【正文】 況? }! ]3 ^8 R2 eV+ [　　答：斷路器跳閘　　當供電局供電中斷時,人員仍可安心待在FAB中嗎?。 h H3 | X j　　答：當供電局供電中斷時,本廠因有緊急發(fā)電機設備,配合各相關監(jiān)視系統(tǒng),仍然能保持FAB之Safety,所以人員仍可安心待在FAB中.% i c ?5 i5 h1 d8 A6 g/ W5 u) C ^ b: R. T1 T0 a, eWET　　在半導體程制中,濕制程(wet processing)分那二大頪?　　答：(1) 晶圓洗凈(wafer cleaning) (2) 濕蝕刻(wet etching).　　晶圓洗凈(wafer cleaning)的設備有那幾種?　　答：(1) Batch type(immersion type): a) carrier type b)Cassetteless type (2) Single wafer type(spray type)1 [8 \4 P$ d! }0 j. ?/ g　　晶圓洗凈(wafer cleaning)的目的為何?, K ~_9 ^4 O$ S8 z7 z samp。 K　　答：去除金屬雜質, h* O P3 I9 z0 {8 B　　半導體制程有那些污染源?　　答：(1) 微粒子(2) 金屬(3) 有機物(4) 微粗糙(5) 天生的氧化物 e. jamp。 qamp。 O) y: w B6 s! q) S　　RCA清洗制程目的為何?　　答：于微影照像后,去除光阻,清洗晶圓,并做到酸堿中和,使晶圓可進行下一個制程.　　洗凈溶液 APM(SC1) NH4OH:H2O2:H2O的目的為何?　　答：去除微粒子及有機物　　洗凈溶液 SPM H2SO4:H2O2:H2O的目的為何?% t$ B D$ ^2 G　　答：去除有機物amp。 e, M: Wamp。 e/ N ~4 i　　洗凈溶液 HPM(SC2) HCL:H2O2:H2O的目的為何?　　答：去除金屬　　洗凈溶液 DHF HF:H2O(1:100~1:500)的目的為何?　　答：去除自然氧化膜及金屬+ p. Z$ b! r l, j, }　　洗凈溶液 FPM HF:H2O2:H2O的目的為何?8 W( e, S3 k! w2 A6 @　　答：去除自然氧化膜及金屬3 EE9 J2 O [2 q1 y6 S　　洗凈溶液 BHF(BOE) HF:NH4F的目的為何?/ S% P1 } v8 \/ T3 u　　答：氧化膜濕式蝕刻　　洗凈溶液 熱磷酸 H3PO4的目的為何?* q9 p* ~1 C39。 [+ O。 oy6 Z　　答：氮化膜濕式蝕刻　　?% N) N) U+ V! ?5 C K |　　答：(1) 擴散前清洗(2) 蝕刻后清洗(3) 植入后清洗(4) 沉積前洗清 (5) CMP后清洗% @39。 V0 }3 i! S9 H. X6 B　　超音波刷洗(ultrasonic scrubbing)目的為何?　　答：去除不溶性的微粒子污染4 w39。 K7 U8 v1 S+ Z/ W　　何謂晶圓盒(POD)清洗?　　答：利用去離子水和界面活性劑(surfactant),除去晶圓盒表面的污染.　　高壓噴灑(high pressure spray)或刷洗去微粒子在那些制程之后?5 v5 y。 q7 K, f+ z) D. F　　答：(1) 鋸晶圓(wafer saw) (2) 晶圓磨薄(wafer lapping) (3) 晶圓拋光(wafer polishing) (4) 化學機械研磨　　晶圓濕洗凈設備有那幾種?　　答：(1) 多槽全自動洗凈設備 (2) 單槽清洗設備 (3) _ f4 M( B! j6 G7 @amp。 B* m Mx　　單槽清洗設備的優(yōu)點?$ N`/ }5 D: O0 u, D　　答：(1) 較佳的環(huán)境制程與微?？刂颇芰? (2) 化學品與純水用量少. (3) 設備調整彈性度高.　　單槽清洗設備的缺點?　　答：(1) 產能較低. (2) 晶圓間仍有互相污染　　單晶圓清洗設備未來有那些須要突破的地方?0 s39。 Namp。 z0 N( u8 m8 h2 ?* k4 Y7 q　　答：產能低與設備成熟度　　( V0 @: u! o。 |: T* z1 h/ a　　　　1 Active Area 主動區(qū)（工作區(qū)） 主動晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動區(qū)（ACTIVE AREA）。在標準之MOS制造過程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會受到鳥嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來的小，’S BEAK存在，也就是說ACTIVE ?！　? ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有機溶劑的一種，分子式為CH3COCH3。2. 性質為無色，具刺激性及薄荷臭味之液體。3. 在FAB內之用途，主要在于黃光室內正光阻之清洗、擦拭。4. 對神經中樞具中度麻醉性，對皮膚黏膜具輕微毒性，長期接觸會引起皮膚炎，吸入過量之丙酮蒸汽會刺激鼻、眼結膜及咽喉黏膜，甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識不明等。5. 允許濃度1000PPM。3 V* g% G+ U+ r( y: @9 w　　3 ADI 顯影后檢查 ：After Developing Inspection ：檢查黃光室制程；光阻覆蓋→對準→曝光→顯影。發(fā)現(xiàn)缺點后，如覆蓋不良、顯影不良…等即予修改，以維護產品良率、品質。：利用目檢、顯微鏡為之。6 G9 G( j3 b) K2 a。 q39。 b　　4 AEI 蝕刻后檢查 1. 定義：AEI即After Etching Inspection，在蝕刻制程光阻去除前及光阻去除后，分別對產品實施全檢或抽樣檢查。：21提高產品良率，避免不良品外流。22達到品質的一致性和制程之重復性。23顯示制程能力之指針24阻止異常擴大，非必要時很少作修改，因為重去氧化層或重長氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點密度增加，生產成本增高，以及良率降低之缺點。0 g9 t g4 o9 W/ k9 B5 r　　5 AIR SHOWER 空氣洗塵室進入潔凈室之前，需穿無塵衣，因在外面更衣室之故，無塵衣上沾著塵埃，故進潔凈室之前，需經空氣噴洗機將塵埃吹掉?！　? ALIGNMENT 對準 1. 定義：利用芯片上的對準鍵，一般用十字鍵和光罩上的對準鍵合對為之。2. 目的：在IC的制造過程中，必須經過6~10次左右的對準、曝光來定義電路圖案，對準就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。3. 方法：、電組合代替人眼，即機械式對準。, V \。 ?( I/ s( y) A　　7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使鋁與硅基(Silicon Substrate)之接觸有Ohmic特性，即電壓與電流成線性關系。Alloy也可降低接觸的阻值?！　? AL/SI 鋁/硅 靶此為金屬濺鍍時所使用的一種金屬合金材料利用Ar游離的離子，讓其撞擊此靶的表面，把Al/Si的原子撞擊出來，而鍍在芯片表面上，一般使用之組成為Al/Si (1%)，將此當作組件與外界導線連接?！　? AL/SI/CU 鋁/硅 /銅金屬濺鍍時所使用的原料名稱，通常是稱為TARGET，﹪銅，1﹪﹪鋁，一般制程通常是使用99﹪鋁1﹪硅，后來為了金屬電荷遷移現(xiàn)象（ELEC TROMIGRATION）﹪銅，以降低金屬電荷遷移?！　?0 ALUMINUN 鋁此為金屬濺鍍時所使用的一種金屬材料，利用Ar游離的離子，讓其撞擊此種材料做成的靶表面，把Al的原子撞擊出來，而鍍在芯片表面上，將此當作組件與外界導線之連接。% J e5 C L. w! @$ ^ O% P) |　　11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是為了測量Junction的深度，所作的芯片前處理，這種采用光線干涉測量的方法就稱之Angle Lapping。公式為Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波長的一半與干涉條紋數(shù)之乘積。但漸漸的隨著VLSI組件的縮小，準確度及精密度都無法因應。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是應用Angle Lapping的方法作前處理，采用的方法是以表面植入濃度與阻值的對應關系求出Junction的深度，精確度遠超過入射光干涉法。/ w( V5 P. r, w. c2 ?( g　　12 ANGSTRON 埃是一個長度單位，其大小為1公尺的百億分之一，約為人的頭發(fā)寬度之五十萬分之一。此單位常用于IC制程上，表示其層（如SiO2，Poly，SiN….）厚度時用?！　?3 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常壓化學氣相沉積 APCVD為Atmosphere(大氣)，Pressure(壓力)，Chemical(化學)，Vapor(氣相)及Deposition(沉積)的縮寫，也就是說，反應氣體（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常壓下起化學反應而生成一層固態(tài)的生成物（如BPSG）于芯片上?！　?4 AS75 砷自然界元素之一；由33個質子，42個中子即75個電子所組成。半導體工業(yè)用的砷離子（As＋）可由AsH3氣體分解得到。砷是NTYPE DOPANT 常用作N場區(qū)、空乏區(qū)及S/D植入?！　?5 ASHING，STRIPPING 電漿光阻去除 1. 電漿預處理，系利用電漿方式（Plasma），將芯片表面之光阻加以去除。2. 電漿光阻去除的原理，系利用氧氣在電漿中所產生只自由基（Radical）與光阻（高分子的有機物）發(fā)生作用，產生揮發(fā)性的氣體，再由幫浦抽走，達到光阻去除的目的。3. 電漿光組的產生速率通常較酸液光阻去除為慢，但是若產品經過離子植入或電漿蝕刻后，表面之光阻或發(fā)生碳化或石墨化等化學作用，整個表面之光阻均已變質，若以硫酸吃光阻，無法將表面已變質之光阻加以去除，故均必須先以電漿光阻去除之方式來做。( w8 S2 t3 o: j+ A: J　　16 ASSEMBLY 晶粒封裝以樹酯或陶瓷材料，將晶粒包在其中，以達到保護晶粒，隔絕環(huán)境污染的目的，而此一連串的加工過程，即稱為晶粒封裝（Assembly）。封裝的材料不同，其封裝的作法亦不同，本公司幾乎都是以樹酯材料作晶粒的封裝，制程包括：芯片切割→晶粒目檢→晶粒上「架」（導線架，即Lead frame）→焊線→模壓封裝→穩(wěn)定烘烤（使樹酯物性穩(wěn)定）→切框、彎腳成型→腳沾錫→蓋印→完成。以樹酯為材料之IC，通常用于消費性產品，如計算機、計算器，而以陶瓷作封裝材料之IC，屬于高性賴度之組件，通常用于飛彈、火箭等較精密的產品上。, @+ L$ ~8 xamp。 O　　17 BACK GRINDING 晶背研磨利用研磨機將芯片背面磨薄以便測試包裝，著重的是厚度均勻度及背面之干凈度。一般6吋芯片之厚度約20mil～30 mil左右，為了便于晶粒封裝打線，故需將芯片厚度磨薄至10 mil ～15mil左右?！　?8 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，軟烤，預烤烘烤（Bake）：在集成電路芯片上的制造過程中，將芯片至于稍高溫（60℃～250℃）的烘箱內或熱板上均可謂之烘烤，隨其目的的不同，可區(qū)分微軟烤（Soft bake）與預烤（Hard bake）。軟烤（Soft bake）：其使用時機是在上完光阻后，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻與芯片之附著力。預烤（Hard bake）：又稱為蝕刻前烘烤（preetch bake），主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻（wet etching）更為重要，預烤不全長會造成過蝕刻。4 b/ Z1 m. t0 ?! f　　19 BF2 二氟化硼 一種供做離子植入用之離子。BF2 ＋是由BF3 ＋氣體晶燈絲加熱分解成：BB1F1B10FB11F2 。經Extract拉出及質譜磁場分析后而得到。是一種Ptype 離子，通常用作VT植入（閘層）及S/D植入。8 \+ i: c+ [. f, ~　　20 BOAT 晶舟 Boat原意是單木舟，在半導體IC制造過程中，常需要用一種工具作芯片傳送、清洗及加工，這種承載芯片的工具，我們稱之為Boat。一般Boat有兩種材質，一是石英、另一是鐵氟龍。石英Boat用在溫度較高（大于300℃）的場合。而鐵氟龍Boat則用在傳送或酸處理的場合。　　21 緩沖蝕刻液 BOE是HF與NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蝕刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF為主要的蝕刻液，NH4F則作為緩沖劑使用。利用NH4F固定〔H＋〕的濃度，使之保持一定的蝕刻率。HF會浸蝕玻璃及任何含硅石的物質，對皮膚有強烈的腐蝕性，不小心被濺到，應用大量水沖洗。 U0 _8 }! R。 t( e8 y4 ]+ `　　22 BONDING PAD 焊墊焊墊－晶利用以連接金線或鋁線的金屬層。在晶粒封裝（Assembly）的制程中，有一個步驟是作“焊線”，即是用金線（塑料包裝體）或鋁線（陶瓷包裝體）將晶粒的線路與包裝體之各個接腳依焊線圖（Bonding Diagram）連接在一起，如此一來，晶粒的功能才能有效地應用。由于晶粒上的金屬線路的寬度即間隙都非常窄小，（目前SIMC所致的產品約是微米左右的線寬或間隙），而用來連接用的金線或鋁線其線徑目前由于受到材料的延展性即對金屬接線強度要求的限制，～（～33j微米）左右，在此情況下，要把二、三十微米的金屬線直接連接到金屬線路間距只有3微米的晶粒上，一定會造成多條鋁線的接橋，故晶粒上的鋁路，在其末端皆設計成一個約4mil見方的金屬層，此即為焊墊，以作為接線使用。焊墊通常分布再晶粒之四個外圍上（以粒封裝時的焊線作業(yè)），其形狀多為正方形，亦有人將第一焊線點作成圓形，以資辨識。焊墊因為要作接線，其上得護層必須蝕刻掉，故可在焊墊上清楚地看到“開窗線”。而晶粒上有時亦可看到大塊的金屬層，位于晶粒內部而非四周，其上也看不到開窗線，是為電容。0 R8 s3 g7 u vm　　23 BORON 硼