電學(xué)半導(dǎo)體簡答題-資料下載頁
2025-03-25 06:15本頁面
【正文】 子發(fā)射越過電勢勢壘而進(jìn)入金屬中。3. 比較擴(kuò)散理論和熱電子發(fā)射理論的異同點，其物理實質(zhì)有何不同。以N型半導(dǎo)體為例（1）熱電子發(fā)射理論：當(dāng)n型阻擋層很薄，以至于電子平均自由程遠(yuǎn)大于勢壘寬度時，電子在勢壘區(qū)的碰撞可以忽略，因此，這時起決定作用的是勢壘高度。半導(dǎo)體內(nèi)部的電子只要有足夠的能量越過勢壘的頂點，就可以自由地通過阻擋層進(jìn)入金屬。同樣，金屬中能超越勢壘頂?shù)碾娮右捕寄艿竭_(dá)半導(dǎo)體內(nèi)。理論計算可以得出，這時的總電流密度Jst與外加電壓無關(guān)，是一個更強(qiáng)烈地依賴于溫度的函數(shù)。 （2）擴(kuò)散理論：對于n型阻擋層，當(dāng)勢壘寬度比電子平均自由程大得多時，電子通過勢壘區(qū)將發(fā)生多次碰撞，這樣的阻擋層稱為厚阻擋層。擴(kuò)散理論正是適用于這樣的厚阻擋層。此時，總電流密度JsD與外加電壓有關(guān)。？半導(dǎo)體中的電子可以吸收一定能量（如光子、外電場等）而被激發(fā)，處于激發(fā)態(tài)的電子稱為熱電子，處于激發(fā)態(tài)的電子可以向較低的能級躍遷，如果以光輻射的形式釋放出能量，這就是半導(dǎo)體的發(fā)光現(xiàn)象1. 金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)是如何定義的？半導(dǎo)體的功函數(shù)與那些因素有關(guān)？金屬的功函數(shù)表示一個起始能量等于費(fèi)米能級的電子，由金屬內(nèi)部逸出到表面外的真空中所需的最小能量。E0與費(fèi)米能級之差稱為半導(dǎo)體的功函數(shù)。與費(fèi)米能級，電子的親和能有關(guān)2. 說明金屬半導(dǎo)體接觸在什么條件下能形成接觸勢壘（阻擋層）？分析n型和p型形成阻擋層和反阻擋層的條件？所謂阻擋層，在半導(dǎo)體的勢壘區(qū)，形成的空間電荷區(qū)，它主要由正的電離施主雜質(zhì)或負(fù)的電離受主雜質(zhì)形成，其多子電子或空穴濃度比體內(nèi)小得多，是一個高阻區(qū)域，在這個區(qū)域能帶向上或向下彎曲形成電子或空穴的阻擋。3. 分別畫出n型和p型半導(dǎo)體與金屬接觸時的能帶圖（分別為WsWm，WsWm，并忽略表面態(tài)的影響。？半導(dǎo)體表面態(tài)密度很高時（1017eV1*cm2),它可屏蔽金屬接觸的影響，使得勢壘高度與金屬功函數(shù)幾乎無關(guān)，而由半導(dǎo)體表面性質(zhì)決定。當(dāng)表面態(tài)密度不是很高時，金屬功函數(shù)對勢壘高度產(chǎn)生不同程度的影響。習(xí)題:P144 1，3，4，7習(xí)題:P14512，14，17習(xí)題:P176習(xí)題：P194 3,6,8
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