幾種常用的功率器件電力半導(dǎo)體及其應(yīng)用-資料下載頁
2025-05-12 07:54本頁面
【正文】 倍 。 （ 5） 抗干擾能力強(qiáng) 。 功率 MOSFET的開啟電壓一般為 2～ 6V。 （ 6） 并聯(lián)容易 。 功率 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù) （ 即通態(tài)電阻值隨結(jié)溫升高而增加 ） ， 因而在多管并聯(lián)時易于均流 。 2．功率 MOSFET的主要參數(shù) （ 1） 漏極額定電流 ID。 指漏極允許連續(xù)通過的最大電流 ， 在選擇器件時要考慮充分的余量 ， 以防止器件在溫度升高時漏極額定電流降低而損壞器件 。 （ 2） 通態(tài)電阻 RDS(ON)。 它是功率 MOSFET導(dǎo)通時漏源電壓與漏極電流的比值 。 通態(tài)電阻越大耗散功率越大 ， 越容易損壞器件 。 通態(tài)電阻與柵源電壓有關(guān) ， 隨著柵源電壓的升高通態(tài)電阻值將減少 。 這樣似乎柵源電壓越高越好 ， 但過高的柵源電壓會延緩 MOSFET的開通和關(guān)斷時間 ， 故一般選擇柵源電壓為 12V。 （ 3） 閥值電壓 UGS(th)。 指漏極流過一個特定量的電流所需的最小柵源控制電壓 。 有人認(rèn)為閥值電壓 UGS(th)小一點好 ， 這樣功率 MOSFET可以用CMOS或 TTL等低電壓電路驅(qū)動 。 但是太小的閥值電壓抗干擾能力差 ， 驅(qū)動信號的噪聲干擾會引起 MOSFET的誤導(dǎo)通 ， 影響它的正常工作 。 （ 4） 漏源擊穿電壓 U(BR)DSS。 漏源擊穿電壓 U(BR)DSS是在 UGS=0時漏極和源極所能承受的最大電壓 。 功率 MOSFET在工作時絕對不能超過這個電壓 。 （ 5） 最大耗散功率 PD。 它表示器件所能承受的最大發(fā)熱功率 。 一般手冊中給出的是 TC=25℃ 時的最大耗散功率 。 （ 6） 開關(guān)時間 。 td(ON)為開通延時時間 ， tr為開通上升時間 ， td(OFF)為關(guān)斷延時時間 ， tf為下降時間 。 其中 tON=td(ON)+tr稱開通時間 ， tOFF=td(OFF)+tf稱關(guān)斷時間 。 這些都是表示 MOSFET開關(guān)速度的參數(shù) ， 對功率開關(guān)器件來說是非常重要的 。 3. 應(yīng)用電路
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