【正文】 況? }! ]3 ^8 R2 eV+ [　　答：斷路器跳閘　　當(dāng)供電局供電中斷時(shí),人員仍可安心待在FAB中嗎?。 h H3 | X j　　答：當(dāng)供電局供電中斷時(shí),本廠(chǎng)因有緊急發(fā)電機(jī)設(shè)備,配合各相關(guān)監(jiān)視系統(tǒng),仍然能保持FAB之Safety,所以人員仍可安心待在FAB中.% i c ?5 i5 h1 d8 A6 g/ W5 u) C ^ b: R. T1 T0 a, eWET　　在半導(dǎo)體程制中,濕制程(wet processing)分那二大頪?　　答：(1) 晶圓洗凈(wafer cleaning) (2) 濕蝕刻(wet etching).　　晶圓洗凈(wafer cleaning)的設(shè)備有那幾種?　　答：(1) Batch type(immersion type): a) carrier type b)Cassetteless type (2) Single wafer type(spray type)1 [8 \4 P$ d! }0 j. ?/ g　　晶圓洗凈(wafer cleaning)的目的為何?, K ~_9 ^4 O$ S8 z7 z samp。 K　　答：去除金屬雜質(zhì), h* O P3 I9 z0 {8 B　　半導(dǎo)體制程有那些污染源?　　答：(1) 微粒子(2) 金屬(3) 有機(jī)物(4) 微粗糙(5) 天生的氧化物 e. jamp。 qamp。 O) y: w B6 s! q) S　　RCA清洗制程目的為何?　　答：于微影照像后,去除光阻,清洗晶圓,并做到酸堿中和,使晶圓可進(jìn)行下一個(gè)制程.　　洗凈溶液 APM(SC1) NH4OH:H2O2:H2O的目的為何?　　答：去除微粒子及有機(jī)物　　洗凈溶液 SPM H2SO4:H2O2:H2O的目的為何?% t$ B D$ ^2 G　　答：去除有機(jī)物amp。 e, M: Wamp。 e/ N ~4 i　　洗凈溶液 HPM(SC2) HCL:H2O2:H2O的目的為何?　　答：去除金屬　　洗凈溶液 DHF HF:H2O(1:100~1:500)的目的為何?　　答：去除自然氧化膜及金屬+ p. Z$ b! r l, j, }　　洗凈溶液 FPM HF:H2O2:H2O的目的為何?8 W( e, S3 k! w2 A6 @　　答：去除自然氧化膜及金屬3 EE9 J2 O [2 q1 y6 S　　洗凈溶液 BHF(BOE) HF:NH4F的目的為何?/ S% P1 } v8 \/ T3 u　　答：氧化膜濕式蝕刻　　洗凈溶液 熱磷酸 H3PO4的目的為何?* q9 p* ~1 C39。 [+ O。 oy6 Z　　答：氮化膜濕式蝕刻　　?% N) N) U+ V! ?5 C K |　　答：(1) 擴(kuò)散前清洗(2) 蝕刻后清洗(3) 植入后清洗(4) 沉積前洗清 (5) CMP后清洗% @39。 V0 }3 i! S9 H. X6 B　　超音波刷洗(ultrasonic scrubbing)目的為何?　　答：去除不溶性的微粒子污染4 w39。 K7 U8 v1 S+ Z/ W　　何謂晶圓盒(POD)清洗?　　答：利用去離子水和界面活性劑(surfactant),除去晶圓盒表面的污染.　　高壓噴灑(high pressure spray)或刷洗去微粒子在那些制程之后?5 v5 y。 q7 K, f+ z) D. F　　答：(1) 鋸晶圓(wafer saw) (2) 晶圓磨薄(wafer lapping) (3) 晶圓拋光(wafer polishing) (4) 化學(xué)機(jī)械研磨　　晶圓濕洗凈設(shè)備有那幾種?　　答：(1) 多槽全自動(dòng)洗凈設(shè)備 (2) 單槽清洗設(shè)備 (3) _ f4 M( B! j6 G7 @amp。 B* m Mx　　單槽清洗設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)?$ N`/ }5 D: O0 u, D　　答：(1) 較佳的環(huán)境制程與微?？刂颇芰? (2) 化學(xué)品與純水用量少. (3) 設(shè)備調(diào)整彈性度高.　　單槽清洗設(shè)備的缺點(diǎn)?　　答：(1) 產(chǎn)能較低. (2) 晶圓間仍有互相污染　　單晶圓清洗設(shè)備未來(lái)有那些須要突破的地方?0 s39。 Namp。 z0 N( u8 m8 h2 ?* k4 Y7 q　　答：產(chǎn)能低與設(shè)備成熟度　　( V0 @: u! o。 |: T* z1 h/ a　　　　1 Active Area 主動(dòng)區(qū)（工作區(qū)） 主動(dòng)晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)（ACTIVE AREA）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過(guò)程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會(huì)受到鳥(niǎo)嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來(lái)的小，’S BEAK存在，也就是說(shuō)ACTIVE ?！　? ACTONE 丙酮 1. 丙酮是有機(jī)溶劑的一種，分子式為CH3COCH3。2. 性質(zhì)為無(wú)色，具刺激性及薄荷臭味之液體。3. 在FAB內(nèi)之用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻之清洗、擦拭。4. 對(duì)神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對(duì)皮膚黏膜具輕微毒性，長(zhǎng)期接觸會(huì)引起皮膚炎，吸入過(guò)量之丙酮蒸汽會(huì)刺激鼻、眼結(jié)膜及咽喉黏膜，甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識(shí)不明等。5. 允許濃度1000PPM。3 V* g% G+ U+ r( y: @9 w　　3 ADI 顯影后檢查 ：After Developing Inspection ：檢查黃光室制程；光阻覆蓋→對(duì)準(zhǔn)→曝光→顯影。發(fā)現(xiàn)缺點(diǎn)后，如覆蓋不良、顯影不良…等即予修改，以維護(hù)產(chǎn)品良率、品質(zhì)。：利用目檢、顯微鏡為之。6 G9 G( j3 b) K2 a。 q39。 b　　4 AEI 蝕刻后檢查 1. 定義：AEI即After Etching Inspection，在蝕刻制程光阻去除前及光阻去除后，分別對(duì)產(chǎn)品實(shí)施全檢或抽樣檢查。：21提高產(chǎn)品良率，避免不良品外流。22達(dá)到品質(zhì)的一致性和制程之重復(fù)性。23顯示制程能力之指針24阻止異常擴(kuò)大，非必要時(shí)很少作修改，因?yàn)橹厝パ趸瘜踊蛑亻L(zhǎng)氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點(diǎn)密度增加，生產(chǎn)成本增高，以及良率降低之缺點(diǎn)。0 g9 t g4 o9 W/ k9 B5 r　　5 AIR SHOWER 空氣洗塵室進(jìn)入潔凈室之前，需穿無(wú)塵衣，因在外面更衣室之故，無(wú)塵衣上沾著塵埃，故進(jìn)潔凈室之前，需經(jīng)空氣噴洗機(jī)將塵埃吹掉?！　? ALIGNMENT 對(duì)準(zhǔn) 1. 定義：利用芯片上的對(duì)準(zhǔn)鍵，一般用十字鍵和光罩上的對(duì)準(zhǔn)鍵合對(duì)為之。2. 目的：在IC的制造過(guò)程中，必須經(jīng)過(guò)6~10次左右的對(duì)準(zhǔn)、曝光來(lái)定義電路圖案，對(duì)準(zhǔn)就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。3. 方法：、電組合代替人眼，即機(jī)械式對(duì)準(zhǔn)。, V \。 ?( I/ s( y) A　　7 ALLOY/SINTER 熔合 Alloy之目的在使鋁與硅基(Silicon Substrate)之接觸有Ohmic特性，即電壓與電流成線(xiàn)性關(guān)系。Alloy也可降低接觸的阻值。　　8 AL/SI 鋁/硅 靶此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬合金材料利用Ar游離的離子，讓其撞擊此靶的表面，把Al/Si的原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，一般使用之組成為Al/Si (1%)，將此當(dāng)作組件與外界導(dǎo)線(xiàn)連接?！　? AL/SI/CU 鋁/硅 /銅金屬濺鍍時(shí)所使用的原料名稱(chēng)，通常是稱(chēng)為T(mén)ARGET，﹪銅，1﹪﹪鋁，一般制程通常是使用99﹪鋁1﹪硅，后來(lái)為了金屬電荷遷移現(xiàn)象（ELEC TROMIGRATION）﹪銅，以降低金屬電荷遷移?！　?0 ALUMINUN 鋁此為金屬濺鍍時(shí)所使用的一種金屬材料，利用Ar游離的離子，讓其撞擊此種材料做成的靶表面，把Al的原子撞擊出來(lái)，而鍍?cè)谛酒砻嫔?，將此?dāng)作組件與外界導(dǎo)線(xiàn)之連接。% J e5 C L. w! @$ ^ O% P) |　　11 ANGLE LAPPING 角度研磨 Angle Lapping 的目的是為了測(cè)量Junction的深度，所作的芯片前處理，這種采用光線(xiàn)干涉測(cè)量的方法就稱(chēng)之Angle Lapping。公式為Xj=λ/2 NF即Junction深度等于入射光波長(zhǎng)的一半與干涉條紋數(shù)之乘積。但漸漸的隨著VLSI組件的縮小，準(zhǔn)確度及精密度都無(wú)法因應(yīng)。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是應(yīng)用Angle Lapping的方法作前處理，采用的方法是以表面植入濃度與阻值的對(duì)應(yīng)關(guān)系求出Junction的深度，精確度遠(yuǎn)超過(guò)入射光干涉法。/ w( V5 P. r, w. c2 ?( g　　12 ANGSTRON 埃是一個(gè)長(zhǎng)度單位，其大小為1公尺的百億分之一，約為人的頭發(fā)寬度之五十萬(wàn)分之一。此單位常用于IC制程上，表示其層（如SiO2，Poly，SiN….）厚度時(shí)用。　　13 APCVD（ATMOSPRESSURE） 常壓化學(xué)氣相沉積 APCVD為Atmosphere(大氣)，Pressure(壓力)，Chemical(化學(xué))，Vapor(氣相)及Deposition(沉積)的縮寫(xiě)，也就是說(shuō)，反應(yīng)氣體（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常壓下起化學(xué)反應(yīng)而生成一層固態(tài)的生成物（如BPSG）于芯片上?！　?4 AS75 砷自然界元素之一；由33個(gè)質(zhì)子，42個(gè)中子即75個(gè)電子所組成。半導(dǎo)體工業(yè)用的砷離子（As＋）可由AsH3氣體分解得到。砷是NTYPE DOPANT 常用作N場(chǎng)區(qū)、空乏區(qū)及S/D植入?！　?5 ASHING，STRIPPING 電漿光阻去除 1. 電漿預(yù)處理，系利用電漿方式（Plasma），將芯片表面之光阻加以去除。2. 電漿光阻去除的原理，系利用氧氣在電漿中所產(chǎn)生只自由基（Radical）與光阻（高分子的有機(jī)物）發(fā)生作用，產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，再由幫浦抽走，達(dá)到光阻去除的目的。3. 電漿光組的產(chǎn)生速率通常較酸液光阻去除為慢，但是若產(chǎn)品經(jīng)過(guò)離子植入或電漿蝕刻后，表面之光阻或發(fā)生碳化或石墨化等化學(xué)作用，整個(gè)表面之光阻均已變質(zhì)，若以硫酸吃光阻，無(wú)法將表面已變質(zhì)之光阻加以去除，故均必須先以電漿光阻去除之方式來(lái)做。( w8 S2 t3 o: j+ A: J　　16 ASSEMBLY 晶粒封裝以樹(shù)酯或陶瓷材料，將晶粒包在其中，以達(dá)到保護(hù)晶粒，隔絕環(huán)境污染的目的，而此一連串的加工過(guò)程，即稱(chēng)為晶粒封裝（Assembly）。封裝的材料不同，其封裝的作法亦不同，本公司幾乎都是以樹(shù)酯材料作晶粒的封裝，制程包括：芯片切割→晶粒目檢→晶粒上「架」（導(dǎo)線(xiàn)架，即Lead frame）→焊線(xiàn)→模壓封裝→穩(wěn)定烘烤（使樹(shù)酯物性穩(wěn)定）→切框、彎腳成型→腳沾錫→蓋印→完成。以樹(shù)酯為材料之IC，通常用于消費(fèi)性產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、計(jì)算器，而以陶瓷作封裝材料之IC，屬于高性賴(lài)度之組件，通常用于飛彈、火箭等較精密的產(chǎn)品上。, @+ L$ ~8 xamp。 O　　17 BACK GRINDING 晶背研磨利用研磨機(jī)將芯片背面磨薄以便測(cè)試包裝，著重的是厚度均勻度及背面之干凈度。一般6吋芯片之厚度約20mil～30 mil左右，為了便于晶粒封裝打線(xiàn)，故需將芯片厚度磨薄至10 mil ～15mil左右?！　?8 BAKE, SOFT BAKE,HARD BAKE 烘烤，軟烤，預(yù)烤烘烤（Bake）：在集成電路芯片上的制造過(guò)程中，將芯片至于稍高溫（60℃～250℃）的烘箱內(nèi)或熱板上均可謂之烘烤，隨其目的的不同，可區(qū)分微軟烤（Soft bake）與預(yù)烤（Hard bake）。軟烤（Soft bake）：其使用時(shí)機(jī)是在上完光阻后，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻與芯片之附著力。預(yù)烤（Hard bake）：又稱(chēng)為蝕刻前烘烤（preetch bake），主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻（wet etching）更為重要，預(yù)烤不全長(zhǎng)會(huì)造成過(guò)蝕刻。4 b/ Z1 m. t0 ?! f　　19 BF2 二氟化硼 一種供做離子植入用之離子。BF2 ＋是由BF3 ＋氣體晶燈絲加熱分解成：BB1F1B10FB11F2 。經(jīng)Extract拉出及質(zhì)譜磁場(chǎng)分析后而得到。是一種Ptype 離子，通常用作VT植入（閘層）及S/D植入。8 \+ i: c+ [. f, ~　　20 BOAT 晶舟 Boat原意是單木舟，在半導(dǎo)體IC制造過(guò)程中，常需要用一種工具作芯片傳送、清洗及加工，這種承載芯片的工具，我們稱(chēng)之為Boat。一般Boat有兩種材質(zhì)，一是石英、另一是鐵氟龍。石英Boat用在溫度較高（大于300℃）的場(chǎng)合。而鐵氟龍Boat則用在傳送或酸處理的場(chǎng)合。　　21 緩沖蝕刻液 BOE是HF與NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蝕刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF為主要的蝕刻液，NH4F則作為緩沖劑使用。利用NH4F固定〔H＋〕的濃度，使之保持一定的蝕刻率。HF會(huì)浸蝕玻璃及任何含硅石的物質(zhì)，對(duì)皮膚有強(qiáng)烈的腐蝕性，不小心被濺到，應(yīng)用大量水沖洗。 U0 _8 }! R。 t( e8 y4 ]+ `　　22 BONDING PAD 焊墊焊墊－晶利用以連接金線(xiàn)或鋁線(xiàn)的金屬層。在晶粒封裝（Assembly）的制程中，有一個(gè)步驟是作“焊線(xiàn)”，即是用金線(xiàn)（塑料包裝體）或鋁線(xiàn)（陶瓷包裝體）將晶粒的線(xiàn)路與包裝體之各個(gè)接腳依焊線(xiàn)圖（Bonding Diagram）連接在一起，如此一來(lái)，晶粒的功能才能有效地應(yīng)用。由于晶粒上的金屬線(xiàn)路的寬度即間隙都非常窄小，（目前SIMC所致的產(chǎn)品約是微米左右的線(xiàn)寬或間隙），而用來(lái)連接用的金線(xiàn)或鋁線(xiàn)其線(xiàn)徑目前由于受到材料的延展性即對(duì)金屬接線(xiàn)強(qiáng)度要求的限制，～（～33j微米）左右，在此情況下，要把二、三十微米的金屬線(xiàn)直接連接到金屬線(xiàn)路間距只有3微米的晶粒上，一定會(huì)造成多條鋁線(xiàn)的接橋，故晶粒上的鋁路，在其末端皆設(shè)計(jì)成一個(gè)約4mil見(jiàn)方的金屬層，此即為焊墊，以作為接線(xiàn)使用。焊墊通常分布再晶粒之四個(gè)外圍上（以粒封裝時(shí)的焊線(xiàn)作業(yè)），其形狀多為正方形，亦有人將第一焊線(xiàn)點(diǎn)作成圓形，以資辨識(shí)。焊墊因?yàn)橐鹘泳€(xiàn)，其上得護(hù)層必須蝕刻掉，故可在焊墊上清楚地看到“開(kāi)窗線(xiàn)”。而晶粒上有時(shí)亦可看到大塊的金屬層，位于晶粒內(nèi)部而非四周，其上也看不到開(kāi)窗線(xiàn)，是為電容。0 R8 s3 g7 u vm　　23 BORON 硼