【正文】 當反型層將兩個 N區(qū)相接時，形成導電溝道。 一、結型場效應管（以 N溝道為例） 二、 絕緣柵型場效應管 MOS管 (Mental Oxide Semiconductor) （ 1）結構與符號 N溝道結構示意圖 符號 高摻雜 絕緣柵型場效應管又稱為 MOS管。 2G S ( o f f )GSD S SD )1( UuIi ??在恒流區(qū)時 為什么必須用轉移特性描述 uGS對 iD的控制作用？ (P44) 一、結型場效應管（以 N溝道為例） （ 1） 轉移特性 常量?? GS)( DSD Uufigs電壓控制 ds的等效電阻 （ 2） 輸出特性 預夾斷軌跡， uGD＝ UGS（ off） 可變電阻區(qū) 恒 流 區(qū) iD幾乎僅決定于 uGS 擊 穿 區(qū) 夾斷區(qū)（截止區(qū)） 夾斷電壓 UGS(off) IDSS 不同型號的管子 UGS（ off） 、 IDSS將不同。 預夾斷 uGD＝ UGS（ off） VDD的增大，幾乎全部用來克服溝道的電阻， iD幾乎不變，進入恒流區(qū)， iD幾乎僅僅決定于 uGS。 一、結型場效應管（以 N溝道為例） 導電溝道 源極 柵極 漏極 N溝道管的結構示意圖 1. 結構與符號 gate source drain (1)柵 源電壓對導電溝道寬度的控制作用 溝道最寬 溝道變窄 溝道消失稱為夾斷 uGS可以控制導電溝道的寬度。 五、主要參數(shù) ? ?1. 直流參數(shù) ： 、 、 ICBO、 ICEO 2. 交流參數(shù)： β、 α、 fT（使 β＝ 1的信號頻率） EC II?? 當 ICBO和 ICEO很小時， ≈?、 ≈?，可以不加區(qū)分。 溫度每升高 10?C， ICBO 約增大 1 倍。 μA43mA)100 (bBEIB ?????RUuiABS ??? 245100 12 ?????CCCCSRVII 1. （ 1） uI=0V時 （ 2） uI=5V時 2. 當 uI=5V時 T截止 T導通 iBIBS， 說 明 T處于飽和狀態(tài)。 對 NPN管而言，放大時 VC ＞ VB ＞ VE 對 PNP管而言，放大時 VC VB VE 硅管 UBE ≈ (~)V 鍺管 UBE ≈ (~)V （ 1） U1 b、 U2 e、 U3 c ， NPN 硅 管 （ 2） U1 c、 U2 b、 U3 e ， PNP 鍺 管 討論 晶體管工作狀態(tài)的判斷 狀態(tài) 電流關系 條 件 放大 I C = ? IB 發(fā)射結正偏 集電結反偏 飽和 I C ? ? IB 兩個結正偏 ICS = ? IBS 集電結零偏 臨界 截止 IB 0, IC = 0 兩個結反偏 以偏置電壓判斷導通、截止、放大三種狀態(tài) UBE Uon 則 導通 以 NPN為 例： UBE Uon 則 截止 2. 電流判別法 IB IBS 則飽和 IB IBS 則 放大 C C E( s a t )CCCSBS RUVII?????討論 1. 分別分析 uI=0V、 5V時 T是工作在截止狀態(tài)還是導通狀態(tài)； 2. 已知 T導通時的 UBE＝ ， β=100 。A 10 181。A 30 181。 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 ? 從輸出特性曲線求共發(fā)射極電流放大系數(shù) iC / mA uCE /V 50 181。 I C ? ? IB。 飽和區(qū) 飽和區(qū)： iC明顯受 uCE控制的區(qū)域。 2. 輸出特性 B)( CEC Iufi ?對應于一個 IB就有一條 iC隨 uCE變化的曲線。 可近似認為 iC ≈ 0。 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 條件： 發(fā)射結和集電結都反偏。 特點： iC平行于 uCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。 放大區(qū) 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 劃分三個區(qū)：截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。 IB UCE 三極管共射特性曲線測試電路 IC VCC Rb VBB c e b Rc V ? ? V ? ? ?A ? ? ? ? mA ? 輸入特性： ? 輸出特性： 常數(shù)?? B)( CEC IUfI常數(shù)?? CE)( BEB UUfIUBE 三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性 CE)( BEB Uufi ? 對于小功率晶體管， UCE大于 1V的一條輸入特性曲線可以取代 UCE大于 1V的所有輸入特性曲線。 （ 2） 外部條件： 發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置。 共基極接法： 基極作為公共電極，用 CB表示； 共射極接法 ：發(fā)射極作為公共電極，用 CE表示； BJT的三種組態(tài) 綜上所述，晶體管的放大作用，主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸，然后到達集電極而實現(xiàn)的。一般 ? 1 。 BC E OBC IIII ?? ???晶體管的電流放大作用 二、晶體管的電流放大作用 IC IB IE ? 是晶體管的電流放大系數(shù)。 少數(shù)載流子的運動 因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū) 因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴散到基區(qū)的電子與空穴復合 因集電區(qū)面積大，在外電場作用下大部分擴散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū) 基區(qū)空穴的擴散 內部載流子的運動 晶體管的電流分配關系 從外部看： IE＝ IB＋ IC IE－擴散運動形成的電流 IB－復合運動形成的電流 IC－漂移運動形成的電流 IC= ICN+ ICBO IB= IBN+ IEP ICBO=I39。 少數(shù)與空穴復合，形成 IBN 。 一、晶體管的結構、類型和符號 多子濃度高 多子濃度很低，且很薄 面積大 三極管的電流方向 NPN、 PNP二大類型晶體管，它們的工作電壓極性相反，導通電流方向相反 一、晶體管的結構、類型和符號 外型及引腳排列 e b c e b c e b c b e c 一、晶體管的結構、類型和符號 二、晶體管的電流放大作用 以 NPN 型晶體管為例來討論 c N N P e b b e c 表面看 晶體管若要實現(xiàn)放大，必須從晶體管的 內部結構 和 外部所加電源的極性 來保證。 解： UO1＝ 6V， UO2＝ 5V。 半導體二極管 例：已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值 UZ＝ 6V， 穩(wěn)定電流的最小值 IZmin＝5mA。 ? 最大工作電流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM ? 動態(tài)電阻 rZ rZ = ?UZ / ?IZ 越小穩(wěn)壓效果越好。 I IZ 時 ，管子的穩(wěn)壓性能差； I IZ ，只要不超過額定功耗即可。 主要參數(shù) ? 穩(wěn)定電壓 UZ: 穩(wěn)壓管工作在反向擊穿區(qū)時的穩(wěn)定工作電壓。 ? 元件保護 五、穩(wěn)壓二極管 半導體二極管 1. 伏安特性 一種特殊的面接觸型半導體硅二極管 。利用二極管的單向導電性可組成單相、三相等各種 ? 整流 半導體二極管的應用 利用二極管正向導通時壓降很小的特性， 可 ? 鉗位 半導體二極管的應用 利用二極管正向導通后其兩端電壓很小且基本不變的特性