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正文內(nèi)容

電學半導(dǎo)體簡答題-文庫吧資料

2025-03-31 06:15本頁面
  

【正文】 差不能通過萬用表跨接在二極管兩端的方法進行測量?–n結(jié)n型區(qū)的電導(dǎo)率遠遠大于p型區(qū)的電導(dǎo)率時,p–n結(jié)電流主要是空穴流還是電子流?–n結(jié)其接觸電位差與哪些物理量有關(guān)?為什么一個開路的p–n結(jié)必然形成接觸電位差?–n結(jié)理想模型(即擴散模型)的基本假設(shè)。正向電壓越高,注入到擴散區(qū)中的少數(shù)載流子越多,則擴散電容越大,因此擴散電容與正向電壓有指數(shù)函數(shù)關(guān)系。加有正向偏壓時,則勢壘厚度減薄,勢壘電容增大,但由于這時正偏pn結(jié)存在有導(dǎo)電現(xiàn)象,不便確定勢壘電容,不過一般可認為正偏時pn結(jié)的勢壘電容等于0偏時勢壘電容的4倍。反偏p–n結(jié)有無擴散電容?為什么?①pn結(jié)的勢壘電容是勢壘區(qū)中空間電荷隨電壓而變化所引起的一種效應(yīng)(微分電容),相當于平板電容。–n結(jié),畫出其電荷、電場強度、電勢在反偏條件下與到p–n結(jié)距離x的函數(shù)關(guān)系。8. 在測試p–n結(jié)反向電流時,有光照和無光照是不一樣的,試問哪種情況下數(shù)值大?為什么?有光照大。V0,2. 定性地畫出正向偏置時p–n結(jié)能帶圖;在圖上標出準費米能級地位置,并與平衡時p–n結(jié)能帶圖進行比較。光磁效應(yīng):在光輻射情況下,物質(zhì)磁性會發(fā)生變化的現(xiàn)象。由于擴散系數(shù)的不同,所以速度不同。1. 解釋一下連續(xù)性方程中各項的含義?第1項由于擴散運動,單位時間單位體積中積累的空穴數(shù);第2,3項由于漂移運動,單位時間單位體積中積累的空穴數(shù);第4項由于其它某種因素單位時間單位體積中產(chǎn)生的空穴數(shù)(產(chǎn)生率);第5項為由于存在復(fù)合過程單位時間單位體積中復(fù)合消失的空穴數(shù)。此外,最有效的復(fù)合中心在禁帶中央,而最有效的陷阱能級在費米能級附近。前者與散射有關(guān),散射越弱,平均自由時間越長;后者由復(fù)合幾率決定,它與復(fù)合幾率成反比關(guān)系。而分別就價帶和導(dǎo)帶中的電子來說,它們各自基本上處于平衡狀態(tài),導(dǎo)帶和價帶之間處于不平衡狀態(tài),準費米能級是不重合的。處于非平衡態(tài)的半導(dǎo)體比平衡態(tài)多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子。?為什么?負的,遷移率隨溫度的升高逐漸降低?什么叫平衡載流子?半導(dǎo)體的熱平衡狀態(tài)是相對的,有條件的。?它對半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)起什么作用?聲子是晶格振動的簡正模能量量子
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