第1章半導(dǎo)體器件及其特性-資料下載頁(yè)
2025-07-23 09:23本頁(yè)面
【正文】 發(fā)射結(jié)正偏，但 UBE過(guò)大，也屬不正常情況， 如d） 。 場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管只有一種載流子（多數(shù)載流子）參與導(dǎo)電，稱(chēng)為單極型晶體管。 ⒈ 分類(lèi) ⑴ 從結(jié)構(gòu)上可分為結(jié)型和 MOS型 (絕緣柵型 )。 ⑵ 從半導(dǎo)體導(dǎo)電溝道類(lèi)型上可分為 P溝道和 N溝道。 ⑶ 從有無(wú)原始導(dǎo)電溝道上可分為耗盡型和增強(qiáng)型。 ⒉ 內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理 利用電場(chǎng)效應(yīng)原理，用輸入電壓開(kāi)啟、夾斷或改變導(dǎo)電溝道寬窄，從而控制輸出電流的大小。 ⒊ 特性曲線 ⑴ 轉(zhuǎn)移特性 1）定義： 2）特點(diǎn)： ① 為一族曲線。 |uDS|＞ |UGS(off)|后，曲線族基本重合。 ② 也有死區(qū)，分別稱(chēng)為夾斷電壓 UGS(off) (結(jié)型、耗盡型MOS適用 )和開(kāi)啟電壓 UGS(th) (增強(qiáng)型 MOS適用 )。 ③ IDSS一般為場(chǎng)效應(yīng)管最大電流。增強(qiáng)型 MOS無(wú) IDSS參數(shù)。 3）數(shù)學(xué)表達(dá)式 ① 結(jié)型、耗盡型 MOS： ② 增強(qiáng)型 MOS： 圖 132 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性 ⑵ 輸出特性 1）定義： 圖 133 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性曲線 a) 結(jié)型 b) 耗盡型 MOS c) 增強(qiáng)型 MOS 2）特點(diǎn)： ① 類(lèi)似于三極管輸出特性曲線。 ② N溝道結(jié)型、耗盡型 NMOS最下面一條輸出特性曲線 (最靠近橫軸 )和 P溝道結(jié)型、耗盡型PMOS最上面一條輸出特性曲線的參數(shù)為： uGS＝ UGS(off)。 N溝道結(jié)型最上面一條 (P溝道結(jié)型最下面一條 )輸出特性曲線的參數(shù)為： uGS＝ 0。 ⒊ 場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)工作區(qū)域 圖 134 場(chǎng)效應(yīng)管 3個(gè)工作區(qū)域劃分 ⒋ 場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù) ⑴ 夾斷電壓 UGS(off) 或開(kāi)啟電壓 UGS(th) ⑵ 飽和漏極電流 IDSS ⑶ 低頻垮導(dǎo)（互導(dǎo)） gm gm反映了 uGS對(duì) iD控制能力，單位西 (門(mén)子 )，用 S表示 (S=1/Ω)。 ⑸ 由于場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)，因此漏、源極可互換使用。 ⒌ 場(chǎng)效應(yīng)管與三極管性能比較 ⑴ 輸入電阻大大高于三極管。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻約 107Ω； MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻可高達(dá) 1015Ω。 ⑵ 場(chǎng)效應(yīng)管熱穩(wěn)定性比三極管好。 ⑶ 場(chǎng)效應(yīng)管制造工藝簡(jiǎn)單，成本低，便于大規(guī)模集成。 ⑷ 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，用柵源電壓 uGS控制輸出電流 iD（相當(dāng)于三極管用 iB控制 iC）。反映場(chǎng)效應(yīng)管放大控制能力的是低頻垮導(dǎo) gm（相當(dāng)于三極管的 β）。 ② 測(cè)試：不能用萬(wàn)能表測(cè)試 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，必須用測(cè)試儀。任何時(shí)候，柵極不能是懸空。 ⒍ 場(chǎng)效應(yīng)管安全使用常識(shí) ① 保存：應(yīng)將各極短路保存。 ③ 焊接：電烙鐵應(yīng)良好接地。
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