【正文】 斷管型及管腳 三、晶體三極管的選用 1. 根據電路工作要求選擇高、低頻管 2. 根據電路工作要求選擇 PCM、 ICM 、 U(BR)CEO 應保證： 3. 一般三極管的 ? 值在 40~100之間為好 , 901 9014等 低噪聲、高 ? 的管子不受此限制 ….. 4. 穿透電流 ICEO越小越好，硅管比鍺管的小 數字萬用表 1. 可直接用電阻擋的 PN結擋分別測量 判斷 兩個結 的 好壞 注意事項 : 紅 表筆是 (表內 )正極 , 黑 表筆是 (表內 )負極 NPN和 PNP管分別按 EBC排列插入不同的孔 需要準確 測量 ? 值時，應先進行校正 2. 插入三極管擋 (hFE)，測量 ? 值或判斷管型及管腳 PC PCｍ ICM Ｉ Cｍ U（ BR） CEO Ｖ CＣ 場效應管 一、結型場效應管 二、絕緣柵型場效應管 三、場效應管的主要參數 四、場效應管與晶體管的比較 結型 JFET (Junction Field Effect Transistor) 絕緣柵型 IGFET(Insulated Gate FET) 場效應管 FET (Field Effect Transistor)的分類 P溝道 耗盡型 P溝道 P溝道 N溝道 增強型 N溝道 N溝道 FET 場效應管 JFET 結型 MOSFET 絕緣柵型 (IGFET) 場效應管有三個極：源極（ s）、柵極（ g）、漏極（ d），對應于晶體管的 e、 b、 c。 一、結型場效應管（以 N溝道為例） 導電溝道 源極 柵極 漏極 N溝道管的結構示意圖 1. 結構與符號 gate source drain (1)柵 源電壓對導電溝道寬度的控制作用 溝道最寬 溝道變窄 溝道消失稱為夾斷 uGS可以控制導電溝道的寬度。 場效應管是電壓控制器件 UGS（ off） 一、結型場效應管（以 N溝道為例） 2. 工作原理 uGS必須加負電壓 ! uGS=0 （ 2）漏 源電壓對漏極電流的影響 uGS＞ UGS（ off） 且不變， VDD增大， iD增大。 預夾斷 uGD＝ UGS（ off） VDD的增大，幾乎全部用來克服溝道的電阻， iD幾乎不變，進入恒流區(qū)， iD幾乎僅僅決定于 uGS。 uGDUGS（ off） uGDUGS（ off） 一、結型場效應管（以 N溝道為例） 溝道楔型 常量?? DS)( GSD Uufi夾斷電壓 飽和 漏極 電流 3. 結型場效應管的特性 場效應管工作在恒流區(qū)，因而 uGS＞ UGS（ off） 且 uDS＜ UGS（ off） 。 2G S ( o f f )GSD S SD )1( UuIi ??在恒流區(qū)時 為什么必須用轉移特性描述 uGS對 iD的控制作用？ (P44) 一、結型場效應管（以 N溝道為例） （ 1） 轉移特性 常量?? GS)( DSD Uufigs電壓控制 ds的等效電阻 （ 2） 輸出特性 預夾斷軌跡， uGD＝ UGS（ off） 可變電阻區(qū) 恒 流 區(qū) iD幾乎僅決定于 uGS 擊 穿 區(qū) 夾斷區(qū)（截止區(qū)） 夾斷電壓 UGS(off) IDSS 不同型號的管子 UGS（ off） 、 IDSS將不同。 有三個工作區(qū)域：截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)，對應于晶體管的截止區(qū)、放大區(qū)、飽和區(qū)。 一、結型場效應管（以 N溝道為例） 二、 絕緣柵型場效應管 MOS管 (Mental Oxide Semiconductor) （ 1）結構與符號 N溝道結構示意圖 符號 高摻雜 絕緣柵型場效應管又稱為 MOS管。 比較： 結型場效應管 的結構和符號 uGS增大，反型層（導電溝道）將變厚變長。當反型層將兩個 N區(qū)相接時，形成導電溝道。 反型層 大到一定值才開啟 ? uGS對 iD的影響 二、 絕緣柵型場效應管 （ 2）工作原理 uGS=0 uGS必須加正電壓 ! 無導電溝道 ? uDS對 iD的影響 iD隨 uDS的增大而增大，可變電阻區(qū) uGD＝ UGS（ th） ,預夾斷 iD幾乎僅僅受控于 uGS，恒流區(qū) 剛出現夾斷 uGS的增大幾乎全部用來克服夾斷區(qū)的電阻 二、 絕緣柵型場效應管 2. 耗盡型 MOS管 加正離子 uGS=0時就存在導電溝道 二、 絕緣柵型場效應管 耗盡型 ：場效應管沒有加偏置電壓時，就有導電溝道存在 增強型 ：場效應管沒有加偏置電壓時，沒有導電溝道 小到一定值才夾斷 3. MOS管的特性 (1)增強型 MOS管 DG S( t h )GSDO2G S( t h )GSDOD2)1(iUuIUuIi時的為式中在恒流區(qū)時，???(P47) 二、 絕緣柵型場效應管 開啟電壓 (2)耗盡型 MOS管 夾斷電壓 二、 絕緣柵型場效應管 2G S ( o f f )GSD S SD )1(UuIi ??在恒流區(qū)時 (P44) N 溝道 增強型 S G D B iD P 溝道 增強型 S G D B iD 2 – 2 O uGS /V iD /mA UGS(th) S G D B iD N 溝道耗盡 型 iD S G D B P 溝道耗盡 型 UGS(off) IDSS uGS /V iD /mA – 5 O 5 FET 符號、特性的比較（ P49) O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V –2 V uGS = 2 V 0 V – 2 V – 5 V N 溝道結 型 S G D iD S G D iD P 溝道結 型 uGS /V iD /mA 5 – 5 O IDSS UGS(off) O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V uGS = 0 V – 2 V – 5 V FET 符號、特性的比較 (P49) 三、主要參數 (P50) ? 直流參數： UGS(th)開啟電壓 (增強型 ) UGS(off)夾斷電壓（耗盡型） RGS(DC)直流輸入電阻 JFET： RGS 107 ? MOSFET： RGS = 109 ? 1015 ? IDSS 飽和漏極電流 三、主要參數 (P50) ? 交流參數： gm、 Cgs、 Cgd ? 極限參數 ： IDM、 PDM、 U（ BR） DS 、 U（ BR） GS DSDS GSDmUGSDUuiuig??????? 常量恒 流 區(qū) ΔiD uGS /V iD /mA Q O 反映了 uGS 對 iD 的控制能力，單位 S(西門子 )，一般為幾 毫西 (mS) GSu?四、場效應管與晶體管的比較 (P52) 1. FET是單極性器件 (只有 多子參與導電 ) 3. 種類多、工藝簡單、易集成、功耗小、體積小、 成本低 2. 輸入電阻高 (107 ? 1015 ?， IGFET 可高達 1015 ?) FET是電壓控制器件 4. 漏極與源極可以互換使用