【正文】 A 20 181。A 60 181。A IB = 0 O 3 6 9 12 4 3 2 1 O iB / ?A uBE / V 60 40 20 80 開(kāi)啟電壓 (Uon)： V (硅管 ) V (鍺管 ) 工作電壓 (UBE ) ： ? V 取 V (硅管 ) ? V 取 V (鍺管 ) 飽 和 區(qū) 截止區(qū) iC / mA uCE /V 100 181。A 40 181。A 80 181。 )1e(DSD ?? TUuIi)1e( ,0DSDD ???TUuIiu0 ,0 SD ???? IIuiD O uD U (BR) I F URM 2. 主要參數(shù) 正向 — 最大平均電流 IF 反向 — 最大反向工作電壓 U(BR)(超過(guò)則擊穿 ) 反向飽和電流 IR (IS)(受溫度影響 ) IS 3. 二極管的等效模型 理想模型 (大信號(hào)狀態(tài)采用 ) uD iD 正偏導(dǎo)通 電壓降為零 相當(dāng)于理想開(kāi)關(guān)閉合 反偏截止 電流為零 相當(dāng)于理想開(kāi)關(guān)斷開(kāi) 恒壓降模型 UD(on) 正偏電壓 ? UD(on) 時(shí)導(dǎo)通 等效為恒壓源 UD(on) 否則截止，相當(dāng)于二極管支路斷開(kāi) UD(on) ≈ V 硅管： 鍺管： 折線近似模型 相當(dāng)于有內(nèi)阻的恒壓源 UD(on) 4. 二極管的主要分析方法 圖解法 微變等效電路法 5. 特殊二極管 工作條件 主要用途 穩(wěn)壓二極管 反 偏 穩(wěn) 壓 發(fā)光二極管 正 偏 發(fā) 光 光敏二極管 反 偏 光電轉(zhuǎn)換 三、兩種半導(dǎo)體放大器件 雙極型半導(dǎo)體三極管 (晶體三極管 BJT) 單極型半導(dǎo)體三極管 (場(chǎng)效應(yīng)管 FET) 兩種載流子導(dǎo)電 多數(shù)載流子導(dǎo)電 晶體三極管 1. 形式與結(jié)構(gòu) NPN PNP 三區(qū)、三極、兩結(jié) 2. 特點(diǎn) （很小）基極電流控制（較大）集電極電流并實(shí)現(xiàn)放大。 思考 1： 可否用兩個(gè)二極管相連構(gòu)成一個(gè)三極管？ 思考 2： 可否將 e和 c交換使用 思考 3： 外部條件對(duì) PNP管和NPN管各如何實(shí)現(xiàn)？ IE=IB+ IC IC=βIB IC=αIE 綜上，三極管的放大作用，是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過(guò)基區(qū)傳輸，然后到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。 幾個(gè)擊穿電壓有如下關(guān)系 V(BR)CBO＞ V(BR)CEO＞ V(BR) EBO 兩個(gè)條件 （ 1） 內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。 ?V(BR) EBO—— 集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射 結(jié)的反向擊穿電壓。 圖 (2) 集電極發(fā)射極間的反向飽和電流 ICEO ICEO=（ 1+ ） ICBO ?圖 (1)集電極最大允許電流 ICM (2)集電極最大允許功率損耗 PCM PCM= ICVCE 3. 極限參數(shù) 由 PCM、 ICM和 V(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定過(guò)損耗區(qū)、過(guò)電流區(qū)和擊穿區(qū)。 ICEO也稱為集電極發(fā)射極間穿透電流。 O 1. 電流放大系數(shù) 三極管的主要參數(shù) (1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) =（ IC－ ICEO） /IB≈ IC / IB ? vCE=const ??圖 (2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù) ? ? =?iC/?iB?vCE=const 圖 (3)共基極直流電流放大系數(shù) =（ IC－ ICBO） /IE≈ IC/IE ?? (4)共基極交流電流放大系數(shù) α α =?iC/?iE? VCB=const 當(dāng) ICBO和 ICEO很小時(shí)， ≈ ?、 ≈ ?，可以不加區(qū)分。 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 溫度每升高 1?C， ? ?( ? 1)%。 溫度每升高 10?C， ICBO 約增大 1 倍。A IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 放大區(qū) 截止區(qū) ICEO ?iB ?iC 飽和區(qū)CESUCESU：晶體管飽和壓降 重點(diǎn)說(shuō)一下放大區(qū) UC UB UE 溫度對(duì)特性曲線的影響 1). 溫度升高，輸入特性曲線向左移。A 20 181。A 40 181。 BECEonBE uuUu ?? 且飽和區(qū)： iC明顯受 vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般 vCE＜ (硅管 )。此時(shí)， 發(fā)射結(jié)反偏 ,集電結(jié)反偏 . C E OCBECEonBEIiuuUu??? 且放大區(qū)： iC平行于 vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。 (1) 當(dāng) vCE=0V時(shí) 相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。 Bcii?????? ?且 IC= ICN+ ICBO 通常 ： ICN ICBO ? 為 共基 電流放大系數(shù)，它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無(wú)關(guān)。 一般情況下， 1???? ?C B OB IIIE = IC + IB C E OBC III ?? ?C E OBE )1( III ??? ?BCE III ??BC II ??BE )1( II ???2）共射交流電流放大系數(shù) ? 是 共射 電流放大系數(shù)， 同樣，它也只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)，與外加電壓無(wú)關(guān)。 CBOI 物理意義： 當(dāng)發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向飽和電流。 C B OBC B OEPBNB IIIIII ??????EPBNC B OB IIII ???基區(qū)所消耗空穴 基區(qū)所獲得空穴 C B OBC B OEPBNB IIIIII ??????EPBNB III ???3)因集電結(jié)反偏，從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的電子多數(shù)均作為基區(qū)的非平衡少子通過(guò)集電結(jié)漂移到集電區(qū)； 集電區(qū)收集擴(kuò)散過(guò)來(lái)的載流子 電子形成電流 ICN ； 基區(qū)的少子電子通過(guò)集電結(jié)漂移到集電區(qū)，形成漂移電流 ICBO。 I CN IE I BN I CBO IB IEP IEN IC (基區(qū)空穴運(yùn)動(dòng)因濃度低而忽略 ) EPIEPENE III ??I CN IE I BN I CBO IB IEP IEN IC 2) 電子到達(dá)基區(qū)后，因集電結(jié)反偏，多數(shù)電子均作為基區(qū)的非平衡少子通過(guò)集電結(jié)漂移到集電區(qū)； 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散形成擴(kuò)散電流 IEP； 集電區(qū)的少子空穴通過(guò)集電結(jié)漂移到基區(qū)，形成漂移電流 ICBO。 三極管各區(qū)的作用 : 發(fā)射區(qū)向基區(qū)提供載流子 基區(qū)傳送和控制載流子 集電區(qū)收集載流子 發(fā)射結(jié)加正向電壓 集電結(jié)加反向電壓 三極管的電流放大作用 三極管的放大原理歸結(jié)為： 外部條件： 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏 內(nèi)部機(jī)制： 載流子傳輸 分類 ： 按材料分： 硅管、鍺管 按功率分： 小功率管 500 mW 按結(jié)構(gòu)分： NPN、 PNP 按使用頻率分： 低頻管、高頻管 大功率管 1 W 中功率管 ?1 W 三極管的三種組態(tài)： 共集電極接法，集電極作為公共電極，用 CC表示。 管芯結(jié)構(gòu)剖面圖 三極管內(nèi)有兩種載流子 (自由電子和空穴 )參與導(dǎo)電，故稱為雙極型三