[工學]半導體器件基本原理-資料下載頁
2025-10-07 18:27本頁面
【正文】 ，因此 PN在正向偏置下的導電是“少子”導電。 ?與此同時， P區(qū)的空穴和 N區(qū)的電子在耗盡區(qū)電場的吸引下也向 PN結(jié)處漂移。它們與從對面過流的“少子”復合。 ?少子在外部電場的激勵下不斷穿越 PN結(jié)進入“對方領(lǐng)地”，之后與多數(shù)載流子復合，從而形成源源不斷的電流。 tongyibin ?外電場增強會引起更多的少子注入。 ?由于內(nèi)部電場被外部電場更多地削弱，漂移作用被大大抑制。 ?在兩種相反作用的影響下，正向電流顯著增加。 正向偏置電壓的影響 tongyibin PN結(jié)反偏置 P N＋－＋－＋－＋－＋－＋＋＋＋＋－－－－－內(nèi)電場外部電場反向電流內(nèi)電場被被加強，耗盡區(qū)變寬，多子的擴散受抑制。在增強內(nèi)部電場的作用下，少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。 tongyibin PN結(jié)正向偏置與反向偏置的比較 偏置電壓 正向偏置 反向偏置 外部電場與內(nèi)部電場（耗盡區(qū)）的關(guān)系 是否形成電流 導電載流子的類型 電流與偏置電壓 的關(guān)系 消弱 增強 形成正向電流 形成反向電流 注入 的少數(shù)載流子 抽取 的少數(shù)載流子 受偏置電壓影響大 受偏置電壓影響小 tongyibin PN結(jié)的伏安特性（單向?qū)щ娦裕? U I 勢壘電壓 硅 PN結(jié)約 ，鍺 PN結(jié)約 。 正向?qū)▔航? 反向擊穿電壓 tongyibin PN結(jié)的結(jié)電容 ? PN結(jié)附近的耗盡區(qū)相當于一個電容器，因此就有電容量－ PN結(jié)的結(jié)電容。 ? PN結(jié)的結(jié)電容與 PN結(jié)的偏置電壓有關(guān)，可以通過偏置電壓來調(diào)節(jié)結(jié)電容。 結(jié)電容和什么因素有關(guān)？ 有什么實際應(yīng)用的例子嗎？ ? 在電力電子電路中，有什么影響？ tongyibin PN結(jié)的熱效應(yīng) ? 本征激發(fā)是 PN結(jié)受溫度影響重要起因。 ? 在不同的溫度下， PN結(jié)會表現(xiàn)出不同的特性，因此溫度特性是所有電力電子器件一個重要的方面。 特性變化（惡化） 散熱設(shè)計 功率處理能力 ? PN結(jié)存在工作溫度的上限。 tongyibin 預(yù) 習 問 題 ? 當一個 PN結(jié)由正向偏置突然變?yōu)榉聪蚱?，會發(fā)生什么？從反向偏置突然變?yōu)檎蚱媚兀? ? 少數(shù)載流子的濃度與什么因素有關(guān)？ ? 少數(shù)載流子什么時候才會消失？
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