14電子(半導(dǎo)體器件)(參考版)
2025-03-12 23:13本頁面
【正文】 （ 3）晶體管的特性曲線，三個工作區(qū)域， 電流放大倍數(shù)。 輸出特性三個區(qū)域的特點(diǎn) : (1) 放大區(qū) BE結(jié)正偏， BC結(jié)反偏， IC=?IB , 且 ? IC = ? ? IB (2) 飽和區(qū) BE結(jié)正偏， BC結(jié)正偏 ，即 UCE?UBE ， ?IBIC，UCE? (3) 截止區(qū) UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時， 晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn) Q位 于哪個區(qū)？ USB =2V， IB=0 ， IC=0， Q位于截止區(qū) USB =2V， IB= (USB UBE)/ RB =()/70= mA IC= ?IB =50?= mA ICS =2 mA ， Q位于放大區(qū) IC最大飽和電流 ICS = (USC UCE)/ RC =(120)/6=2mA IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IC UCE IB USC RB USB C B E RC 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時， 晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn) Q位 于哪個區(qū)？ USB =5V， IB= (USB UBE)/ RB =()/70= mA IC= ?IB =50?= mA ICS =2 mA ， Q位于飽和區(qū) (實際上，此時 IC和 IB 已不是 ?的關(guān)系） 三極管的技術(shù)數(shù)據(jù)：（自學(xué)） （ 1）電流放大倍數(shù) ? （ 2）集 射間穿透電流 ICEO （ 3）集 射間反向擊穿電壓 UCEO (BR) （ 4）集電極最大電流 ICM （ 5）集電極最大允許功耗 PCM 本課重點(diǎn) （ 1）二極管的特性曲線，靜態(tài)電阻， 動態(tài)電阻。 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏， ?IBIC，UCE?。 靜態(tài)電流放大倍數(shù) 靜態(tài)電流放大倍數(shù)，動態(tài)電流放大倍數(shù) ? = IC / IB IC = ?IB 動態(tài)電流放大倍數(shù) IB ： IB +? IB IC ： IC +? IC ? = ? IC / ? IB 一般認(rèn)為： ? = ?= ?，近似為一常數(shù)， ?值范圍： 20~100 ? IC = ? ? IB 特性曲線 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB USC USB 實驗線路 (共發(fā)射極接法 ) C B E RC IB 與 UBE的關(guān)系曲線（同二極管） （ 1）輸入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 UCE?1V 死區(qū)電壓，硅管 工作壓降： 硅管UBE ? （ 2）輸出特性 (IC與
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