電學(xué)半導(dǎo)體簡答題(參考版)
2025-03-28 06:15本頁面
【正文】 習(xí)題:P144 1，3，4，7習(xí)題:P14512，14，17習(xí)題:P176習(xí)題：P194 3,6,8。？半導(dǎo)體表面態(tài)密度很高時（1017eV1*cm2),它可屏蔽金屬接觸的影響，使得勢壘高度與金屬功函數(shù)幾乎無關(guān)，而由半導(dǎo)體表面性質(zhì)決定。與費米能級，電子的親和能有關(guān)2. 說明金屬半導(dǎo)體接觸在什么條件下能形成接觸勢壘（阻擋層）？分析n型和p型形成阻擋層和反阻擋層的條件？所謂阻擋層，在半導(dǎo)體的勢壘區(qū)，形成的空間電荷區(qū)，它主要由正的電離施主雜質(zhì)或負(fù)的電離受主雜質(zhì)形成，其多子電子或空穴濃度比體內(nèi)小得多，是一個高阻區(qū)域，在這個區(qū)域能帶向上或向下彎曲形成電子或空穴的阻擋。？半導(dǎo)體中的電子可以吸收一定能量（如光子、外電場等）而被激發(fā)，處于激發(fā)態(tài)的電子稱為熱電子，處于激發(fā)態(tài)的電子可以向較低的能級躍遷，如果以光輻射的形式釋放出能量，這就是半導(dǎo)體的發(fā)光現(xiàn)象1. 金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)是如何定義的？半導(dǎo)體的功函數(shù)與那些因素有關(guān)？金屬的功函數(shù)表示一個起始能量等于費米能級的電子，由金屬內(nèi)部逸出到表面外的真空中所需的最小能量。擴(kuò)散理論正是適用于這樣的厚阻擋層。理論計算可以得出，這時的總電流密度Jst與外加電壓無關(guān)，是一個更強(qiáng)烈地依賴于溫度的函數(shù)。半導(dǎo)體內(nèi)部的電子只要有足夠的能量越過勢壘的頂點，就可以自由地通過阻擋層進(jìn)入金屬。3. 比較擴(kuò)散理論和熱電子發(fā)射理論的異同點，其物理實質(zhì)有何不同。共同點：由載流子進(jìn)行電流傳導(dǎo)。當(dāng)隧道電流占主導(dǎo)地位時，它的接觸電阻可以很小，可以用作歐姆接觸。在不考慮表面態(tài)的時候，重?fù)诫s的pn結(jié)可以產(chǎn)生顯著的隧道電流。.1. 什么是歐姆接觸？實現(xiàn)歐姆接觸的方法是什么?簡要說明其物理原理。④玻耳茲曼邊界條件即在耗盡層兩端,載流子分布滿足玻耳茲曼統(tǒng)計分布（著重從物理角度予以說明）?測量結(jié)果與理論值存在差異的主要原因：①勢壘區(qū)中載流子的產(chǎn)生與復(fù)合對電流影響；②大的注入條件；③表面復(fù)合；④串聯(lián)電阻效應(yīng)–n結(jié)的接觸電勢差有無可能超過禁帶寬度？為什么？–n結(jié)及其反向電流的大小。因此,注入的少數(shù)載流子在p區(qū)和n區(qū)是純擴(kuò)散運動。–n結(jié)的接觸電位
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