光刻與刻蝕工藝流程-資料下載頁(yè)
2025-05-11 20:20本頁(yè)面
【正文】 中 Ex為光刻膠的曝光劑量 （ mJ/cm2） ， Ix為曝光燈發(fā)出的光強(qiáng)（ mW/cm2）， t為曝光時(shí)間 (s)。 ?在光刻工藝中， 當(dāng)曝光劑量 Ex E0時(shí)：光刻膠顯影后能完全去除； 當(dāng)曝光劑量 Ex E0時(shí) : 光刻膠顯影時(shí)會(huì)殘留余膠； 曝光時(shí)間差異 a) 、 9s b) 、 10s ( ) c) 、 11s ( ) d) 、 12s ( ) ?碳酸氫鈉（ 1%） 負(fù)膠 ?HCL( 5% )正膠 顯 影 ?噴淋 ?水浴 堅(jiān) 膜 0204060801001201400 20 40 60 80 100 120t/minT/℃?在顯影過(guò)程中，顯影液溶解掉了需要去除的那部分光刻膠膜，同時(shí)也使不需要去除的光刻膠膜軟化，含有過(guò)多的水分，并且與基片的附著性變差，降低了后續(xù)刻蝕工藝的耐蝕性，必須經(jīng)過(guò)一定溫度和時(shí)間的烘烤，以揮發(fā)掉殘留的顯影液和水分， 使膠膜致密堅(jiān)固，進(jìn)一步提高膠膜與基體表面的附著力和抗化學(xué)腐蝕性，減少刻蝕時(shí)所出現(xiàn)的鉆蝕和針孔現(xiàn)象 。 ?氫氧化鈉溶液 退 膠 正膠工藝 負(fù)膠工藝 基板處理 涂膠 + 烘烤 曝光 顯影、光刻
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