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2025-05-06 03:51本頁(yè)面
【正文】 膜版上的圖形聚焦于硅 片表面的光刻膠上進(jìn)行曝光的光刻機(jī) 沿著光通路，硅片可移動(dòng)并能保持圖形聚焦的移動(dòng)距離。 I 提高分辨率方法： λ↓， NA↑。 II NA↑（透鏡 ↑）， DOF ↓ 取 λ＝ 365nm， NA＝ ,則 DOF＝ 181。m NA＝ ,則 DOF＝ 1 181。m, 3)投影式光刻系統(tǒng)的兩個(gè)基本參數(shù) b. 焦深 DOF Wmin =k1λ /NA DOF=k2λ /(NA)2 由 瑞利定則 確定 a. 分辨率 R k1為與系統(tǒng)有關(guān)的常數(shù)。 說(shuō)明 k2為與系統(tǒng)有關(guān)的常數(shù)。 a. 光源 通過(guò)一個(gè)窄的 弧 形 對(duì)掩膜和硅片進(jìn)行 輻照 掃描 。 b. 通過(guò)掩膜照射的弧形 光經(jīng)過(guò)兩個(gè)球面反光 鏡 反射 ，可以實(shí)現(xiàn) 全 反射 。 c. 產(chǎn)量高 4） 掃描投影光刻機(jī) 4） 掃描投影光刻機(jī) 美國(guó) Canon公司 5）分布重復(fù)投影光刻機(jī) ASML公司 248nm KrF a. 采用 折射式光學(xué)系統(tǒng) 和 4X~5X的 縮小透鏡 .因此掩膜版上的 圖形可以比實(shí)際硅片的圖形大得多，這樣可以消除由于掩 膜版圖形線寬過(guò)小而產(chǎn)生的光衍射效應(yīng)，能夠克服小圖形 制版的困難。 掩膜版制造容易 。 b. 曝光場(chǎng) ： 一次曝光只有硅片的一部分， 可以大大提高 ＮＡ ()，并避免了許多與高 NA有關(guān)的聚焦深度問(wèn)題，加大了 大直徑硅片生產(chǎn)可行性。 c. 采用了 分步對(duì)準(zhǔn)聚焦技術(shù) 。 ■ 主要問(wèn)題 ： 需要制造像差小，并對(duì)深紫外光 高度透明的 非常大的透鏡 ，而這 是非常困難的。 6）分步掃描投影光刻機(jī) ■ 目前大多數(shù)先進(jìn)光刻機(jī)已采用 分步重復(fù)掃描投影技術(shù) ，在一個(gè)曝 光場(chǎng)中進(jìn)行 圖形掃描 。 ■ 繼承了 掃描投影光刻機(jī)的優(yōu)點(diǎn)： 光學(xué)系統(tǒng)只需在更小的面積內(nèi)更 加完善，因此 容易增大數(shù)值孔徑 NA。 ■ 也具有 分布重復(fù)光刻機(jī)的優(yōu)點(diǎn)： 用 4X 或 5X的掩膜版來(lái)簡(jiǎn)化對(duì)掩膜板 的制造 ,曝光場(chǎng)比硅片小的多，從而消除了硅片尺寸問(wèn)題（可以局部 對(duì)準(zhǔn)）、簡(jiǎn)化了透鏡的設(shè)計(jì)。 習(xí)題 某一投影曝光系統(tǒng)，其數(shù)值孔徑為 ，試計(jì)算并畫(huà)出其理論 分辨率和聚焦深度與曝光波長(zhǎng)的關(guān)系曲線。假設(shè) k1=, k2= （以上假設(shè)的數(shù)值均為實(shí)際系統(tǒng)的典型值）。曝光波長(zhǎng)從 100nm 到 1000nm（ DUV到可見(jiàn)光）。在你的曲線上標(biāo)出常見(jiàn)的曝光波 長(zhǎng)（ G線， I線， KrF和 ArF）。根據(jù)這一曲線，你認(rèn)為 ArF光源 適合作為 ？
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