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電學(xué)半導(dǎo)體專業(yè)術(shù)語(yǔ)-資料下載頁(yè)

2025-06-23 17:16本頁(yè)面

　　

【正文】光或微影 99. Pilot 實(shí)驗(yàn)的 100. Plasma 電漿 101. Pod 裝晶舟與晶片的盒子 102. Polymer 聚合物 103. POR Process of record 104. PP: pdoped plus(P+) P型重?fù)诫s 105. PR: photo resist 光阻 106. PVD 物理氣相淀積 107. PW: pdoped well P阱 108. Queue time 等待時(shí)間 109. R/C: runcard 運(yùn)作卡 110. Recipe 程式 111. Release 放行 112. Resistance 電阻 113. Reticle 光罩 114. RF 射頻 115. RM: remove. 消除 116. Rotation 旋轉(zhuǎn) 117. RTA: rapid thermal anneal 迅速熱退火 118. RTP: rapid thermal process 迅速熱處理 119. SA: salicide 硅化金屬 120. SAB: salicide block 硅化金屬阻止區(qū) 121. SAC: sacrifice layer 犧牲層 122. Scratch 刮傷 123. Selectivity 選擇比 124. SEM：scanning electron microscope 掃描式電子顯微鏡 125. Slot 槽位 126. SourceHead 離子源 127. SPC 制程統(tǒng)計(jì)管制 128. Spin 旋轉(zhuǎn) 129. Spin Dry 旋干 130. Sputter 濺射 131. SRO: Si rich oxide 富氧硅 132. Stocker 倉(cāng)儲(chǔ) 133. Stress 內(nèi)應(yīng)力 134. STRIP: 一種濕法刻蝕方式 135. TEOS – (CH3CH2O)4Si 四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯，常溫下液態(tài)。作LPCVD /PECVD生長(zhǎng)SiO2的原料。又指用TEOS生長(zhǎng)得到的SiO2層。 136. Ti 鈦 137. TiN 氮化鈦 138. TM: top metal 頂層金屬層 139. TOR Tool of record 140. Under Etch 蝕刻不足 141. USG: undoped 硅玻璃 142. W (Tungsten) 鎢 143. WEE 周邊曝光 144. mainframe 主機(jī) 145. cassette 晶片盒 146. amplifier 放大器 147. enclosure 外殼 148. wrench 扳手 149. swagelok 接頭鎖緊螺母 150. clamp 夾子 151. actuator激勵(lì) 152. STI shallow trench isolantion 淺溝道隔離層 153. SAB 硅鋁塊 154. UBM球下金屬層鍍模工藝 155. RDL金屬連線重排工藝 156. RIE reactinv ion etch 反應(yīng)離子etch 157. ICP inductive couple plasma 感應(yīng)等離子體 158. TFT thin film transistor 薄模晶體管 159. ALD atomic layer deposition 原子層淀積 160. BGA ball grid array 高腳封裝 161. AAS atomic absorptions spectroscopy 原子吸附光譜 162. AFM atomic force microscopy 原子力顯微 163. ASIC 特定用途集成電路 164. ATE 自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備 165. SIP selfionized plasma 自電離電漿 166. IGBT 絕緣門(mén)雙極晶體管 167. PMD premetal dielectric 電容 168. TCU temperature control unit 溫度控制設(shè)備 169. arc chamber 起弧室 vaporizer 蒸發(fā)器 filament 燈絲 repeller 反射板 ELS extended life source 高壽命離子源 analyzer magnet 磁分析器 post accel 后加速器 quad rupole lens 磁聚焦透鏡 disk/flag faraday 束流測(cè)量器 eshower 中性化電子子發(fā)生器 extrantion electrode 高壓吸極 disk 靶盤(pán) rotary drive 旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng) liner drive 直線往復(fù)運(yùn)動(dòng) gyro drive 兩方向偏轉(zhuǎn) flat aligener 平邊檢測(cè)器 loadlock valve 靶盤(pán)腔裝片閥 reservoir 水槽 string filter 過(guò)濾器 DI filter 離子交換器 chiller 制冷機(jī) heat exchange 熱交換機(jī)Yield 良率 Parameter參數(shù) PAC感光化合物 ASIC特殊應(yīng)用集成電路 Solvent 溶劑 Carbide碳 Refractive折射 Expansion膨脹 Strip 濕式刻蝕法的一種 TM: top mental 頂層金屬層 WEE 周邊曝光 PSG 硼硅玻璃 MFG 制造部 Runcard 運(yùn)作卡 POD 裝晶舟和晶片的盒子 Scratch 刮傷 Reticle 光罩 Sputter 濺射 Spin 旋轉(zhuǎn) Merge 合

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畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)推薦

電學(xué)半導(dǎo)體名詞解釋(00001)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】1.??何謂PIE??PIE的主要工作是什幺????????答：ProcessIntegrationEngineer(工藝整合工程師),主要工作是整合各部門(mén)的資源,對(duì)工藝持續(xù)進(jìn)行改善,確保產(chǎn)品的良率（yield）穩(wěn)定良好。2.??200mm，300mmW

2025-08-03 05:48

電學(xué)半導(dǎo)體詞匯縮寫(xiě)表-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】半導(dǎo)體詞匯縮寫(xiě)表A/DanalogtodigitalAAatomicabsorptionAASatomicabsorptionspectroscopyABCactivity-basedcostingABMactivity-basedmanagementACalternatingcurrent;activatedcarbonA

2025-07-30 00:04

電學(xué)半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】　實(shí)驗(yàn)十七　半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種，這一現(xiàn)象是霍爾（，1855—1938）于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時(shí)發(fā)現(xiàn)的。后來(lái)發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng)。這一效應(yīng)對(duì)金屬來(lái)說(shuō)并不顯著,但對(duì)半導(dǎo)體非常顯著。利用這一效應(yīng)制成的各種霍爾元件，廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)、檢測(cè)技術(shù)及信息處理等方面?；魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。通過(guò)霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)?zāi)軠y(cè)定半導(dǎo)體材料的

2025-08-03 06:23

電學(xué)半導(dǎo)體制程及原理-資料下載頁(yè)

【總結(jié)】制程及原理概述半導(dǎo)體工業(yè)的制造方法是在硅半導(dǎo)體上制造電子元件(產(chǎn)品包括:動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、靜態(tài)記億體、微虛理器…等)，而電子元件之完成則由精密復(fù)雜的集成電路(IntegratedCircuit，簡(jiǎn)稱IC)所組成；IC之制作過(guò)程是應(yīng)用芯片氧化層成長(zhǎng)、微影技術(shù)、蝕刻、清洗、雜質(zhì)擴(kuò)散、離子植入及薄膜沉積等技術(shù)，所須制程多達(dá)二百至三百個(gè)步驟。隨著電子信息產(chǎn)品朝輕薄短小化的方向發(fā)展，半導(dǎo)體制造方法亦朝著高

2025-06-16 15:39

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