[信息與通信]半導(dǎo)體器件原理與工藝-資料下載頁
2025-03-22 02:49本頁面
【正文】 藝 干法腐蝕 : 氣體混合 ? Chlorofluorocarbons (CFCs)的消除 材料 傳統(tǒng)氣體 新氣體 Si Etching: Cl2, BCl3 SiCl4Cl2, BCl3Cl2 Passivation: C4F8, CCl4,CHF3 HBr/O2, HBr/Cl2O2, Br2SF6, SF6 SiO2 CF4, C2F6, C3F8 CCl3F2, CHF3,/CF4, CHF3,/O2, CH3CHF2 Si3N4 CHF3, CCl2F2 CF4/O2, CF4/H2, CH3CHF2 Al Cl2, BCl3, SiCl4 HBr, Cl2, BCl3, SiCl4 W SF6 / Cl2 / CCl4 SF6 (only), NF3 / Cl2 Organics O2, O2 + CF4 CO, CO2, H2O, HF 半導(dǎo)體器件原理與工藝 干法刻蝕的各向異性 ? 若腐蝕是純化學(xué)的，則是各向同性的 ? 離子轟擊以損傷表面可以提高腐蝕速率 ? 產(chǎn)生斷裂鍵 ? 正離子加速到達(dá)陰極 (V) ? SiO2 不被腐蝕，除轟擊外 (垂直 ) ? 導(dǎo)致不同的腐蝕形貌 (側(cè)邊 ) 半導(dǎo)體器件原理與工藝 干法刻蝕的各向異性 ? 當(dāng) H2 加入到 CF4中 , Si的腐蝕速率降到零 ? 當(dāng)偏壓增加 , 腐蝕速率也增加 ? 結(jié)合這兩種效應(yīng)，可以實(shí)現(xiàn)非常好的各向異性腐蝕 半導(dǎo)體器件原理與工藝 不揮發(fā)殘留物的淀積 ? CF4H2 等離子會(huì)在樣品表面淀積含碳?xì)埩粑? (不揮發(fā) ) ? 稱為 POLYMERIZATION ? SiO2 表面形成的殘留比 Si 表面少 ? 一些碳和 SiO2中的 O2 反應(yīng)形成可揮發(fā)的 CO 和 CO2 ? 控制 Si 和 SiO2 相對腐蝕速率可有效控制選擇性 ? 對每種腐蝕腔來說，正確的設(shè)置還是得依賴經(jīng)驗(yàn) 半導(dǎo)體器件原理與工藝 ? 盡管 CF4 只腐蝕 Si, 當(dāng)更多的 Si 表面暴露時(shí) , 更多的 F 被消耗掉，導(dǎo)致 F/C 減小，腐蝕減慢 ? 加入 H2 消耗 F – 易導(dǎo)致 polymerization ? 加入 O2 消耗 C – 導(dǎo)致腐蝕 控制 Polymerization (F/C 比 ) ? F/C比高，腐蝕速率高 ? F/C比越低，越容易形成 polymerization ? 氣體可以控制 半導(dǎo)體器件原理與工藝 TDME深腐蝕 ? 每步的相對長度影響側(cè)墻的斜率 開始 各向同性 SF6 腐蝕 加各向異性轟擊 SF6 再腐蝕 各向同性 Polymer 形成 （ C4F8） 半導(dǎo)體器件原理與工藝 扇形過刻 ? 扇形過刻 ? 深度 50 ~ 300 nm ? 高度 ~ 181。m 半導(dǎo)體器件原理與工藝 高選擇比 ? 腐蝕速率 ? Up to ~3 181。m / min 200 181。m 半導(dǎo)體器件原理與工藝 DRIE 掩膜材料 ? 選擇性 ?Silicon/Photoresist: ~70:1 ?Silicon/SiO2: ~150:1 半導(dǎo)體器件原理與工藝 半導(dǎo)體器件原理與工藝 干法刻蝕 : 掩膜材料 ? 光刻膠較好 ? Oxides 和 某些 metals 也不錯(cuò) 掩膜材料 SF6 CHF3 CF4 O2 N2 Resist +/ +/ +/ + CFx + + + + Si + + + SiO2 +/ +/ + + Si3N4 +/ +/ + + Al/Al2O3 + + + + + W + + Au + + + + + Ti + +
范文總結(jié)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1