【總結(jié)】1目錄第一章電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展概況................................................................................5電力半導(dǎo)體器件與電力電子技術(shù)...............................................................
2024-08-29 15:02
【總結(jié)】目錄第一章電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展概況 5電力半導(dǎo)體器件與電力電子技術(shù) 5電力半導(dǎo)體器件的分類與發(fā)展 6雙極型電力半導(dǎo)體器件 6MOS結(jié)構(gòu)電力半導(dǎo)體器件 9 12(PIC) 13 13第二章電力整流管 15電力整流二極管的基本結(jié)構(gòu)和類型 15 15功率整流管的基本類型 15PN結(jié)二極管 16 16P
2025-06-27 01:00
【總結(jié)】1.在怎樣條件下,電流密度隨電場(chǎng)強(qiáng)度成線性變化?在強(qiáng)電場(chǎng)下,歐姆定律是否仍然正確?電場(chǎng)強(qiáng)度不大的條件下;不正確?、載流子濃度及遷移率?從霍爾電壓的正負(fù)可以判別半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型;測(cè)出RH可求載流子濃度;測(cè)出電導(dǎo)率可求出霍爾遷移率。,哪一個(gè)材料的少子濃度高?為什么?鍺的少子濃度高。由電阻率=1/nqu和(ni)2=n0p0以及硅和鍺本征載流子濃度的數(shù)量級(jí)差別,可以算出鍺的少
2025-03-25 06:15
【總結(jié)】一、判斷下列說(shuō)法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()(3)PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí),結(jié)電流為零。()(4)處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。()
2025-06-23 17:39
【總結(jié)】1第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)?教學(xué)時(shí)數(shù):8學(xué)時(shí)?重點(diǎn)與難點(diǎn):?1、PN結(jié)的原理和二極管的等效電路。?2、半導(dǎo)體內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)規(guī)律。?3、晶體二極管、晶體三極管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵型場(chǎng)應(yīng)管的工作原理和特性曲線。2§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)本征半
2025-08-01 17:46
【總結(jié)】一.名詞解釋:①.CZ直拉法:是用包括熔爐,拉晶機(jī)械裝置(籽晶夾具,旋轉(zhuǎn)機(jī)械裝置),環(huán)境控制裝置的拉晶機(jī)進(jìn)行結(jié)晶。多晶硅放入坩堝中,熔爐加熱到超過(guò)硅的熔點(diǎn),將一個(gè)適當(dāng)晶向的籽晶放置在籽晶夾具中,懸于坩堝之上,將籽晶夾具插入熔融液中,雖然籽晶將會(huì)部分融化,但其未融化的籽晶頂部將會(huì)接觸熔融液的表面、將籽晶慢慢拉起,熔融液在固體液體的表面逐漸冷卻,從而產(chǎn)生很大的晶體即從熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的基本
2025-04-17 07:12
【總結(jié)】第二章半導(dǎo)體物理及器件物理基礎(chǔ)本節(jié)內(nèi)容?半導(dǎo)體材料、基本晶體結(jié)構(gòu)與共價(jià)鍵?能級(jí)與能帶?本征載流子濃度?施主和受主導(dǎo)電性:固態(tài)材料可分為三類,即絕緣體、半導(dǎo)體及導(dǎo)體。?絕緣體:電導(dǎo)率很低,約介于10-18S/cm~10-8S/cm,如熔融石英及玻璃;?導(dǎo)體:電導(dǎo)率較高,介于104S
2025-01-13 12:27
【總結(jié)】2021/03模擬電路第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體的基本知識(shí)半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管BJT模型2021/03模擬電路半導(dǎo)體的基本知識(shí)在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力,可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge,它們都是4價(jià)元素。sisi硅原
2024-10-18 22:17
【總結(jié)】電子線路(第五版)梁明理鄧仁清主編尹旻主講Email:主要參考書:模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)清華大學(xué)電子學(xué)教研組編童詩(shī)白華成英主編電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分華中理工大學(xué)電子學(xué)教研室編主編康華光
2024-12-07 21:40
【總結(jié)】第1章基本半導(dǎo)體分立器件第1章基本半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體的基本知識(shí)與PN結(jié)半導(dǎo)體二極管特殊二極管半導(dǎo)體三極管場(chǎng)效應(yīng)晶體管習(xí)題第1章基本半導(dǎo)體分立器件半導(dǎo)體的基本知識(shí)與PN結(jié)半導(dǎo)體的基本特性在自然界中存在著許多不同的物質(zhì),
2025-01-16 03:50
【總結(jié)】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件1雙極型晶體管及相關(guān)器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理PhysicsofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理天津工業(yè)大學(xué)雙極型晶體管及相關(guān)器件2本章內(nèi)容?雙極型晶體管的工作原理?雙極型晶體管的靜態(tài)特性
2025-01-13 12:25
【總結(jié)】模擬電子電路與技術(shù)基礎(chǔ)西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院主講教師:張進(jìn)成教材:模擬電子電路及技術(shù)基礎(chǔ)(第二版),孫肖子主編,西安電子科技大學(xué)出版社,2022年1月授課順序:第二篇(半導(dǎo)體器件及集成電路--原理基礎(chǔ)篇):4-10章第一篇(模擬集成電路系統(tǒng)--應(yīng)用基礎(chǔ)篇):1-3章教師聯(lián)系方式:電子郵件
2025-04-29 05:34
【總結(jié)】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體概念:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。特點(diǎn)是:①導(dǎo)電性能受環(huán)境因素影響;②可通過(guò)某種工藝改變其導(dǎo)電性能。電子器件采用的半導(dǎo)體材料:主要是硅材料和鍺材料。其次還有砷化鎵和磷化鎵材料?!雽?dǎo)體材料在制造電子器件之前首先要經(jīng)過(guò)提純。經(jīng)過(guò)提純的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于其晶體結(jié)構(gòu)。硅材料和鍺材料的晶體
2025-04-29 13:13
【總結(jié)】海南風(fēng)光第14講,P型硅,N型硅PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓二極管半導(dǎo)體三極管第10章半導(dǎo)體器件本征半導(dǎo)體現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。Si硅原子Ge鍺原子§半導(dǎo)體的基本知識(shí)通過(guò)一定的
2025-03-10 23:13
【總結(jié)】蔡竟業(yè)第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)§半導(dǎo)體二極管§晶體三極管§場(chǎng)效應(yīng)管作業(yè):蔡竟業(yè)§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)二、雜