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半導(dǎo)體激光器光刻工藝簡(jiǎn)化(編輯修改稿)

2025-05-26 04:29 本頁面

　

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】，不容易控制圖形。因此要通過多次實(shí)驗(yàn)（曝光和顯影），確定合適的曝光時(shí)間。 ? 曝光能量 =光強(qiáng)密度 X 曝光時(shí)間光刻質(zhì)量要求（顯影） ? 顯影時(shí)間要適當(dāng)，時(shí)間長(zhǎng)了，會(huì)造成過顯影，線條寬度變窄、邊緣坡度大、不整齊，腐蝕時(shí)容易鉆蝕；顯影時(shí)間短，容易顯不干凈，留有底膜。光刻質(zhì)量要求 ? 顯影后一定要把殘留顯影液、光刻膠、底膜等漂洗干凈，否則腐蝕時(shí)會(huì)出現(xiàn)腐蝕深度不均勻。 ? 采用等離子去膠機(jī)處理底膜，保證顯影后沒有被光刻膠覆蓋的區(qū)域表面干凈。 ? 檢查：顯影后在顯微鏡下檢查顯影質(zhì)量，除了檢查上述內(nèi)容外，對(duì)于二次光刻氧化層還要看套刻是否準(zhǔn)確，否則漂掉光刻膠，重新涂膠光刻。光刻質(zhì)量要求（后烘）后烘溫度過高，會(huì)使膠變形、邊緣不陡

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2025-01-04 19:51

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