幾種常用的功率器件電力半導(dǎo)體及其應(yīng)用(參考版)
2025-05-16 07:54本頁(yè)面
【正文】 3. 應(yīng)用電路 。 其中 tON=td(ON)+tr稱開通時(shí)間 ， tOFF=td(OFF)+tf稱關(guān)斷時(shí)間 。 （ 6） 開關(guān)時(shí)間 。 它表示器件所能承受的最大發(fā)熱功率 。 功率 MOSFET在工作時(shí)絕對(duì)不能超過這個(gè)電壓 。 （ 4） 漏源擊穿電壓 U(BR)DSS。 有人認(rèn)為閥值電壓 UGS(th)小一點(diǎn)好 ， 這樣功率 MOSFET可以用CMOS或 TTL等低電壓電路驅(qū)動(dòng) 。 （ 3） 閥值電壓 UGS(th)。 通態(tài)電阻與柵源電壓有關(guān) ， 隨著柵源電壓的升高通態(tài)電阻值將減少 。 它是功率 MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源電壓與漏極電流的比值 。 指漏極允許連續(xù)通過的最大電流 ， 在選擇器件時(shí)要考慮充分的余量 ， 以防止器件在溫度升高時(shí)漏極額定電流降低而損壞器件 。 功率 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù) （ 即通態(tài)電阻值隨結(jié)溫升高而增加 ） ， 因而在多管并聯(lián)時(shí)易于均流 。 功率 MOSFET的開啟電壓一般為 2～ 6V。 短時(shí)過載電流一般為額定值的 4倍 。 功率 MOSFET無(wú)二次擊穿現(xiàn)象 ， 因此功率MOSFET較同功率等級(jí)的 GTR安全工作區(qū)寬 ， 更穩(wěn)定耐用 。 由于柵極與器件主體是電隔離的 ， 故功率增益高 ， 所需的驅(qū)動(dòng)功率極小 ， 驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單 。 （ 2） 驅(qū)動(dòng)功率小 。 134321N 溝道溝道 PG GD DS S柵極 柵極源極源極漏極 漏極1．功率 MOSFET的基本特點(diǎn) （ 1） 開關(guān)速度高 。 同雙極型晶體管相比 ， 功率MOSFET具有開關(guān)速度快 、 損耗低 、 驅(qū)動(dòng)電流小 、 無(wú)二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn) 。 2. 應(yīng)用電路 雙向晶閘管主要用于電機(jī)控制、電磁閥控制、調(diào)溫及調(diào)光控制等方面 。 雙向晶閘管的最高觸發(fā)靈敏度在 第一 、 三象限 ， 而在第二 、 四象限比較差 。 （ 4） 第四象限觸發(fā) MT2–、 G+。 （ 3） 第三象限觸發(fā) MT2–、 G–。
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