【正文】 E）電子顯微鏡EM最常用之運(yùn)作方式為發(fā)射電子束方式（EMISSIVEMODE），電子油燈絲放出，而由5~30KV之電壓加速，再經(jīng)過(guò)電磁透鏡使電子束聚集照射至試片表面。一般使通過(guò)掃描線圈之電流同時(shí)通過(guò)相對(duì)應(yīng)之陰極射線管偏折電子束，而在螢光幕上產(chǎn)生相似而較大之掃描動(dòng)作，達(dá)到放大之作用。掃描式電子顯微鏡的解像能介于光學(xué)顯微鏡與穿透式電子顯微鏡之間，可用于檢驗(yàn)固體試片，由于視野縱深長(zhǎng)，可顯示清晰三度空間像。 158SELECTIVITY選擇性1.定義：兩種材料，分別以相同的酸液或電漿作蝕刻，其兩種蝕刻率之比值謂之。例如復(fù)晶電漿蝕刻：對(duì)復(fù)晶之蝕刻率為2000?/min對(duì)氧化層之蝕刻率為200?/min則復(fù)晶對(duì)氧化層之選擇性：SS=2000?/min/200?/min=10選擇性越高表示蝕刻特性越好。一般干事實(shí)刻選擇性較化學(xué)濕蝕刻為差，吾人取較高的選擇性之目的即在于電漿蝕刻專心蝕刻該蝕刻之氧化層，而不會(huì)商道上層光阻或下層氧化層，以確保蝕刻之完整性。 159SILICIDE硅化物一般稱為硅化物（Silicide），指耐火金屬（RefratoryMetal）之硅化物，如鈦（Ti）、鎢（W）、鉬（Mo）等與元素硅（Si）結(jié)合而成之化合物（TiSiWsiMoSi2）。硅化物應(yīng)用在組件之目的，主要為降低金屬與硅接口]、閘極或晶體管串聯(lián)之阻抗，以增加組件之性能。以鈦之硅化物（ECN）為工程師為了廣泛收集資料，或暫時(shí)解決制程問(wèn)題，而做的制程變更，此一臨時(shí)性的變更將注明有效期限，以利生產(chǎn)作業(yè)。 180TEOS（TETRAETHYLORTHOSILICATE）四乙基氧化硅1.化學(xué)式：Si(OC2H5)4，與常溫下偉業(yè)體態(tài)。2.用途：與經(jīng)化學(xué)反應(yīng)后，可生成一層二氧化硅，在IC里通常被當(dāng)作絕緣層使用。3.反應(yīng)方式：高溫低壓分解反應(yīng)高溫加入觸某媒分解反應(yīng)電漿促進(jìn)分解反應(yīng) 181THRESHOLDVILTAGE臨界電壓定義：當(dāng)我們?cè)贛OS晶體管之源極（Source）和汲極（Drain）加一個(gè)固定偏壓后，再開(kāi)始調(diào)整閘極（Gate）對(duì)基質(zhì)（Substrate）的電壓，當(dāng)閘極電壓超過(guò)某一個(gè)值之后，源極和汲極就會(huì)產(chǎn)生電流而導(dǎo)通，則我們就稱此時(shí)的閘極電壓稱為臨界電壓（ThresholdVoltage）。NMOS晶體管的臨界電壓相對(duì)于基質(zhì)為正。PMOS晶體管的臨界電壓相對(duì)于基質(zhì)為負(fù)。一般在制程上我們會(huì)影響臨界電壓的因素主要有二：A閘極氧化層厚度：GateOxide越厚，則VT（絕對(duì)值）越高。B基質(zhì)滲雜的濃度：VT值入Dose越高，則VT越高。 182THROUGHPUT產(chǎn)量1.定義：ThroughPut為單位工時(shí)之產(chǎn)出量，例如某機(jī)器每小時(shí)生產(chǎn)100片，則稱其ThroughPut為100片/每小時(shí)。如果每天運(yùn)作21小時(shí)，則每天的ThroughPut為2100片/天。IC工業(yè)系許多昂貴且精密的設(shè)備投資，故必須充分利用，維持生產(chǎn)的順暢，發(fā)揮其最大的效能。故高的ThroughPut為我們?cè)u(píng)估機(jī)器設(shè)備的一項(xiàng)很重要的因素之一。除了設(shè)備上發(fā)揮其最大產(chǎn)能外，必須要配合人為的力量：如流程安排、故障排除、…等，亦即必須―人機(jī)一體‖才能發(fā)揮生產(chǎn)的整體效益，達(dá)到最高的生產(chǎn)力。 183TMP（TIMEMORYPROTOTYPE，TMSXTIMEMORYSTANDARDPRODUCT）TI記憶產(chǎn)品樣品（原型），TI內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品在TI的產(chǎn)品出貨控制（ProductorOutgoingControl）中，以Qualification（資格審定）為期里程碑：(1)Qual以前：均為T(mén)MP產(chǎn)品。(2)Qual以后：分為T(mén)MSA，TMSB，TMSC及Special，其可靠度保證。 184TOX氧化層厚度TOX系THICKNESSOFOXIDE之縮寫(xiě)，即一般所謂氧化層厚度。通常于氮化硅蝕刻、復(fù)晶及接觸窗蝕刻完，均需作TOX之測(cè)量。藉以確認(rèn)該層次蝕刻完是否有過(guò)蝕刻或蝕刻不足之現(xiàn)象。185TROUBLESHOOTING故障排除1.定義：在生產(chǎn)過(guò)程，因?yàn)?M，即設(shè)備、材料、人為、方法等，造成之一切問(wèn)題而阻礙生產(chǎn)，例如：機(jī)器當(dāng)機(jī)、制程異?！?。工程人員解決以上發(fā)生的問(wèn)題，使這些―障礙‖消弭于無(wú)形謂之TroubleShooting，故障排除。 186UNDERCUT底切度1.定義：所謂―底切度‖（Undercut），乃是蝕刻時(shí)的專用術(shù)語(yǔ)，簡(jiǎn)單的說(shuō)，Undercut便是原來(lái)所定義出來(lái)的圖形間偏離度的大小。對(duì)于等向性蝕刻（IsotropicEtching）Undercut較大，而對(duì)于完全非等向性蝕刻（FullAnisotropicEtching），其Undercut等于零，亦即能忠實(shí)地將原圖形復(fù)制出來(lái)。 187UNIFORMITY均勻度1.定義：均勻度Uniformity是一種測(cè)量值的平均分布。藉以表示芯片內(nèi)各測(cè)量點(diǎn)的數(shù)值或是芯片與芯片間其測(cè)量值的變化。在IC制程中，常用以表示薄膜厚度，線寬（）在整片芯片內(nèi)或芯片間的分布。其表示方法如下：如測(cè)量芯片內(nèi)上中下左右與5點(diǎn)數(shù)據(jù)，5點(diǎn)平均值。Ｘ＝X1＋X2+X3+X4+X5/5均勻度Uniformity＝Xmax－Xm1m/2X100﹪?yán)鐪y(cè)量T0x厚度共五點(diǎn)分布如下：552551520?則均勻度＝540510/2522（平均值）100﹪＝﹪均勻度越小，表示各點(diǎn)變化越小。亦即表示芯片制程品質(zhì)較佳，也是制程能力越好的表現(xiàn) 188VACUUM真空1.定義：真空系針對(duì)大氣而言一特定空間內(nèi)的部分氣體被排出，其大氣小于一大氣壓。表示真空的單位相當(dāng)多，在大氣的情況下，通稱為一大氣壓。真空技術(shù)中將真空一壓力大小分為四個(gè)區(qū)域：A粗略真空（RoughVacuum）B中對(duì)繪空（MediumVacuum）C高真空（HighVacuum）D超高真空（UltraHighVacuum）2.方法：在不同真空，氣體流動(dòng)的形式與傳導(dǎo)性等均有所差異，簡(jiǎn)略而言：在粗略真空氣體的流動(dòng)稱之為黏滯流（ViscousFlow）。其氣體分子間碰撞頻繁，且運(yùn)動(dòng)具有方向性；在高真空或超高真空范圍，氣體流動(dòng)稱為分子流（MolecularFlow），其氣體分子間碰撞較少，且少于氣體與管壁碰撞的次數(shù)，氣體分子運(yùn)動(dòng)為隨意方向，不受抽氣方向影響。在熱導(dǎo)性方面：中對(duì)繪空之壓力范圍其與壓力成正比關(guān)系，粗略真空與高真空區(qū)域則無(wú)此關(guān)系。189VACUUMPUMP真空幫浦凡能將特定空間內(nèi)的氣體去除以減低氣體分子數(shù)目，造成某種程度只真空狀態(tài)的機(jī)件，通稱為真空幫浦。目前生產(chǎn)機(jī)臺(tái)所使用的真空幫浦可分為抽吸式：旋片幫浦（ROTARYPUMP）、魯是幫浦（ROOTSPUMP），活塞幫浦（PISTONPUMP）、擴(kuò)散幫浦（DIFFUSIONPUMP）。儲(chǔ)氣式：冷凍幫浦（CRYOPUMP）、離子幫浦（IONPUMP）。 190VERNIER游標(biāo)尺1.定義：用來(lái)讀取曝光制程中，本層次與前面層次之對(duì)準(zhǔn)情形是否良好。目前公司所用之游標(biāo)尺。目前只用在步進(jìn)式對(duì)準(zhǔn)機(jī)中以得到更佳之分辨率。游標(biāo)尺之設(shè)計(jì)因人而異，因此在讀取時(shí)是否方便、容易，端賴設(shè)計(jì)上之是否周詳。191VIACONTACT連接窗『VIACONTACT』連接窗，系指相同兩層材質(zhì)之間，如POLY（一）與POLY（二）之間，METAL（一）與METAL（二）之間欲直接相聯(lián)系時(shí)，必須在制程上挖出下層（如POLY（一），METAL（一）），窗來(lái)，讓上層（如POLY（二），METAL（二）能與下層相通）此窗即為連接窗，一般此做法系為節(jié)省晶方面積而設(shè)計(jì)，但因多了一層的關(guān)系，制程上會(huì)較復(fù)雜，我們DOUBLEMETAL或DOUBLEPOLY制程即為一例。 192VISCOSITY黏度『粘度』一詞專用于液體，意指當(dāng)液體接受切應(yīng)力時(shí)（指作用力方向與液體表面不垂直），液體就會(huì)產(chǎn)生變形，所以便定義『粘度』來(lái)表示液體產(chǎn)生變形程度的大小。粘度是可以調(diào)整的，因?yàn)橐后w受切應(yīng)力而變形是巨觀行為的表現(xiàn)，所以在液體完全兼容前提下，可以加入不同粘度的溶劑來(lái)調(diào)整粘度。 193VLF（VERTICALLAMINARFLOW）垂直流層在流體的流動(dòng)狀態(tài)中，可分為層流（LaminarFlow）及齊流（TurbulentFlow）兩種。一名叫OsborneReynold的人利用一簡(jiǎn)易的實(shí)驗(yàn)將其界定，而雷諾數(shù)即為層流及齊流的界定值。一般流體流速較快者其流線（streamiline）分子易受干擾，且雷諾數(shù)大易形成齊流，反之，則易形成層流。（雷諾數(shù)=慣性力/粘滯力）在無(wú)塵室芯片制造場(chǎng)所內(nèi)，其氣流為穩(wěn)定之層流，如此可將人員、機(jī)臺(tái)等所產(chǎn)生之微塵帶離。若為齊流，則微塵將滯留不去。因此在無(wú)塵室內(nèi)機(jī)臺(tái)的布置及人員的動(dòng)作都以盡量不使空氣流線產(chǎn)生齊流為原則。 194WELL/TANK井區(qū)WELL即井區(qū)。在IC中的組件MOSFET（即金氧半場(chǎng)效晶體管），常作兩型（N及P）相接的方式，即CMOS技術(shù)。此時(shí)為區(qū)分這兩種不同型的MOSFET，就須先擴(kuò)散兩個(gè)不同型的區(qū)域于IC中。此種區(qū)域即稱為WELL區(qū)。 195WLRC（WAFERLEVELRELIABILITYCONTROL）晶圓層次（廠內(nèi)）可靠度控制WLRC是取代―Endoflinereliability‖的一種全新的可靠度監(jiān)控方式，主要分為物性（InlineScrap），如厚度、材料、應(yīng)力、接觸窗覆蓋率；另有電性（成品Scrap），如TDDB，CHCEMStress等。茲比較如下：Charactoristic1.回饋（Feedback）時(shí)間2.真正原因的回饋性3.WaferLevelQual與DesigninReliability的應(yīng)用4.產(chǎn)品報(bào)廢5.加速系數(shù)及準(zhǔn)確性WLRC1.快，使產(chǎn)品損失減到最低2.良好，能馬上找出問(wèn)題所在3.卓越4.較多5.高，較差EndOFLineReliability1.慢，出問(wèn)題時(shí)已大量產(chǎn)品被影響2.困難，因包裝后產(chǎn)品的DataAssociation（資料聯(lián)結(jié)性）已破壞，不易找出真正原因。3.困難4.少5.低，高 196WLQC（WAFERLEVELQUALITYCONTROL）晶圓層次（廠內(nèi)）品質(zhì)控制先定義：客戶眼中的品質(zhì)：產(chǎn)品有問(wèn)題，就是品質(zhì)不良我們眼中的品質(zhì)：出廠前看得到，量得到的問(wèn)題，才是品質(zhì)（Quality）我們眼中的可靠度：出廠前看不到，又不能直接量得到的問(wèn)題，在客戶手中欲發(fā)生問(wèn)題，是可靠度（Reliability）所以，WLQC是針對(duì)一切廠內(nèi)可直接測(cè)之（timezeromeasurement），對(duì)品質(zhì)有所影響的參數(shù)進(jìn)行篩選及分類(lèi)。對(duì)外，使出貨品質(zhì)分布集中、均勻（假設(shè)某可靠特性不變）。對(duì)內(nèi)，回饋廠內(nèi)，增進(jìn)制造品質(zhì)。 197XRAYLITHOGRAPHYX光微影技術(shù)1.定義：在次微米微影成像技術(shù)中，X射線微影技術(shù)備受矚目。由于X射線之波長(zhǎng)甚短（約4~10?），故可得甚佳之解析力，同時(shí)亦無(wú)干涉及繞射現(xiàn)象，因此可制作次微米線寬之IC圖案。這種以X射線為曝光光源之微影技術(shù)目前仍在開(kāi)發(fā)中。由于X射線穿透力甚強(qiáng)，其光照?qǐng)D案不再是鉻膜，而是一般大都為―金‖。 198YELLOWROOM黃光室黃光室（YellowRoom）就是所有光源（照明用）均為黃色光波波長(zhǎng)者之區(qū)域。由于IC晶方內(nèi)之圖案均有賴光阻劑（Photoresist）覆蓋在芯片上，再經(jīng)曝光，顯影而定型；而此光阻劑遇光線照射，尤其是紫外線（UV）即有曝光之效果，因此在顯影完畢以前之生產(chǎn)，均宜遠(yuǎn)離此類(lèi)光源。黃光之光波較長(zhǎng)，使光阻劑曝光之效果很低，因此乃作為顯影前之照明光源