光刻工藝bppt課件-資料下載頁
2025-05-06 03:51本頁面
【正文】 轉(zhuǎn)速越高，膠膜越薄 (3)涂膠工藝要求： 厚度均勻、粘附性強(qiáng)、無缺陷 (1) 膠厚 和 膠厚的均勻性 是光刻工藝中的關(guān)鍵參數(shù)。 (2) 膠越厚，分辨率就越低。 說 明 前烘 (2)作用： 去除 膠中的大部分 溶劑 ， 提高 膠的 粘附性 ， 并使膠的曝光特性固定。 (1)前烘： 曝光前的烘烤 II 前烘時(shí)間越短或溫度越低， 感光度 ↑ ，溶解度 ↑ ，但對(duì)比度 ↓ 。 (3)前烘的方式： 紅外輻射、烘箱、熱板 (4)典型的前烘條件： 90~100℃ ， 熱板時(shí)間約 1分鐘 I 前烘工藝控制： 溫度和時(shí)間 說 明 對(duì)準(zhǔn)與曝光 (2)曝光的目的 :是要用盡可能短的時(shí)間使光刻膠充分感光， 在顯影后獲得盡可能高的留膜率，近似垂直的光刻膠側(cè) 壁和可控的線寬。 (3)最佳曝光量的選擇： ? 負(fù)膠 ： D0 ? 正膠： Df (1)對(duì)準(zhǔn) : 與前面工藝形成的圖形進(jìn)行 套準(zhǔn) 曝光后烘烤（ PEB） a. 在 G線 和 I線 光刻中， PEB的作用 是 減小駐波效應(yīng) 。 b. 在 DUV光刻 中， PEB是使酸分子與聚合物鏈反應(yīng)而 造成光刻膠溶解性質(zhì)變化的 關(guān)鍵工藝 。 (2)典型 PEB條件： 110~130℃ ，熱板時(shí)間約 幾十秒 — 2分鐘 (1) PEB的作用： 顯影 (1)顯影 :用溶劑去除曝光部分（正膠）或未曝光部分（負(fù) 膠）的光刻膠，在硅片上形成所需的光刻膠圖形。 ： 顯影液： 含水的 堿性顯影液 ，如 , TMAH (四甲基 氫氧化胺水溶液 ), KOH等。 : 顯影液： 二甲苯和抑制顯影速率的緩沖劑。 膨脹性： 二甲苯對(duì)光刻膠的參透能力很強(qiáng)，在顯影過程 中會(huì)侵入光刻膠的交聯(lián)區(qū)域，引起聚合物的膨脹。 (2)影響顯影速率的因素： 顯影液的濃度、溫度，光刻膠的前 烘條件和曝光量。 后烘（堅(jiān)膜） (1)目的： 去除 顯影后膠層內(nèi) 殘留的溶劑 ，使膠膜 堅(jiān)固，同時(shí)提高粘附力和抗蝕性。 國(guó)際先進(jìn)的光刻膠加 工系統(tǒng)包括片盒式 供 片 、 卸片 、 涂膠 、 烘 烤 、 顯影臺(tái) 等。 (2)烘烤條件： 100～ 140℃ ， 10～ 30min。 1. 為什么光刻間通常采用 黃光照明 而洗印 照片的暗室中只能點(diǎn) 小紅燈 ？ 2. 與掩膜版圖形相比較，對(duì)正性光刻膠過 度曝光會(huì)使產(chǎn)生的圖形尺寸有何變化？負(fù) 性光刻膠呢？ 請(qǐng)結(jié)合圖加以說明。 作 業(yè)
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