電學(xué)半導(dǎo)體廠務(wù)系統(tǒng)-文庫(kù)吧資料

【摘要】半導(dǎo)體廠務(wù)工作吳世全國(guó)家奈米元件實(shí)驗(yàn)室一、前言近年來，半導(dǎo)體晶圓廠已進(jìn)展到8"晶圓的量產(chǎn)規(guī)模，同時(shí)，也著手規(guī)劃12"晶圓的建廠與生產(chǎn)，準(zhǔn)備迎接另一世代的產(chǎn)業(yè)規(guī)模。於是各廠不斷地?cái)U(kuò)增其產(chǎn)能與擴(kuò)充其廠區(qū)規(guī)模，似乎稍一停頓即會(huì)從此競(jìng)爭(zhēng)中敗下陣來。所以，推促著製程技術(shù)不斷地往前邁進(jìn)，（百萬位元）DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)記憶元件）記憶體密度的此際技術(shù)起，；（十億位元）集積度的

2025-06-29 17:46

電學(xué)半導(dǎo)體簡(jiǎn)答題-文庫(kù)吧資料

【摘要】1.在怎樣條件下，電流密度隨電場(chǎng)強(qiáng)度成線性變化?在強(qiáng)電場(chǎng)下,歐姆定律是否仍然正確?電場(chǎng)強(qiáng)度不大的條件下；不正確？、載流子濃度及遷移率？從霍爾電壓的正負(fù)可以判別半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型；測(cè)出RH可求載流子濃度；測(cè)出電導(dǎo)率可求出霍爾遷移率。,哪一個(gè)材料的少子濃度高?為什么?鍺的少子濃度高。由電阻率=1/nqu和（ni）2=n0p0以及硅和鍺本征載流子濃度的數(shù)量級(jí)差別，可以算出鍺的少

2025-03-31 06:15

電學(xué)半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)實(shí)踐-文庫(kù)吧資料

【摘要】半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)實(shí)踐總結(jié)報(bào)告一、實(shí)踐目的半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)及儀器集中學(xué)習(xí)是在課堂結(jié)束之后在實(shí)習(xí)地集中的實(shí)踐性教學(xué)，是各項(xiàng)課間的綜合應(yīng)用，是鞏固和深化課堂所學(xué)知識(shí)的必要環(huán)節(jié)。學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件與集成電路性能參數(shù)的測(cè)試原理、測(cè)試方法，掌握現(xiàn)代測(cè)試設(shè)備的結(jié)構(gòu)原理、操作方法與測(cè)試結(jié)果的分析方法，并學(xué)以致用、理論聯(lián)系實(shí)際，鞏固和理解所學(xué)的理論知識(shí)。同時(shí)了解測(cè)試技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀、趨勢(shì)以及本專業(yè)的發(fā)展

2025-04-01 02:55

電學(xué)半導(dǎo)體例題答案-文庫(kù)吧資料

【摘要】一、判斷下列說法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。（1）在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。（）（2）因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。（）（3）PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。（）(4）處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。（）

2025-06-29 17:39

電學(xué)半導(dǎo)體名詞解釋(00001)-文庫(kù)吧資料

【摘要】1.??何謂PIE??PIE的主要工作是什幺????????答：ProcessIntegrationEngineer(工藝整合工程師),主要工作是整合各部門的資源,對(duì)工藝持續(xù)進(jìn)行改善,確保產(chǎn)品的良率（yield）穩(wěn)定良好。2.??200mm，300mmW

2024-08-16 05:48

電學(xué)半導(dǎo)體光催化綜述-文庫(kù)吧資料

【摘要】硫及金屬硫化物-類石墨相氮化碳納米復(fù)合材料的制備，表征及其光催化性能的研究第一章緒論自18世紀(jì)60年代的第一次工業(yè)革命到現(xiàn)在以來，科學(xué)技術(shù)迅猛發(fā)展、日新月異。工業(yè)革命（第一次科技革命）以瓦特的蒸汽機(jī)的發(fā)明為標(biāo)志，宣告了人類社會(huì)由原來的火器時(shí)代，進(jìn)入到了蒸汽時(shí)代。第二次科技革命發(fā)生在19世紀(jì)70年代，在這個(gè)時(shí)期，自然科學(xué)取得了飛速的進(jìn)展，由于資本主義制度的逐漸形成和完善，資本主義

2025-06-30 08:22

電學(xué)半導(dǎo)體詞匯縮寫表-文庫(kù)吧資料

【摘要】半導(dǎo)體詞匯縮寫表A/DanalogtodigitalAAatomicabsorptionAASatomicabsorptionspectroscopyABCactivity-basedcostingABMactivity-basedmanagementACalternatingcurrent;activatedcarbonA

2025-08-05 00:04

電學(xué)半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)-文庫(kù)吧資料

【摘要】　實(shí)驗(yàn)十七　半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種，這一現(xiàn)象是霍爾（，1855—1938）于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時(shí)發(fā)現(xiàn)的。后來發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)。這一效應(yīng)對(duì)金屬來說并不顯著,但對(duì)半導(dǎo)體非常顯著。利用這一效應(yīng)制成的各種霍爾元件，廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)、檢測(cè)技術(shù)及信息處理等方面?；魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)?zāi)軠y(cè)定半導(dǎo)體材料的

2024-08-16 06:23

電學(xué)半導(dǎo)體制程及原理-文庫(kù)吧資料

【摘要】制程及原理概述半導(dǎo)體工業(yè)的制造方法是在硅半導(dǎo)體上制造電子元件(產(chǎn)品包括:動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、靜態(tài)記億體、微虛理器…等)，而電子元件之完成則由精密復(fù)雜的集成電路(IntegratedCircuit，簡(jiǎn)稱IC)所組成；IC之制作過程是應(yīng)用芯片氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。隨著電子信息產(chǎn)品朝輕薄短小化的方向發(fā)展，半導(dǎo)體制造方法亦朝著高

2025-06-22 15:39

電學(xué)半導(dǎo)體工藝及芯片制造技術(shù)問題答案(全)-文庫(kù)吧資料

【摘要】常用術(shù)語翻譯activeregion有源區(qū)2.activeponent有源器件3.Anneal退火4.atmosphericpressureCVD(APCVD)常壓化學(xué)氣相淀積5.BEOL（生產(chǎn)線）后端工序6.BiCMOS雙極CMOSwire焊線，引線硼磷硅玻璃length溝道長(zhǎng)度vapordeposition(C

2025-06-29 23:23

電學(xué)半導(dǎo)體名詞解釋(00002)-文庫(kù)吧資料

【摘要】四川洪芯微科技有限公司1)Acetone丙酮丙酮是有機(jī)溶劑的一種，分子式為CH3COCH3性質(zhì)：無色，具剌激性薄荷臭味的液體用途：在FAB內(nèi)的用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻的清洗、擦拭毒性：對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮

2024-08-16 05:50

電學(xué)半導(dǎo)體名詞解釋(13102)-文庫(kù)吧資料

【摘要】1?Active?Area?主動(dòng)區(qū)（工作區(qū)）?主動(dòng)晶體管（ACTIVE?TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)（ACTIVE?AREA）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過程中ACTIVE?AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ACTIVE?AREA會(huì)受到

2024-08-16 06:04

電學(xué)半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光-文庫(kù)吧資料

【摘要】半導(dǎo)體量子點(diǎn)發(fā)光一、半導(dǎo)體量子點(diǎn)的定義當(dāng)半導(dǎo)體的三維尺寸都小于或接近其相應(yīng)物質(zhì)體相材料激子的玻爾半徑（）時(shí)，稱為半導(dǎo)體量子點(diǎn)。二、半導(dǎo)體量子點(diǎn)的原理在光照下，半導(dǎo)體中的電子吸收一定能量的光子而被激發(fā)，處于激發(fā)態(tài)的電子向較低能級(jí)躍遷，以光福射的形式釋放出能量。大多數(shù)情況下，半導(dǎo)體的光學(xué)躍遷發(fā)生在帶邊，也就是說光學(xué)躍遷通常發(fā)生在價(jià)帶頂和導(dǎo)帶底附近。半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)可以用圖的簡(jiǎn)化模型來

2025-06-29 17:39

電學(xué)半導(dǎo)體材料的分類及應(yīng)用-文庫(kù)吧資料

【摘要】半導(dǎo)體材料的分類及應(yīng)用　能源、材料與信息被認(rèn)為是當(dāng)今正在興起的新技術(shù)革命的三大支柱。材料方面,電子材料的進(jìn)展尤其引人注目。以大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路為核心的電腦的問世極大地推動(dòng)了現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)各個(gè)方面的發(fā)展,一個(gè)又一個(gè)劃時(shí)代意義的半導(dǎo)體生產(chǎn)新工藝、新材料和新儀器不斷涌現(xiàn),并迅速變成生產(chǎn)力和生產(chǎn)工具,極大地推動(dòng)了集成電路工業(yè)的高速發(fā)展。半導(dǎo)體數(shù)字集成電路、模擬集成電路、存儲(chǔ)器、專用集成電路

2024-08-16 06:09

電學(xué)半導(dǎo)體制冷片工作原理-文庫(kù)吧資料

【摘要】半導(dǎo)體制冷片工作原理致冷器件是由半導(dǎo)體所組成的一種冷卻裝置，隨著近代的半導(dǎo)體發(fā)展才有實(shí)際的應(yīng)用，也就是致冷器的發(fā)明。其工作原理是由直流電源提供電子流所需的能量，通上電源后，電子負(fù)極(-)出發(fā)，首先經(jīng)過P型半導(dǎo)體，于此吸熱量，到了N型半導(dǎo)體，又將熱量放出，每經(jīng)過一個(gè)NP模塊，就有熱量由一邊被送到令外一邊造成溫差而形成冷熱端。冷熱端分別由兩片陶瓷片所構(gòu)成，冷端要接熱源，也就是欲冷卻之。在以往致冷

2024-08-16 06:43

電學(xué)半導(dǎo)體工藝復(fù)習(xí)精華(文件)

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