微細(xì)加工光刻膠ppt課件-資料下載頁
2025-04-29 02:09本頁面
【正文】 二級曝光效應(yīng) 在選擇光刻膠時，必須考慮它的吸收譜，以及在特定波長下的光學(xué)吸收系數(shù) α。 還要考慮基體材料對光的吸收。例如酚醛樹脂就對深紫外光有很強(qiáng)的吸收。被基體材料吸收的光到達(dá)不了感光化合物，從而影響光刻膠的靈敏度。 0( ) e zI z I ???可知，當(dāng) α太大時，則只有光刻膠的頂部能被有效曝光；當(dāng) α太小時，則由于吸收太少而需要長時間的曝光。 由下式 當(dāng)硅片表面凹凸不平時 ，遇到的第一個問題是硅片表面傾斜的臺階側(cè)面會將光反射到不希望曝光的區(qū)域。第二個問題是使膠膜的厚度發(fā)生變化：在硅片表面凹下處膠膜較厚，導(dǎo)致曝光不足；在硅片表面凸起處膠膜較薄，導(dǎo)致曝光過度。膠膜厚度的不同還會影響對比度。 解決這個問題的辦法是表面平坦化。 雙層光刻膠技術(shù) 隨著線條寬度的不斷縮小，為了防止膠上圖形出現(xiàn)太大的深寬比，提高對比度，應(yīng)該采用很薄的光刻膠。但薄膠會遇到耐腐蝕性的問題。由此開發(fā)出了 雙層光刻膠技術(shù) ，這也是所謂 超分辨率技術(shù) 的組成部分。 頂層膠：含硅，厚約 ?m 底層膠：也稱為干顯影膠，厚約 ?m 對頂層膠曝光顯影 對底層膠作含氧的 RIE 刻蝕 據(jù)報(bào)導(dǎo)，采用 193 nm 波長光源，在底層膠上獲得了 ?m ~ ?m 寬的線條。用 CF4 RIE 法刻蝕掉 ?m 厚的多晶硅后，還有約 50% 的底層膠保留下來。 小結(jié) 本章首先介紹了光刻膠的類型與特性，重點(diǎn)討論了光刻膠的靈敏度、分辨率、對比度及其相互關(guān)系。通過正膠的典型反應(yīng)和勢能曲線，說明了光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)過程和增感作用。介紹了涉及光刻膠的工藝步驟。最后介紹了雙層光刻膠技術(shù)。 習(xí) 題 某種 光刻膠的 D0 = 40mJ/cm2， D100 = 85mJ/cm2，試計(jì)算這 種 光刻膠的對比度與 CMTF。當(dāng)這 種 光刻膠的厚度減薄一半時，其 D100 減到 70mJ/cm2，而 D0 則不變，這時其對比度變?yōu)槎嗌伲? 設(shè)某 電子束光刻膠的靈敏度 S = ?C/cm2 ，這意味著在 ( ?m )2 的面積上只需多少個電子照射？在 ( Wmin )2 的面積上又需多少個電子照射？這個結(jié)果對提高光刻膠的靈敏度和曝光效率有什么指導(dǎo)意義 ？
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