電學半導體制程及原理-文庫吧資料
2025-06-22 15:39本頁面
【正文】 l3 + CICCI + 0SF + Cl, 晶圓切割將芯片排列組合，做成集成電路，利用閘區(qū)化切割機或鉆石刀及雷射槍來替代切割機切割晶圓，形成IC薄片， 晶圓成品之切割程序連線打著利用金屬線連接IC芯片與基板。120 A/minSiN4HF緩沖溶液H3PO45 A/min100 A/minAl1mlHNO34mlCH3COOH4 mlH3PO41mlH2O350 A/minAu4g KI1g I240mlH2O1μm/minMo5ml H3PO42ml HNO34ml CH3COOH150mlH2OPt1ml HNO37mlHCl8mlH2O500 A/minW34g KH2PO4 KOH33g K3Fe(CN)6加入H2O至1公升1600 A/min15ml HF10ml HNO3 硅與鎵砷常用之浸蝕液SiO2+6HF→H2SiF6+H2OSi+HNO3+6HF→H2SiF6+HNO2+H2O+H2鎵砷半導體之蝕刻液以H2SO4H2O2H2O為主。濕法化學蝕刻乃利用液體化學物質與基質表面的特定材料反應溶出，此程序廣泛的應用于半導體制程中。IC印刻種類及其光阻型式印刻種類型式敏感度光學Kodak 747AZ1350JPR102負正正9 mJ/cm290mJ/cm2140mJ/cm2電子束COPGeSePBSPMMA負負正正80μC/cm21μC/cm250μC/cm2X光COPDCOPAPBSPMMA負負正正175 mJ/cm210 mJ/cm295 mJ/cm2l000mJ/cm2晶圓上光阻后，經曝光處理，再由顯影液將曝光區(qū)的正光阻溶解、洗凈、涼干，再經蝕刻去除曝光區(qū)的絕緣層，而未曝光區(qū)的光阻則不受蝕刻影向，最后除去剩余光阻，可用溶液(如H2SO4+H2O2槽)或電漿氧化，經此道程序，可制成設計所需之絕緣層鑄型影像。 正光阻的組成有三：對光敏感化合物、樹脂及有機溶劑。負光阻COP(縮水甘油丙烯酸甲脂與乙基丙稀酸酯共相聚合物)光學(uv)印刻負光阻硒化銬和銀覆蓋層X光印刻負光阻DCOPA(W烯(二氡丙基)酸及縮水廿油甲基丙烯酸酯一土二基丙烯酸酯)離子束光阻正光阻PMMA光阻化合物對輻射具敏感性，可區(qū)分為正光阻及負光阻。再經蝕刻程序獲得各不同區(qū)，以便進行植入、擴散等前幾節(jié)所敘述的步驟。 使用擴散與離子植入技術將雜質植入半導體基晶中的比較印刻與蝕刻印刻是在覆蓋半導體芯片表面的光敏感材料薄層(稱為光阻)印上幾何鑄型。植入雜質濃度在1011~1016離子/cm2。2As2O3+3Si→4As+3SiO2離子植入是將高能量之帶電粒子射入硅基晶中。通常，以上物質由惰性氣體(如N，)輸送至半導體表面而發(fā)生還原反應。于硅擴散作用中，最常使用的雜質為硼、砷及磷，這三種元素在硅中的溶解度相當高。離子植入程序的優(yōu)點在于雜質量的精確控制，雜質分布的再重整，以及低溫下操作。離子植入程序中，雜質是以高能呈離子束植入半導體中。擴散方法是使用植入雜質或雜質的氧化物作氣相附著，將雜質原子植入半導體晶圓的表面附近區(qū)域。c)電阻系數(shù)(μΩcm)CoSil2硅聚合體金屬附著共濺射合金900900182025HfSi2硅聚合體金屬附著90045~50MoSi2共濺射合金I000100NiSi2硅聚合體金屬附著共淺射合金9009005050~60Pd2Si硅聚合體金屬附著40030~50PtSi硅聚合體金屬附著600~80028~35TaSi2硅聚合體金屬附著共濺射合金1000100035~4550~55TiSi2硅聚合體金屏附著共濺射合金90090013~1625Wsi2共濺射合金I00070ZrSi2硅聚合體金屬附著90035~40 硅化物電阻系數(shù)(300176。鋁附著亦可使用有機金屬，如三異丁烷鋁:2{(CH3)2CHCH2}3Al→2Al+3H2+副產物集成電路金屬處理量最大的是鋁及其合金，因為兩者具備低電阻系數(shù)(，)，符合低電阻的要求。以鎢為例其熱解及還原的化學反應式：WF6→W+3F2WF6+3H2→W+6HF其他金屬如鉬(MO)，鉭(Ta)，及鈦(Ti)都可應用于集成電路。在金屬處理中，化學蒸氣附著(CVD)提供相當優(yōu)良的同型階梯涵蓋層，且一次可制成大量晶圓。金屬處理包含內部聯(lián)線、歐姆接觸及整流金
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