光刻工藝bppt課件(編輯修改稿)
2025-06-02 03:51 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 則 : R=1/W (條線 /毫米 ） 最小分辨線寬 w/2， ■ 影響因素 2）感光度和敏感度 ? 正膠 ： 顯影后感光部分的膜厚為零時(shí)的 最小曝光劑量 。 ? 負(fù)膠 ： 顯影后感光部分的膜厚為曝光前膜厚 一半時(shí) 的曝光量。 a. 是表征光刻膠對(duì)光線 敏感程度 的性能指標(biāo)。 Minsk將發(fā)生完全化學(xué)反應(yīng)時(shí) 光刻膠曝光劑量 H的倒數(shù)來(lái)表示 感光度 S: S = K / H 其中 K是一個(gè)常數(shù) b. 曝光劑量 H:光照強(qiáng)度與曝光時(shí)間的乘積。 ■ H的定義： c. 敏感度： 光刻膠發(fā)生完全光化學(xué)反應(yīng)的 最小曝光劑量 —— 靈敏度 影響因素 ： ? 膠自身性質(zhì) ； ? 光刻工藝條件 ：膠膜厚度 ,曝光劑量，前烘溫度， 顯影液成分等。 c. 敏感度： 光刻膠發(fā)生完全光化學(xué)反應(yīng)的 最小曝光劑量 影響因素： ? 光刻膠的種類(lèi)、厚度 ； ? 輻照源的輸出光譜 ； ? 顯影劑的種類(lèi)和濃度 等。 d. 留膜率 : 曝光顯影后的 非溶性膠膜厚度 與曝光前的膠膜厚 度之 比 . 3）對(duì)比度 γ ? Df： 全部光刻膠被去掉 (正膠 ) 或保留 (負(fù)膠 )所需的 最低 曝光劑量 。 a. 對(duì)比度曲線的三個(gè)區(qū)： 低、過(guò)渡和高曝光區(qū) ? D0： 開(kāi)始進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)所需 的 最低曝光劑量 。 b. 對(duì)比度 c. 影響因素 ： 顯影過(guò)程、前烘、后烘、曝光輻照的波長(zhǎng)、硅片表面 的反射率等。 ■ 曝光顯影后，光刻膠 剖面的形狀 與 曝光劑量 密切相關(guān)。 ■ 光刻的一個(gè)任務(wù)就是調(diào)節(jié)光刻膠的工藝過(guò)程，使 γ 最 大而光刻速度維持在一個(gè)可接受的水平。 4）吸收特性 a太大 : 僅膠頂部被曝光。 a太小 : 需很長(zhǎng)曝光時(shí)間。 ■ 在曝光波長(zhǎng)下的 吸收率 a： ■ 影響因素 : 膠自身性質(zhì) ■ 脫色： 光刻膠在曝光時(shí)的 吸收率是變化的。由于膠 的頂層被曝光后變成更透 明，使下層的曝光更徹底、 更均勻。 a. 粘附性： 光刻膠與襯底之間粘附的牢固程度。 影響因素 ：膠自身性質(zhì)；襯底的性質(zhì)及其表面狀態(tài)。 b. 針孔密度 ：?jiǎn)挝幻娣e上的針孔數(shù)。 影響因素 ： 膠自身性質(zhì)；環(huán)境潔凈度。 c. 抗蝕性 ：能較長(zhǎng)時(shí)間經(jīng)受酸、堿的浸蝕和等離子體的作用。 影響因素 ：膠自身性質(zhì)；光刻工藝條件。 d. 性能穩(wěn)定性 ：暗反應(yīng)和存儲(chǔ)性能退化。 影響因素 ：膠自身性質(zhì)
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