)和工作原理一、 IGFET的結(jié)構(gòu)3/8/2023MOS場(chǎng)效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型的 MOS管P溝道增強(qiáng)型的 MOS管N溝道耗盡型的 MOS管P溝道耗盡型的 MOS管MOS場(chǎng)效應(yīng)管分類3/8/20233/8/20233/8/2023二、 增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管? 一 N溝道 增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)? 二 N溝道 增強(qiáng)型 MOS的工作原理? 三 N溝道 增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管特性曲線3/8/2023一、 N溝道 增強(qiáng)型 MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)漏極 D→ 集電極 C源極 S→
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