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電學(xué)半導(dǎo)體工藝復(fù)習(xí)精華-資料下載頁(yè)

2025-04-17 07:12本頁(yè)面
  

【正文】 CS=1020cm3。,由公式得:對(duì)摻有1015原子/cm3硼雜質(zhì)的厚硅片進(jìn)行砷擴(kuò)散,溫度為900℃,時(shí)間為3小時(shí),如果表面濃度保持在41018原子/cm3,試計(jì)算砷的最終擴(kuò)散分布和結(jié)深。假設(shè)D0=,Ea= xj=。㎜2的芯片上能制造的電阻最大值是多少?設(shè)薄層電阻為1KΩ/□,電阻條線為2181。m,電阻條與電阻條的中心間距為4181。m。 下面是23因素試驗(yàn)通常用來(lái)分析一個(gè)光刻工藝,用Yates算法來(lái)分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果。次序光刻膠顯影時(shí)間烘干時(shí)間成品率(%)12345678-++++++++++++6077596857834585讓P=光刻膠, T=顯影時(shí)間,F(xiàn)=烘干時(shí)間:PTFY(1)(2)(3)除數(shù)效果ID---601372645348Avg+--7712727092423P-+-5914026204-5T++-681306664PT--+57171064F+-+8391040410PF-++45268040TF+++854014224PTF
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