【正文】 己發(fā)展成熟，可 Routine應(yīng)用者，計(jì)有: a. BPSG/PSG的含磷、含硼量預(yù)測(cè)。99) Foundry客戶委托加工 客戶委托加工主要是接受客戶委托，生產(chǎn)客戶自有權(quán)利的產(chǎn)品，也就是客戶提供光罩，由聯(lián)華來(lái)生產(chǎn)制造，在將成品出售給客戶，只收取代工費(fèi)用，這種純粹代工，不涉及銷售的方式在國(guó)際間較通常的稱呼就叫硅代工（Silicon Foundry）。的氧化層內(nèi)，通常為正電荷。待過(guò)濾的液體及氣體能經(jīng)過(guò)過(guò)濾器且成功地將雜質(zhì)擋下，必須借著一個(gè)pump制造壓差來(lái)完成，如何選擇一組恰當(dāng)?shù)倪^(guò)濾器及PUMP是首要的課題。利用直流電的加熱，使燈絲表面釋放出所謂“熱離化電子”。場(chǎng)區(qū)之上大部份會(huì)長(zhǎng)一層厚的氧化層 96) Filament 燈絲在離子植入機(jī)的離子源反應(yīng)室里用來(lái)產(chǎn)生電子以解離氣體用。它的涵義就是一個(gè)有專門用途的區(qū)域。95) Field Oxide 場(chǎng)氧化層 Field直譯的意思是“場(chǎng)”。我們常稱FAB為晶圓區(qū)，例如：進(jìn)去FAB之前須穿上防塵衣。半導(dǎo)體制造程序，其步驟繁多，且制程復(fù)雜，需要有非常精密的設(shè)備和細(xì)心的作業(yè)，才能達(dá)到無(wú)缺點(diǎn)的品質(zhì)。由電子抑制極板（Suppression Electrode） 和接地極板（Ground Electrode）兩部分組成。 因光阻對(duì)于某特定波長(zhǎng)的光線特別敏感，故在黃光室中，找將一切照明用光源過(guò)濾成黃色，以避免泛白光源中含有對(duì)光阻有感光能力的波長(zhǎng)成份在，這一點(diǎn)各相關(guān)人員應(yīng)特別注意，否則會(huì)發(fā)生光線污染現(xiàn)象，而擾亂精細(xì)的光阻圖形。 沉積膜的階梯覆蓋能力（Step Coverage）較差216。限制與缺點(diǎn)216。這時(shí)，原本處于固態(tài)的蒸鍍?cè)吹恼舭l(fā)能力將特別強(qiáng)，利用這些被蒸發(fā)出來(lái)的蒸鍍?cè)丛樱覀冊(cè)谄渖戏讲贿h(yuǎn)處的芯片表面上，進(jìn)行薄膜沉積。而所謂干蝕刻，則是利用干蝕刻機(jī)臺(tái)產(chǎn)生電漿將所欲蝕刻的薄膜，反應(yīng)產(chǎn)生氣體，由PUMP抽走達(dá)到圖案定表的目的。一般蝕刻可分為濕式蝕刻(WET ETCH)，及干式蝕刻 (DRY ETCH) 兩種。例如工作桌的接地線，測(cè)試員的靜電環(huán)，在運(yùn)送上使用防靜電膠套及海綿等等。 173。3. 防止靜電破壞方法有二： 172。88) ESD靜電破壞 Electrostatic Damage靜電放電Electrostatic Discharge1. 自然界的物質(zhì)均由原子組成，而原子又由質(zhì)子、中子及電子組成，在平常狀態(tài)下，物質(zhì)呈中性，而在日?；顒?dòng)中，會(huì)使物質(zhì)失去電子，或得到電子﹒此即產(chǎn)生一靜電，得到 電子的物質(zhì)為帶負(fù)靜電，失去電子即帶正靜電。 也就是說(shuō)如果任天堂游戲卡內(nèi)使用的是EPROM，那么您打膩了金牌瑪麗，就把卡匣照紫光，然后灌雙截龍的程序進(jìn)去。然后工程人員再依程序的規(guī)范，用30伏左右的電壓將0101…數(shù)據(jù)灌入每一記憶單位。而EPROM是在ROM內(nèi)加一特殊結(jié)構(gòu)叫A FAMDS，它可使ROM內(nèi)的數(shù)據(jù)保存。86) Epitaxy 磊晶 外延附生：一種礦物的結(jié)晶附于另一礦物結(jié)晶表面的生長(zhǎng)，這樣兩種礦物的結(jié)晶基層就會(huì)有同樣的構(gòu)造來(lái)源87) EPROM （ErasableProgrammable ROM）電子可程序只讀存儲(chǔ)器 MASK ROM內(nèi)所存的數(shù)據(jù)是在FAB內(nèi)制造過(guò)程中便已設(shè)定好，制造完后便無(wú)法改變。85) EPI WAFER磊晶芯片 磊晶系在晶體表面成長(zhǎng)一層晶體。84) 增強(qiáng)型Enhance MOS：|Vg||Vt|時(shí)，處于“開（ON）”的狀態(tài)，且當(dāng)|Vg||Vt|時(shí)，電晶體則在“關(guān)（OFF）”的狀態(tài)。 如下圖，B比A的電壓正l00伏，若在A板上有一電子受B板正電吸引而加速跑到B板，這時(shí)電子在B板就比在A板多了100電子伏特的能量。其對(duì)可靠度評(píng)估可用電流密度線性模型求出：AF＝[J(stress)/J(op)]nexp[Ea/Kb(1/T(top)1/T(stress))]TF＝AFT(stress)有些方法可增加鋁膜導(dǎo)體對(duì)電遷移的抗力，例如:加入抗電移能力較強(qiáng)的金屬，如Cu81) Ellipsometer橢圓測(cè)厚儀 將已知波長(zhǎng)的入射光分成線性偏極或圓偏極，照射2003717在待射芯片，利用所得的不同橢圓偏極光的強(qiáng)度訊號(hào)，以Fourier分析及 Fresnel方程式，求得待測(cè)芯片膜厚與折射率的儀器，稱為橢圓測(cè)厚儀。材料搬動(dòng)主要原動(dòng)力為晶界擴(kuò)散。當(dāng)組件尺寸愈縮小時(shí)，相對(duì)地電流密度則愈來(lái)愈大。80) Electromigration電子遷移所謂電子遷移，乃指在電流作用下的金屬。 電洞是晶體中，在原子核間的共享電子，因受熱干擾或雜質(zhì)原子取代，電子離開原有的位置所遺留下來(lái)的空缺 因缺少一個(gè)電子，無(wú)法維持電中性， 可視為帶有一單位的正電荷。1）由于爐管的兩端溫度不穩(wěn)定，氣體的流量不穩(wěn)定，所以我們?cè)贐oat的兩端放入不是產(chǎn)品 的硅片，我們將這樣的硅片叫擋片。 一般真空度要求不高（E3torr以下）如CVD及furnace僅使用dry pump即可216。 Dry pump是最基本的真空pump,它是利用螺桿原理來(lái)工作的，它主要的特點(diǎn)是可以從大氣壓下直接開始抽氣，所以可以單獨(dú)使用。 如我們的GateOX，這種方法生成的SiO2質(zhì)量比較好，但生成速度比較慢。另外，由于驅(qū)入是藉原子的擴(kuò)散，因此其方向性是各方均等，甚至有可能從芯片逸出(outdiffusion)，這是需要注意的75) Dry Oxidation 干式氧化在通入的氣體中只有氧氣與載氣，只有氧氣與底材發(fā)生氧化反應(yīng)。此法不再加入半導(dǎo)體雜質(zhì)總量，只將表面的雜質(zhì)往半導(dǎo)體內(nèi)更深入的推進(jìn)。74) Drive In 驅(qū)入 離子植入(ion implantation)雖然能較精確地選擇雜質(zhì)數(shù)量，但受限于離子能量，無(wú)法將雜質(zhì)打入芯片較深(um級(jí))的區(qū)域，因此需借著原子有從高濃度往低濃度擴(kuò)散的性質(zhì)，在相當(dāng)高的溫度去進(jìn)行，一方面將雜質(zhì)擴(kuò)散到較深的區(qū)域，且使雜質(zhì)原子占據(jù)硅原子位置，產(chǎn)生所要的電性，另外也可將植入時(shí)產(chǎn)生的缺陷消除。由于上述它優(yōu)缺點(diǎn)，DRAM一般皆用在PC(個(gè)人計(jì)算機(jī))或其它不需高速且記憶容量大的記憶器，而SRAM則用于高速的中大型計(jì)算機(jī)或其它只需小記憶容量，如：監(jiān)視器(Monitor)、打印機(jī)(Printer)等周控制或工業(yè)控制上。而DRAM的最大好處為，其每一記憶單元(bit)只需一個(gè)Transistor(晶體管）+一個(gè)Capacitor(電容器)，故最省面積，而有最高的密度。71) Dosage 劑量 表示離子數(shù)的一個(gè)參數(shù)?；蚶贸练e時(shí)同時(shí)進(jìn)行預(yù)置。69) Dopant Source摻雜源我們將通過(guò)擴(kuò)散的方法進(jìn)行摻雜的物資叫摻雜源，例如將Poly里摻入P的POCl3我們將其叫摻雜源。如離子植入。如摻入p的情況。專供IC制造的用。 然而IC工業(yè)用水，并不是一般的自來(lái)水，而是自來(lái)水或地下水經(jīng)過(guò)一系列的純化而成。這些步驟之后，又須利用水把芯片表面殘留的酸堿清除。它可以達(dá)到105Torr.64) Dimple 凹痕表面上輕微的下陷或凹陷。這樣的爐管就叫做擴(kuò)散爐。 D=D0exp(Ea/KT) D0是外插至無(wú)限大溫度所得的擴(kuò)散系數(shù)(cm2/s) Ea是活化能(ev) 在低濃度時(shí),擴(kuò)散系數(shù)對(duì)溫度倒數(shù)為線性關(guān)系,而與濃度無(wú)關(guān)62) Diffusion Furnace 擴(kuò)散爐 在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子植入的方式做擴(kuò)散源(即紅墨水)。因固態(tài)擴(kuò)散比液體慢很多(約數(shù)億年)，故以進(jìn)爐管加高溫的方式，使擴(kuò)散在數(shù)小時(shí)內(nèi)完成61) Diffusion Coefficient 擴(kuò)散系數(shù)擴(kuò)散系數(shù)是描述雜質(zhì)在晶體中擴(kuò)散快慢的一個(gè)參數(shù)。S/d60) Diffusion 擴(kuò)散 在一杯很純的水上點(diǎn)一滴紅墨水，不久后可發(fā)現(xiàn)水表面顏色漸漸淡去，而水面下漸漸染紅，但顏色是愈來(lái)愈淡，這即是擴(kuò)散的一例。 163。216。 理想保護(hù)層的性質(zhì)216。 良好的Step coverage、低介電常數(shù)、平坦性。我們常用的介電材料有SiO2,Si3N4，我們需要的介電材料要求： ， 。同樣地，如果因制造的疏忽而產(chǎn)生的缺點(diǎn)，往住就會(huì)波及成百成千個(gè)產(chǎn)品。 等規(guī)格，以供產(chǎn)品設(shè)計(jì)者及制程技術(shù)工程師等人遵循、參考56) DHFDilute HF，一般用來(lái)去除native oxide，稀釋的HF( Dilute HF) HF：H2O=1:5057) Die 晶粒 一片芯片(OR晶圓，即Wafer)上有許多相同的方形小單位，這些小單位即稱為晶粒。216。 216。55) Design Rule設(shè)計(jì)規(guī)范 由于半導(dǎo)體制程技術(shù)，系一門專業(yè)、精致又復(fù)雜的技術(shù)，容易受到不同制造設(shè)備制程方法( RECIPE )的影響，故在考慮各項(xiàng)產(chǎn)品如何從事制造技術(shù)完善、成功地制造出來(lái)時(shí)，須有一套規(guī)范來(lái)做有關(guān)技術(shù)上的規(guī)定，此即Design Rule，其系依照各種不同產(chǎn)品的需求、規(guī)格，制造設(shè)備及制程方法、制程能力，各項(xiàng)相關(guān)電性參數(shù)規(guī)格等考慮，訂正了如：216。/min54) Depth of Well 井深 顧名思義即阱的深度。53) Deposition Rate 沉積速率 表示薄膜成長(zhǎng)快慢的參數(shù)。密化通常以爐管在800℃以上的溫度完成，但也可在RTP(Rapid Thermal Process) (快速升降溫機(jī)臺(tái))完成。前者可藉由一般光學(xué)顯微鏡檢查出來(lái)(如橋接、斷線)后者則須藉助較精密電子儀器檢驗(yàn)(如晶格缺陷)由于芯片制造過(guò)程甚為復(fù)雜漫長(zhǎng)，芯片上缺點(diǎn)數(shù)愈少，產(chǎn)品良率品質(zhì)必然愈佳，故缺點(diǎn)密度常被用來(lái)當(dāng)做一個(gè)工廠制造的產(chǎn)品品質(zhì)好壞的指標(biāo)。48) DC Sputtering 直流濺鍍法脫離電漿的帶正電荷離子，在暗區(qū)的電場(chǎng)的加速下，將獲得極高的能量，當(dāng)離子與陰電極產(chǎn)生轟擊之后，基于能量傳遞的原理，離子轟擊除了會(huì)產(chǎn)生二次電子以外，還會(huì)把電極表面的原子給“打擊”出來(lái)，稱為sputtering. 電極板加直流電壓稱為DC Sputtering.u 先決條件兩個(gè)極板必須是導(dǎo)體,以避免帶電荷粒子在電極板表面的累積。47) DC Plasma 直流電漿電漿是人類近代物化史上重大的發(fā)現(xiàn)之一，指的是一個(gè)遭受部分離子化的氣體，氣體里面的組成有各種帶電荷的電子，離子，及不帶電的分子和原子團(tuán)等。解決之道就是在DC PLASMA 里，加入一組或幾組永久性電磁。46) DC Magnetron Sputter 磁控DC濺鍍機(jī)為了使離子在往金屬靶表面移動(dòng)時(shí)獲得足夠的能量，除了提高極板間的電壓外，還必須使離子在陰極暗區(qū)內(nèi)所遭受的碰撞次數(shù)降低，就必須降低濺渡的壓力，越低越好，以增長(zhǎng)離子的平均自由徑。 一般而言，生產(chǎn)周期時(shí)間可以下列公式概略推算之： 在制品（WIP）生產(chǎn)周期時(shí)間＝產(chǎn)能（Throughout）45) CV Shift: 利用量測(cè)MOS電晶體在不同條件下的電容－電壓關(guān)系曲線，來(lái)評(píng)估MOS氧化層品質(zhì)的一種技術(shù)。 制程周期時(shí)間則指所有芯片于單一工站平均生產(chǎn)/制造時(shí)間的總和，亦即每一工站均有一平均生產(chǎn)/制造時(shí)間，而各工站 (從頭至尾)平均生產(chǎn)/制造的加總即為該制程的制程周期時(shí)間。入口處擋片吸附水泡，里面的特殊氣體吸附（成液態(tài)狀）43) Curing 固化當(dāng)以SOG 來(lái)做介電層和平坦化的技術(shù)時(shí)，由于SOG 是一種由溶劑與含有介電材質(zhì)的材料，經(jīng)混合而形成的一種液態(tài)介電材料，以旋涂（Spinon Coating）的方式涂布在芯片的表面，必須經(jīng)過(guò)熱處理來(lái)趨離SOG本身所含的溶劑，稱之為Curing.44) Cycle Time生產(chǎn)周期時(shí)間 指原料由投入生產(chǎn)線到產(chǎn)品于生產(chǎn)線產(chǎn)出所須的生產(chǎn)/制造時(shí)間。 Cryo pump原理:是利用吸附原理而工作： Cryo pump為高真空pump，應(yīng)該和低真空pump配合使用，工作前真空度應(yīng)該達(dá)到102mbar,否則無(wú)法工作。42) Cryogenic Pump 低溫泵將一個(gè)表面溫度降到極低，甚至結(jié)近絕對(duì)零度時(shí)，與這個(gè)表面相接觸的氣體分子，將會(huì)產(chǎn)生相變化，而凝結(jié)在低溫表面上，稱為低溫凝結(jié)。換句話說(shuō)，不管離子的擴(kuò)散持續(xù)多久，離子在界面上的濃度將維持在一個(gè)定值下。38) Contaminant 污染物39) ConstantSurfaceConcentration Diffusion恒定源: 通常雜質(zhì)在半導(dǎo)體高溫?cái)U(kuò)散有兩種方式:ConstantSurfaceConcentration Diffusion(恒定源擴(kuò)散):The vapor source maintains a constant level of surface concentration during the entire Diffusion period (like POCl3 dope) 這個(gè)擴(kuò)散模式，是假設(shè)離子在界面上所具備的濃度，并不隨擴(kuò)散的進(jìn)行而改變。36) Compressive Stress 擠壓應(yīng)力如圖所示若在理想的底材上進(jìn)行薄膜沉積,反應(yīng)完成后,因?yàn)楸∧づc底材的熱膨脹系數(shù)并不相同，將產(chǎn)生熱應(yīng)力。而互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS, Complementary MOS）則是由NMOS及PMOS組合而成，具有省電，抗噪聲能力強(qiáng)、α一Particle免役力好等許多優(yōu)點(diǎn)，是超大規(guī)模集成電路(VLSI)的主流。34) CMOS （Complementary Metal Oxide Semiconductor 互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體） 金屬氧化膜半導(dǎo)體(MOS,MetalOxid