青島科技大學半導體總復習-wenkub.com
2025-06-04 23:16 本頁面
【正文】 非理性情況的閾值電壓與理想情況相比，有什么變化？l 為什么會產(chǎn)生溝道夾斷現(xiàn)象？請給出溝道夾斷的條件。五、MOS場效應晶體管三種工作狀態(tài)：線性、開始飽和、飽和，對應的溝道變化情況溝道夾斷的原理六、等效電路和頻率響應截至頻率的概念，公式669，截至頻率與那些因素有關(guān)參考題l 在理想條件下，請分析積累、耗盡、反型、強反型時，柵電壓和半導體表面的載流子變化，并畫出各個情況半導體表面的能帶圖。第六章金屬－氧化物－半導體場效應管一、理想MOS結(jié)構(gòu)的表面空間電荷區(qū)理想MOS結(jié)構(gòu)的假設MOS電容器的結(jié)構(gòu)：半導體表面電荷層具有一定的厚度表面勢：空間電荷區(qū)中電場的出現(xiàn)使半導體表面與體之間產(chǎn)生一個電位差載流子的積累、耗盡和反型：柵極電壓、半導體表面載流子特點、能帶圖（圖64）反型和強反型條件：6119和6120MOSFET工作在強反型條件下。l 請根據(jù)基區(qū)載流子的變化過程，解釋晶體管的開關(guān)特性。l 推導正向有源模式下，集電極電流和基極電流公式。參考題l 三極管有哪幾種工作模式？以及各種工作模式的偏置特點。六、基區(qū)擴展電阻和電流聚集發(fā)射極電流集聚效應：基區(qū)擴展電阻的存在，使發(fā)射結(jié)電壓降低，發(fā)射極電流集中在發(fā)射結(jié)邊緣附近解決方法：采用周長/面積比很高的梳狀結(jié)構(gòu)。三、正向有源工作模式下的電流傳輸放大條件下，基極電流和集電極電流的表示方法?！半p極型”的解釋。l 畫出正向偏壓和反向偏壓的PN結(jié)能帶圖，并解釋不同之處。八、PN結(jié)二極管的頻率特性二極管等效電路圖219二極管直流電導或擴散電導擴散電容九、電荷存儲和反向瞬變PN結(jié)的開關(guān)作用?？昭ê碗娮拥臄U散長度表達式及意義（兩個意義：擴散區(qū)域；少子擴散電流衰減為1/e）。l 請寫出電子和空穴遷移率和電導率的公式，并解釋遷移率的物理意義。l 請寫出費米函數(shù)，并解釋費米函數(shù)的意義。公式11011和11012五、非平衡載流子概念：平衡與非平衡（能帶間的載流子躍遷）；過剩載流子大注入和小注入產(chǎn)生率、復合率、凈復合率非平衡載流子的壽命：從撤銷外力，到非平衡載流子消失。意義（圖
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