【摘要】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號(hào)正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負(fù)電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-05-03 01:43
【摘要】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點(diǎn):是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部?jī)?yōu)點(diǎn),耐壓高、電流大、耐浪涌能力強(qiáng),造價(jià)便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡(jiǎn)單,使用方便?!霨TO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點(diǎn):①
2025-05-04 06:14
【摘要】第四章電力晶體管§GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導(dǎo)體材料,兩個(gè)PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點(diǎn)三重?cái)U(kuò)散;叉指型基極和發(fā)射極;特點(diǎn):發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很?。◣譽(yù)m—幾十um)N-摻雜
【摘要】1目錄第一章電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展概況................................................................................5電力半導(dǎo)體器件與電力電子技術(shù)...............................................................
2024-09-02 15:02
【摘要】目錄第一章電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展概況 5電力半導(dǎo)體器件與電力電子技術(shù) 5電力半導(dǎo)體器件的分類與發(fā)展 6雙極型電力半導(dǎo)體器件 6MOS結(jié)構(gòu)電力半導(dǎo)體器件 9 12(PIC) 13 13第二章電力整流管 15電力整流二極管的基本結(jié)構(gòu)和類型 15 15功率整流管的基本類型 15PN結(jié)二極管 16 16P
2025-06-30 01:00
【摘要】海南風(fēng)光第14講,P型硅,N型硅PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體三極管第10章半導(dǎo)體器件本征半導(dǎo)體現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。Si硅原子Ge鍺原子§半導(dǎo)體的基本知識(shí)通過一定的
2025-03-12 23:13
【摘要】微電子學(xué)概論第二章半導(dǎo)體物理與器件(SemiconductorPhysicsAndDevice)?《半導(dǎo)體物理學(xué)》劉恩科等著國(guó)防工業(yè)出版社?《半導(dǎo)體物理學(xué)》葉良修高等教育出版社?《半導(dǎo)體物理與器件》(第3版)(美)DonaldA.Neamen著,趙毅強(qiáng)等譯
2025-07-23 05:07
【摘要】畢業(yè)設(shè)計(jì)(外文翻譯)題目電路與功率二極管器件系(院)自動(dòng)化系專業(yè)電氣工程與自動(dòng)化學(xué)生姓名陳芬學(xué)號(hào)2021090403
2025-01-23 03:23
【摘要】第二章半導(dǎo)體物理及器件物理基礎(chǔ)本節(jié)內(nèi)容?半導(dǎo)體材料、基本晶體結(jié)構(gòu)與共價(jià)鍵?能級(jí)與能帶?本征載流子濃度?施主和受主導(dǎo)電性:固態(tài)材料可分為三類,即絕緣體、半導(dǎo)體及導(dǎo)體。?絕緣體:電導(dǎo)率很低,約介于10-18S/cm~10-8S/cm,如熔融石英及玻璃;?導(dǎo)體:電導(dǎo)率較高,介于104S
2025-01-16 12:27
【摘要】Chapter2BasicPropertiesofBipolarJunctionTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices第二章雙極結(jié)型晶體管基本特性Chapter
2025-05-02 04:52
【摘要】Chapter3幾種常用的功率器件(電力半導(dǎo)體)及其應(yīng)用普通晶閘管普通晶閘管(又稱可控硅)是一種大功率半導(dǎo)體器件,主要用于大功率的交直流變換、調(diào)壓等。晶閘管三個(gè)電極分別用字母A(表示陽極)、K(表示陰極)、G(表示門極)。213陽極陰極控制極AKG1.晶閘管的伏安特性
2025-05-16 07:54
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件1雙極型晶體管及相關(guān)器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理PhysicsofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件2本章內(nèi)容?雙極型晶體管的工作原理?雙極型晶體管的靜態(tài)特性
2025-01-16 12:25
【摘要】模擬電子電路與技術(shù)基礎(chǔ)西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院主講教師:張進(jìn)成教材:模擬電子電路及技術(shù)基礎(chǔ)(第二版),孫肖子主編,西安電子科技大學(xué)出版社,2022年1月授課順序:第二篇(半導(dǎo)體器件及集成電路--原理基礎(chǔ)篇):4-10章第一篇(模擬集成電路系統(tǒng)--應(yīng)用基礎(chǔ)篇):1-3章教師聯(lián)系方式:電子郵件
2025-05-02 05:34
【摘要】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體概念:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。特點(diǎn)是:①導(dǎo)電性能受環(huán)境因素影響;②可通過某種工藝改變其導(dǎo)電性能。電子器件采用的半導(dǎo)體材料:主要是硅材料和鍺材料。其次還有砷化鎵和磷化鎵材料?!雽?dǎo)體材料在制造電子器件之前首先要經(jīng)過提純。經(jīng)過提純的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于其晶體結(jié)構(gòu)。硅材料和鍺材料的晶體
2025-05-02 13:13
【摘要】(1-1)第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)(1-2)導(dǎo)體:自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體,金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體:有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電,稱為絕緣體,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體:另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間,稱為半導(dǎo)體,如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性(1-3)
2025-05-15 01:41