青島科技大學(xué)半導(dǎo)體總復(fù)習(xí)-資料下載頁
2025-06-07 23:16本頁面
【正文】 電流增益，發(fā)射極注射效率，Webster效應(yīng)，發(fā)射極電流擁擠， Early效應(yīng)，截止頻率，特征頻率，l 什么是基區(qū)渡越時(shí)間，并寫出其表達(dá)式。l 什么是Kirk效應(yīng)？該效應(yīng)是如何引起的？l 三極管跨導(dǎo)的定義。l 三極管作為開關(guān)時(shí)分別工作在哪個(gè)狀態(tài)下？為什么會(huì)有開關(guān)時(shí)間？l 請(qǐng)根據(jù)圖示，分析三極管的打開和關(guān)閉過程所對(duì)應(yīng)的基區(qū)載流子變化，并指出影響開關(guān)時(shí)間的最重要時(shí)間。第六章金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管一、理想MOS結(jié)構(gòu)的表面空間電荷區(qū)理想MOS結(jié)構(gòu)的假設(shè)MOS電容器的結(jié)構(gòu)：半導(dǎo)體表面電荷層具有一定的厚度表面勢(shì)：空間電荷區(qū)中電場(chǎng)的出現(xiàn)使半導(dǎo)體表面與體之間產(chǎn)生一個(gè)電位差載流子的積累、耗盡和反型：柵極電壓、半導(dǎo)體表面載流子特點(diǎn)、能帶圖（圖64）反型和強(qiáng)反型條件：6119和6120MOSFET工作在強(qiáng)反型條件下。導(dǎo)電溝道的概念二、理想MOS電容器分四種情況討論MOS電容器的電容－電壓特性：積累區(qū)、平帶情況、耗盡區(qū)、反型區(qū)（高頻和低頻），會(huì)畫圖67和圖69。三、溝道電導(dǎo)和閾值電壓什么是閾值電壓。公式637溝道電導(dǎo)公式634四、實(shí)際MOS的電容－電壓特性功函數(shù)的影響、截面陷阱和氧化物電荷的影響，使平帶電壓VFB0實(shí)際的閾值電壓公式6412，能夠解釋其中4項(xiàng)的來源。五、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管三種工作狀態(tài)：線性、開始飽和、飽和，對(duì)應(yīng)的溝道變化情況溝道夾斷的原理六、等效電路和頻率響應(yīng)截至頻率的概念，公式669，截至頻率與那些因素有關(guān)參考題l 在理想條件下，請(qǐng)分析積累、耗盡、反型、強(qiáng)反型時(shí)，柵電壓和半導(dǎo)體表面的載流子變化，并畫出各個(gè)情況半導(dǎo)體表面的能帶圖。l 根據(jù)VG的變化，分三段（積累、耗盡、反型）定性地解釋并畫出MOS系統(tǒng)的CV特性圖。l 什么是MOSFET的截至頻率？請(qǐng)寫出公式，并解釋與那些物理因素由關(guān)系。l 什么是理想情況下的閾值電壓？解釋閾值電壓的構(gòu)成（給出公式）。非理性情況的閾值電壓與理想情況相比，有什么變化？l 為什么會(huì)產(chǎn)生溝道夾斷現(xiàn)象？請(qǐng)給出溝道夾斷的條件。l 名詞解釋：MOSFET，表面勢(shì)，反型，強(qiáng)反型，導(dǎo)電溝道，溝道電導(dǎo)（公式
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