【總結(jié)】摩托羅拉半導(dǎo)體器件在汽車電子中的應(yīng)用摩托羅拉(中國)電子有限公司半導(dǎo)體部康曉敦從2002年開始駛?cè)搿靶腋r(shí)光”的中國汽車業(yè)不斷“制造”令人意外的好消息。據(jù)國家計(jì)委最新數(shù)據(jù)顯示:2002年全國轎車的產(chǎn)、銷量首次突破百萬輛大關(guān),,增長55%和56%。整個(gè)汽車行業(yè)的產(chǎn)銷形勢(shì)也是一片大好,汽車產(chǎn)、銷量雙雙突破300萬輛大關(guān),,增幅逼近40%。2002年車市的異常紅火,使汽車產(chǎn)業(yè)首
2025-07-27 10:55
【總結(jié)】海南風(fēng)光第14講,P型硅,N型硅PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體三極管第10章半導(dǎo)體器件本征半導(dǎo)體現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。Si硅原子Ge鍺原子§半導(dǎo)體的基本知識(shí)通過一定的
2025-03-10 23:13
【總結(jié)】蔡竟業(yè)第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)§半導(dǎo)體二極管§晶體三極管§場(chǎng)效應(yīng)管作業(yè):蔡竟業(yè)§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)二、雜
2025-04-29 13:13
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)一.半導(dǎo)體概要二.載流子模型三.載流子輸運(yùn)四.pn結(jié)的靜電特性五.pn結(jié)二極管:I-V特性六.pn結(jié)二極管:小信號(hào)導(dǎo)納七.pn結(jié)二極管:瞬態(tài)特性八.BJT的基礎(chǔ)知識(shí)9.BJT靜態(tài)特性10.BJT動(dòng)態(tài)響應(yīng)模型11.MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)
2025-05-10 12:03
【總結(jié)】主講:劉園園2021年2月13509851820半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)晶體三極管場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)本征半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體PN結(jié)半導(dǎo)體材料根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半
2025-05-11 01:41
【總結(jié)】美國半導(dǎo)體器件的型號(hào)命名方法美國半導(dǎo)體器件型號(hào)命名由四部分組成。各部分的含義見下表。????第一部分用數(shù)字表示器件的類別。????第二部分用字母“N”表示該器件已在EIA注冊(cè)登記。????第三部分用數(shù)字表示該器件的注冊(cè)登記號(hào)。??&
2025-08-17 08:58
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體器件的特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性PN結(jié)二極管雙極型晶體管(BJT)場(chǎng)效應(yīng)管(FET)主要內(nèi)容及要求基礎(chǔ),必須掌握:基本概念,原理,特征曲線、參數(shù),應(yīng)用等。了解原理,掌握特征曲線、參數(shù)。半導(dǎo)體材料:物質(zhì)根據(jù)其導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,可劃分導(dǎo)體、絕緣體和
2025-05-06 12:44
【總結(jié)】上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體器件物理第一章半導(dǎo)體特性上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院第1章半導(dǎo)體特性半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶半導(dǎo)體中的雜質(zhì)與缺陷載流子的運(yùn)動(dòng)非平衡載流子習(xí)題上海電子信息職業(yè)
2025-01-13 12:12
【總結(jié)】第1章半導(dǎo)體器件教學(xué)內(nèi)容§半導(dǎo)體的特性§半導(dǎo)體二極管§雙極型三極管§場(chǎng)效應(yīng)三極管教學(xué)要求本章重點(diǎn)是各器件的特性與模型,特別要注意器件模型的適用范圍和條件。對(duì)于半導(dǎo)體器件,主要著眼于在電路中的使用,關(guān)于器件內(nèi)部的物理過程只要求有一定的了解
2025-07-20 08:26
【總結(jié)】中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices1半導(dǎo)體器件原理TheoryofSemiconductorDevices聯(lián)系方式中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices2前言半導(dǎo)體器件進(jìn)展中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系
2025-04-13 23:58
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件習(xí)題-PN結(jié)和三極管田野3月14日作業(yè)?1、討論影響共射極電流增益的因素;?2、比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴(kuò)散晶體管的優(yōu)越性。1、討論影響共射極電流增益的因素??出現(xiàn)在P278表?其中NB、NE為基極、發(fā)射極摻雜濃度DB、
【總結(jié)】1預(yù)祝各位同學(xué)在本門課程的學(xué)習(xí)中取得優(yōu)異成績!盧健康老師愿為大家學(xué)好本門課程盡心盡力!2課程名稱:模擬與數(shù)字電子技術(shù)教材:電子技術(shù)(電工學(xué)II比電工技術(shù)難但更有趣)史儀凱主編緒論一、內(nèi)容體系:1、模擬電子技術(shù)(教材第1~5章)重點(diǎn):第
【總結(jié)】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件1光電器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件2本章內(nèi)容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導(dǎo)體激光?光
2025-01-14 10:23
【總結(jié)】上頁返回1-1電子技術(shù)電工學(xué)II主講孫媛第一章半導(dǎo)體器件上頁返回1-3第一章半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體的基本知識(shí)與PN結(jié)§二極管§穩(wěn)壓二極管§雙極結(jié)型晶體管§場(chǎng)效晶體管
2025-01-19 01:25
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件原理與工藝半導(dǎo)體器件原理與工藝?概述?半導(dǎo)體襯底?熱氧化?擴(kuò)散?離子注入?光刻?刻蝕?薄膜淀積?CMOS半導(dǎo)體器件原理與工藝摻雜摻雜擴(kuò)散離子注入擴(kuò)散的基本原理擴(kuò)散方法擴(kuò)散層的主要參數(shù)及檢測(cè)離子注
2025-02-21 15:11