半導(dǎo)體材料復(fù)習(xí)-資料下載頁(yè)
2025-01-15 01:43本頁(yè)面
【正文】 備高質(zhì)量的介電層－－SiO2；多晶Si的優(yōu)點(diǎn)：多晶硅具有接近單晶硅材料的載流子遷移率和象非晶硅那樣進(jìn)行大面積低成本制備的優(yōu)點(diǎn)；重?fù)诫s的多晶硅薄膜作為電容器的極板、浮柵、電極等；輕摻雜的多晶硅薄膜常用于MOS存儲(chǔ)器的負(fù)載電阻和其他電阻器；多晶硅薄膜由于具有比非晶硅TFT更高的載流子遷移率、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的電流驅(qū)動(dòng)能力、可與CMOS工藝兼容等特點(diǎn)；非晶Si的優(yōu)點(diǎn)：非晶硅薄膜是器件和電路加工所用表面鈍化膜材料之一；對(duì)活性半導(dǎo)體表面進(jìn)行鈍化對(duì)提供器件性能、增強(qiáng)器件和電路的穩(wěn)定性、可靠性；提高其封裝成品率等有重要作用。第九章 半導(dǎo)體光電子材料 產(chǎn)生激光的條件：1. 形成粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，使受激輻射占優(yōu)勢(shì)2. 具有共振腔以實(shí)現(xiàn)光量子放大3. 外界輸入能量至少要達(dá)到閾值，使激光管的增益至少等于損耗第十章 其他半導(dǎo)體材料 熱電優(yōu)值的概念以及如何提高熱電優(yōu)值第十一章 半導(dǎo)體材料的制備 區(qū)域熔煉的原
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