【總結(jié)】......大功率半導(dǎo)體激光器的壽命與可靠性研究組別:11組員:李碩11023112孟曉11023106
2025-06-24 21:44
【總結(jié)】山東省工程實(shí)驗(yàn)室建設(shè)項(xiàng)目資金申請(qǐng)報(bào)告項(xiàng)目名稱(chēng):山東省大功率半導(dǎo)體激光器工程實(shí)驗(yàn)室申報(bào)單位:山東華光光電子有限公司地址:濟(jì)南市高新區(qū)天辰大街1835號(hào)郵政編碼:250101聯(lián)系人:張成山電話(huà):0531-88877515傳真:0531-88877510主管部門(mén):山東省發(fā)展和改革委員會(huì)申報(bào)日期:
2025-08-03 12:01
【總結(jié)】半導(dǎo)體激光器溫度控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)摘要目前,半導(dǎo)體激光器(LD)廣泛應(yīng)用于科研、國(guó)防、工業(yè)等領(lǐng)域中。但由于LD工作時(shí)溫度的自身溫度的升高使其波長(zhǎng)展寬,嚴(yán)重影響了測(cè)量?jī)x器的精度、通信質(zhì)量、更不能適應(yīng)惡劣的工業(yè)環(huán)境。因此,需要對(duì)LD的溫度變化進(jìn)行嚴(yán)格控制。本課題的被控對(duì)象是小型LD,利用鉑電阻為溫度傳感器,采用無(wú)污染、制冷效果顯著的制冷器件——半導(dǎo)體制冷硅(TEC)作為系統(tǒng)的執(zhí)行元件
2025-06-27 17:43
【總結(jié)】山東省大功率半導(dǎo)體激光器工程實(shí)驗(yàn)室建設(shè)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)第一章項(xiàng)目摘要項(xiàng)目名稱(chēng)山東省大功率半導(dǎo)體激光器工程實(shí)驗(yàn)室申報(bào)單位概況本項(xiàng)目由山東華光光電子有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“山東華光”)申報(bào)建設(shè)。山東華光光電子有限公司是國(guó)內(nèi)最早利用MOCVD設(shè)備進(jìn)行光電子產(chǎn)品研發(fā)的企業(yè)之一。公司注冊(cè)資本5000萬(wàn)元,擁有員工300多人,是山東省首批認(rèn)定的高新技術(shù)企業(yè)。公司現(xiàn)占地43畝,建筑面積5
2025-06-22 16:27
【總結(jié)】第七章光刻工藝前面工藝的遺留問(wèn)題a.如何在一片硅片上定義、區(qū)分和制造出不同類(lèi)型、不同結(jié)構(gòu)和尺寸的元件?b.如何把這些數(shù)以?xún)|計(jì)的元件集成在一起獲得我們所要求的電路功能?c.如何在同一硅片上制造出具有不同功能的集成電路。1、氧化、擴(kuò)散、離子注入
2025-05-06 03:51
【總結(jié)】摘要:在平面晶體管和集成電路生產(chǎn)中,要進(jìn)行多次的光刻,以實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬膜布線(xiàn)的目的。光刻工藝是利用光刻膠的感光性和耐蝕性,在SIO2或金屬膜上復(fù)印并刻蝕出與掩模版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形.由于光刻工藝是一種非常精細(xì)的表面加工技術(shù),在平面器件和集成電路生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用.如果把硅片的外延、氧化、擴(kuò)散和淀積看成是器件結(jié)構(gòu)的縱向控制的話(huà),那么,器件的橫向控制就幾乎全部有光刻
2025-10-13 18:45
【總結(jié)】光刻工藝■概述■掩膜版■光刻機(jī)■光刻膠■典型的光刻工藝流程參考資料:《微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)》第7、8章(電子講稿中出現(xiàn)的圖號(hào)是該書(shū)中的圖號(hào))四、光刻膠由光敏化合物(PAC)、基體樹(shù)脂和有機(jī)溶劑等混合而成的膠狀液體。都是碳基有機(jī)化合物
【總結(jié)】第八章基本光刻工藝流程光刻的目的和意義第四章已做過(guò)簡(jiǎn)單的描述,這一章主要介紹基本光刻工藝中的表面準(zhǔn)備至曝光的工藝步驟及光刻膠的特性。簡(jiǎn)介光刻工藝首先是在晶園表面建立盡可能接近設(shè)計(jì)規(guī)則中所要求尺寸的圖形,其次是在晶園表面正確定位圖形。晶圓晶圓晶圓
2025-01-04 19:51
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實(shí)現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或
2025-02-28 12:02
【總結(jié)】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)光刻膠的一些問(wèn)題1、由于硅片表面高低起伏,可能造成曝光不足或過(guò)曝光。線(xiàn)條寬度改變!1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻原理(下)2、下層反射造成駐波,下層散射降低圖像分辨率。DUV膠—ARCg線(xiàn)和i線(xiàn)膠—使用添加劑,吸光并
2025-03-03 14:53
【總結(jié)】1第六章光刻工藝§1基本概念2一、光刻的定義:光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。二、光刻的目的:光刻的目的就是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形,從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線(xiàn)的目的。3三、工藝流程:以負(fù)膠為例來(lái)說(shuō)明這八個(gè)步驟,一般可分為
2025-05-07 07:17
【總結(jié)】GSD版權(quán)所有,未經(jīng)許可,不得抄襲或轉(zhuǎn)載,違者追究法律責(zé)任。版權(quán)所有,未經(jīng)許可,不得抄襲或轉(zhuǎn)載,違者追究法律責(zé)任。810nm半導(dǎo)體脫毛激光技術(shù)的臨床應(yīng)用GSD版權(quán)所有,未經(jīng)許可,不得抄襲或轉(zhuǎn)載,違者追究法律責(zé)任。版權(quán)所有,未經(jīng)許可,不得抄襲或轉(zhuǎn)載,違者追究法律責(zé)任。?前言?激光脫毛簡(jiǎn)述?艾麗絲儀器介紹?臨床應(yīng)用目
2025-04-29 05:31
【總結(jié)】理學(xué)院物理系§1-3典型激光器簡(jiǎn)介2021年6月15日星期二一、激光器的基本組成(Essentialelementsofalaser)?激光工作物質(zhì)Alasermedium(核心部分)?泵浦系統(tǒng)Apumpingprocess(光能、電能、原子能、化學(xué)能)
2025-05-10 02:22
【總結(jié)】OpticalElectronics,Fall2022Lasercharacteristics?spectrallybroad?divergent?can’tbefocusedtightly?notveryintense?incoherent
2025-05-05 02:06