基本光刻工藝ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-01-04 19:51本頁(yè)面
【正文】 在晶園表面上定位或?qū)?zhǔn) 。 而曝光是通過(guò)曝光燈或其他輻射源將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上 。 如果說(shuō)光刻膠是光刻工藝的 “ 材料 ” 核心 ， 那么對(duì)準(zhǔn)和曝光則是該工藝的 “ 設(shè)備 ” 核心 。 圖形的準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)是保證器件和電路正常工作的決定性因素之一 。 ? 對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的性能表現(xiàn) 對(duì)準(zhǔn)和曝光包括兩個(gè)系統(tǒng)：一個(gè)是要把圖形在晶園表面上準(zhǔn)確定位 （ 不同的對(duì)準(zhǔn)機(jī)類型的對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)各不相同 ） ；另一個(gè)是曝光系統(tǒng)（ 包括一個(gè)曝光光源和一個(gè)將輻射光線導(dǎo)向到晶園表面上的機(jī)械裝置 ） 。 對(duì)準(zhǔn)機(jī)的性能指標(biāo)： 分辨率： 機(jī)器產(chǎn)生特定尺寸的能力， 分辨率越高越好，機(jī)器的性能越好。 套準(zhǔn)能力： 圖形準(zhǔn)確定位的能力 其他標(biāo)準(zhǔn)如圖所示 對(duì)準(zhǔn)機(jī)選擇標(biāo)準(zhǔn)分辨力 分辨極限 /對(duì)準(zhǔn)精度污染等級(jí)可靠性產(chǎn)率總體所有權(quán)成本 ( C O O ) ? 對(duì)準(zhǔn)與曝光系統(tǒng) 最初曝光設(shè)備是接觸式光刻機(jī)和接近式光刻機(jī) ， 而今 ， 光刻機(jī)已發(fā)展成兩大類型 ， 即光學(xué)光刻機(jī)和非光學(xué)光刻機(jī) ， 如圖所示 。 光學(xué) 光刻機(jī)采用紫外 線作為光源 ， 而 非光學(xué)光刻機(jī)的 光源則來(lái)自電磁 光譜的其他成分 。 光刻機(jī)的種類光學(xué)接觸式非光學(xué)X線 射電子束接近式投影式步進(jìn)式? 曝光光源 普通光源光的波長(zhǎng)范圍大 ， 圖形邊緣衍射現(xiàn)象嚴(yán)重 ， 滿足不了特征尺寸的要求 。 所以作為晶園生產(chǎn)用的曝光光源必須是 某一單一波長(zhǎng)的光源； 另外光源還必須通過(guò) 反射鏡和透鏡 ，使光源發(fā)出的光轉(zhuǎn)化成一束平行光 ， 這樣才能保證特征尺寸的要求 。 最廣泛使用的曝光光源是 高壓汞燈 ， 它所產(chǎn)生的光為紫外光 （ UV） ， 為獲得更高的清晰度 ， 光刻膠被設(shè)計(jì)成只與汞燈光譜中很窄一段波長(zhǎng)的光 （ 稱為深紫外區(qū)或 DUV） 反應(yīng) 。 除自之外，現(xiàn)今用的光源還有： 準(zhǔn)分子激光器、 X射線和電子束 。 ? 對(duì)準(zhǔn)法則 第一次光刻只是把掩膜版上的 Y軸與晶園上的平邊成 90186。， 如圖所示 。 接下來(lái)的掩膜版都用對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)記與上一層帶有圖形的 掩膜對(duì)準(zhǔn) 。 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是一 個(gè)特殊的圖形 （ 見圖 ） ， 分布在每個(gè)芯片圖形的邊 緣。經(jīng)過(guò)光刻工藝對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記就永遠(yuǎn)留在芯片表面，同時(shí)作為下一次對(duì)準(zhǔn)使用。 晶圓掩膜版平邊 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 未對(duì)準(zhǔn)種類： (a) X方向 (b) 轉(zhuǎn)動(dòng) (c) 伸出 ? 對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)比較 ? 光刻機(jī)的分類 接觸式 接近式 掃描投影 步進(jìn)式 分步掃描 X射線 電子束 混合和匹配 光刻機(jī)系統(tǒng) 全局掩膜版掩膜版 曝光光源分辨力（m m）產(chǎn)量 1 5 0 m m ,(w a f / h r ) 接觸式 接近式 / 掃描投影式 分步重復(fù)式 分步掃描式 X 線式射 電子束式 汞 汞 汞 E x L / 化氪 深紫外/ 氟 / 汞 E x L / 化氪 深紫外/ 氟 / X線 射 電子束 X X X 直寫 X X X X0 . 2 5 ~ 0 . 5 0 0 . 9 ~ 1 . 2 5 0 . 3 5 ~ 0 . 8 0 0 . 2 5 ~ 0 . 4 0 0 . 1 0 0 . 2 53 0 ~ 1 2 0 3 0 ~ 1 0 0 6 5 ~ 9 0 5 0 * 2 0 + 2 1 0
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