電學半導體器件原理簡明教程習題答案傅興華-資料下載頁
2025-06-23 23:23本頁面
【正文】 p結的平衡能帶圖。解 見旁邊圖！ 假定GaAs導帶電子分布在導帶底之上0~3/2 kT范圍內，價帶空穴分布在價帶頂之上0~3/2 kT范圍內，計算輻射光子的波長范圍和頻帶寬度。解 T=300K，考慮一個硅pn結光電二極管，外加反向偏壓6V，穩(wěn)態(tài)光產(chǎn)生率為，pn結參數(shù)為：。計算其光電流密度，比較空間電荷區(qū)和擴散區(qū)對光電流密度的貢獻。解 穩(wěn)態(tài)光電流密度 利用帶隙工程，鎵鋁砷()和鎵砷磷()可獲得的最大輻射光波長的值是多少？解 分別計算鎵鋁砷()和鎵砷磷()當x=。解 ，x=！(1) 能帶：由原子軌道所構成的分子軌道的數(shù)量非常大，以至于可以將所形成的分子軌道的能級看成是準連續(xù)的，即形成能帶。(2)半導體能帶特點：有帶隙，電絕緣小，導帶全空，價帶全滿。(3)本征半導體：純凈的無缺陷半導體。(4)本征 空穴：在純硅中由于+3價的銦或鋁的原子周圍有3個價電子，與同價硅原子組成共價結會少一個電子，形成空穴。(5)本征 電子：在純硅中摻入V族元素，使之取代晶格中硅原子的位置。(6)同質pn結：由導電類型相反的同一種半導體單晶材料組成的pn結。(7)異質pn結：由兩種不同的半導體單晶材料組成。(8)LED發(fā)光原理：當兩端加上正向電壓，半導體中的自由電子和空穴發(fā)生復合，放出過多能量而引發(fā)光子發(fā)射；優(yōu)點：工作壽命長、耗電低、反應時間快、體積小重量輕高抗擊、易調光、換顏色可控性大。(9)pn結IV特性：半導體禁帶寬度/eV遷移率/[300K,]相對介電常數(shù)電子親和勢x/eV本征載流子濃度/300K0K電子空穴Ge39001900Si1350500GaAs8500400功函數(shù)：，，，電子電荷，普朗克
黨政相關相關推薦
鄂ICP備17016276號-1