【正文】 發(fā)生在離散的瞬間；且它們的數(shù)值是一個最小量值的整數(shù)倍，當(dāng)其值小于最小量值時信號將毫無意義。 10 ?4. 模擬電路 ? 模擬電路：對模擬量進(jìn)行處理的電路。 ? 放大：輸入為小信號，有源元件控制電源使負(fù)載獲 得大信號，并保持線性關(guān)系。 ?5. “ 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)” 課程的內(nèi)容 ? 半導(dǎo)體器件。 ? 模擬電路的分析方法。 11 “ 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) ” 課程的特點(diǎn) 工程性 :P5 ? 實(shí)際工程需要證明其可行性。 ? 實(shí)際工程在滿足基本性能指標(biāo)的前提下總是容許存在一定的誤差范圍的。 ? 近似分析要 “ 合理 ” 。 ?估算不同的參數(shù)需采用不同的模型。 “ 線性化 ” 2. 實(shí)踐性 :P6 實(shí)用的模擬電子電路幾乎都需要進(jìn)行調(diào)試才能達(dá)到預(yù)期的目標(biāo)，因而要掌握以下方法： ? 常用電子儀器的使用方法 ? 電子電路的測試方法 ? 故障的判斷與排除方法 ? EDA軟件的應(yīng)用方法 12 第一章 常用半導(dǎo)體器件 167。 半導(dǎo)體二極管 167。 場效應(yīng)管 167。 集成電路中的元件（了解） 重點(diǎn)掌握： 基本概念，晶體二極管的伏安特性及主要參數(shù)、晶體三極管和場效應(yīng)管輸入、輸出特性及主要參數(shù) 不要將注意力過多放在管子內(nèi)部，而以理解外特性為主 13 167。 絕緣體： 幾乎不導(dǎo)電的物質(zhì)稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導(dǎo)電能力明顯改變。 14 本征半導(dǎo)體 一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) Ge Si 通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成 晶體 。 本征半導(dǎo)體： 純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。 硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)： 16 硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu) 共價鍵 共用電子對 +4 +4 +4 +4 +4表示除去價電子后的正離子 形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。 共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為 束縛電子 ， 常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為 自由電子 ，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。 在常溫下，由于熱激發(fā) ,使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為 自由電子 ，同時共價鍵上留下一個空位，稱為 空穴 。 18 +4 +4 +4 +4 在電場力的作用下，自由電子作定向移動，空穴也會吸引附近的價電子來依次填補(bǔ) ,結(jié)果相當(dāng)于空穴也作定向移動，而空穴的移動相當(dāng)于正電荷的移動，因此也可以認(rèn)為空穴是 載流子 。 本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成： 自由電子移動產(chǎn)生的電流， 空穴移動產(chǎn)生的電流 自由電子 和 空穴 都參與導(dǎo)電 19 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。 P 型半導(dǎo)體： 在本征半導(dǎo)體中摻入三價元素 (如硼 )構(gòu)成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。 20 一、 N 型半導(dǎo)體 多余電子因不受共價鍵的束縛成為 自由電子 ， 同時磷原子就成為不能移動的帶正電的離子，稱為 施主原子。 在本征半導(dǎo)體中摻入五價元素 多余電子 磷原子 + N型硅表示 21 二、 P 型半導(dǎo)體 P 型半導(dǎo)體中空穴是 多數(shù)載流子 ， 電子是 少 數(shù)載流子 。硼原子稱為 受主原子 。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子 。 23 一 . PN 結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上采用不同的摻雜工藝分別制造 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體，由于濃度的不同，經(jīng)過載流子的 擴(kuò)散 ，在它們的交界面處就形成了 PN 結(jié)。 24 在電場力的作用下，載流子的運(yùn)動稱為 漂移運(yùn)動 。 空間電荷區(qū)，也稱耗盡層。 P 區(qū)中的電子和 N 區(qū)中的空穴（都是少子），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。 25 PN 結(jié)正向偏置 P 正 N 負(fù) ,導(dǎo)通 內(nèi)電場 外電場 變薄 － － － － + + + + R E P N + _ 內(nèi)電場被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)，能夠形成較大的擴(kuò)散電流。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。將 kT/q 用 UT代替，得： 常溫下（ T=300K）， UT≈26mV 28 四、 PN 結(jié)的伏安特性 U I 正向特性 （ u0） 反向特性 （ u0） 反向擊穿部分 PN 結(jié)處于反向偏置時，反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流急劇增加，這種現(xiàn)象稱 反向擊穿。 半導(dǎo)體二極管 PN 結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。 可見， 二極管的特性對溫度很敏感。 32 二極管的主要參數(shù) P15 1. 最大整流電流 IF 二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。通常 UR是擊穿電壓 UBR的一半。 二極管工作的上限頻率。 33 1. 理想模型 3. 折線模型 2. 恒壓降模型 二極管的等效電路（等效模型） 一 . 由伏安特性折線化得到的等效電路 34 若 RVI ? 則 DUV ??若 RUVI ON??則 OND UU ?RrUVIDON???精確計(jì)算 DO UVU ?? 1P22例 ： UD= S斷開時： D導(dǎo)通 VVV ???VVU O 122 ??S閉合時： D截止 35 理想二極管：開啟電壓 =0 V，導(dǎo)通壓降 =0 V。 A B Y=A DDd iur??? rd 稱為微變電阻 二極管的動態(tài)電阻可用右圖表示： DTIU?若在 Q點(diǎn)基礎(chǔ)上外加微小的變化量 ,則可用以 Q點(diǎn)為切點(diǎn)的直線來近似 .即將二極管等效為一個動態(tài)電阻 rd 。 符號和等效電路： （ IZmin） 外接負(fù)載電阻 穩(wěn)定電壓 穩(wěn)定電流 41 （ 2） 穩(wěn)定電流 IZ （ 3）額定功耗 m a xZZZM IUP ?穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù) :P24 （ 1） 穩(wěn)定電壓 UZ （ 5） 溫度系數(shù) ? 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的系數(shù)。 解： LZZZILZZIRRRUIUUIIUUIU???????? R II I ZLR ???4600/6610?????ZZ IIZIR UUU ? ZO UU ?43 得代入上式將 ，mAImAI ZZ 25,5 m a xm i n ???????? 22 7 44m i nm a xRIR?????? 11 4 44m a xm i nRIR限流電阻 R的取值范圍為 114 ~ 227 Ω 4??ZIR44 一、 發(fā)光二極管 發(fā)光二極管：有足夠大的正向電流流過時，能發(fā)出一定波長范圍的光。 I U 照度增加 作業(yè)： ， ， ， ， 46 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： 1? 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高 2? 集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大 3? 基區(qū)很薄，一