微細加工光刻膠ppt課件-資料下載頁
2025-04-29 02:09本頁面
【正文】 二級曝光效應 在選擇光刻膠時，必須考慮它的吸收譜，以及在特定波長下的光學吸收系數 α。 還要考慮基體材料對光的吸收。例如酚醛樹脂就對深紫外光有很強的吸收。被基體材料吸收的光到達不了感光化合物，從而影響光刻膠的靈敏度。 0( ) e zI z I ???可知，當 α太大時，則只有光刻膠的頂部能被有效曝光；當 α太小時，則由于吸收太少而需要長時間的曝光。 由下式 當硅片表面凹凸不平時 ，遇到的第一個問題是硅片表面傾斜的臺階側面會將光反射到不希望曝光的區(qū)域。第二個問題是使膠膜的厚度發(fā)生變化：在硅片表面凹下處膠膜較厚，導致曝光不足；在硅片表面凸起處膠膜較薄，導致曝光過度。膠膜厚度的不同還會影響對比度。 解決這個問題的辦法是表面平坦化。 雙層光刻膠技術 隨著線條寬度的不斷縮小，為了防止膠上圖形出現太大的深寬比，提高對比度，應該采用很薄的光刻膠。但薄膠會遇到耐腐蝕性的問題。由此開發(fā)出了 雙層光刻膠技術 ，這也是所謂 超分辨率技術 的組成部分。 頂層膠：含硅，厚約 ?m 底層膠：也稱為干顯影膠，厚約 ?m 對頂層膠曝光顯影 對底層膠作含氧的 RIE 刻蝕 據報導，采用 193 nm 波長光源，在底層膠上獲得了 ?m ~ ?m 寬的線條。用 CF4 RIE 法刻蝕掉 ?m 厚的多晶硅后，還有約 50% 的底層膠保留下來。 小結 本章首先介紹了光刻膠的類型與特性，重點討論了光刻膠的靈敏度、分辨率、對比度及其相互關系。通過正膠的典型反應和勢能曲線，說明了光刻膠的光化學反應過程和增感作用。介紹了涉及光刻膠的工藝步驟。最后介紹了雙層光刻膠技術。 習 題 某種 光刻膠的 D0 = 40mJ/cm2， D100 = 85mJ/cm2，試計算這 種 光刻膠的對比度與 CMTF。當這 種 光刻膠的厚度減薄一半時，其 D100 減到 70mJ/cm2，而 D0 則不變，這時其對比度變?yōu)槎嗌伲? 設某 電子束光刻膠的靈敏度 S = ?C/cm2 ，這意味著在 ( ?m )2 的面積上只需多少個電子照射？在 ( Wmin )2 的面積上又需多少個電子照射？這個結果對提高光刻膠的靈敏度和曝光效率有什么指導意義 ？
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