半導(dǎo)體復(fù)習(xí)參考試題-文庫(kù)吧資料
2025-04-23 00:00本頁(yè)面
【正文】 當(dāng)然，溫度超過(guò)器件的最高工作溫度時(shí)，器件已經(jīng)不能正常工作了。溫度再進(jìn)一步增加，電阻率隨溫度升高而降低。對(duì)散射起主要作用的是晶格散射，遷移率隨溫度升高而降低，導(dǎo)致電阻率隨溫度升高而升高。溫度進(jìn)一步增加（含室溫），電阻率隨溫度升高而升高。因?yàn)檫@時(shí)本征激發(fā)極弱，可以忽略；載流子主要來(lái)源于雜質(zhì)電離，隨著溫度升高，載流子濃度逐步增加，相應(yīng)地電離雜質(zhì)散射也隨之增加，從而使得遷移率隨溫度升高而增大，導(dǎo)致電阻率隨溫度升高而降低。答： Si的電阻率與溫度的變化關(guān)系可以分為三個(gè)階段，如圖所示（1）AB段。深能級(jí)雜質(zhì)不會(huì)影響半導(dǎo)體的導(dǎo)電性，但可作為有效的復(fù)合中心，改變非平衡載流子的壽命。 A、平方成正比； B、3/2次方成反比； C、平方成反比； D、1/2次方成正比； 三、問(wèn)答題1. 半導(dǎo)體中淺能級(jí)雜質(zhì)、深能級(jí)雜質(zhì)的作用有何不同？答：淺能級(jí)雜質(zhì)在半導(dǎo)體中引入的能級(jí)位于禁帶中導(dǎo)帶底（或價(jià)帶頂）附近，深能級(jí)雜質(zhì)在半導(dǎo)體中引入的能級(jí)位于禁帶中央附近，遠(yuǎn)離導(dǎo)帶底（或價(jià)帶頂）。 ，它引入的雜質(zhì)能級(jí)是（ A ）能級(jí)，在半導(dǎo)體中起的是（ C ）的作用；當(dāng)B摻入Si中時(shí)，它引入的雜質(zhì)能級(jí)是（ B ）能級(jí)，在半導(dǎo)體中起的是（ D ）的作用。A、1/4 B、1/e C、1/e2 D、1/2 43. 半導(dǎo)體中載流子的擴(kuò)散系數(shù)決定于該材料中的（ A ）。 （D ）附近，最有利于陷阱作用的能級(jí)位置位于（C ）附近，并且常見(jiàn)的是（ E ）陷阱。 A、變化量； B、常數(shù)； C、雜質(zhì)濃度； D、雜質(zhì)類型；E、禁帶寬度； F、溫度 40. 在一定溫度下，對(duì)一非簡(jiǎn)并n型半導(dǎo)體材料，減少摻雜濃度，會(huì)使得（ C ）靠近中間能級(jí)Ei； 如果增加摻雜濃度，有可能使得（ C ）進(jìn)入（ A ），實(shí)現(xiàn)重?fù)诫s成為簡(jiǎn)并半導(dǎo)體。 A、(ECEF)或(EFEV)≤0 B、能使用玻耳茲曼近似計(jì)算載流子濃度 C、(ECEF)或(EFEV)≥0 D、導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂能容納多個(gè)狀態(tài)相同的電子 38. 在某半導(dǎo)體摻入硼的濃度為1014cm3, 磷為1015 cm3，則該半導(dǎo)體為（ B ）半導(dǎo)體；其有效雜質(zhì)濃度約為（ E ）。 （ C ）。 35. 如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（ B ）空穴的俘獲率，它是（ D ）。 34. 雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（ B ）。 33. 對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（ C ）。 ； ； ； D. EF 32. 把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（ D ）。； ； ； 29. 對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni /NDNA/ 時(shí)，半導(dǎo)體具有 （ B ） 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。 A．纖鋅礦型；B. 閃鋅礦型；C. 六方對(duì)稱性；；；F. 直接帶隙27. 同一種施主雜質(zhì)摻入甲、乙兩種半導(dǎo)體，如果甲的相對(duì)介電常數(shù)εr是乙的3/4，m*/m0是乙的2倍，那么用類氫模型計(jì)算結(jié)果是（ D ）。A. 曲率大； B. 曲率??； C. 大；D. ??； E. 重空穴；F. 輕空穴 25. 如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（ F ）。A. 禁帶較窄 B. 禁帶較寬 C. 禁帶是間接躍遷型 D. 禁帶是直接躍遷型23. 若某材料電阻率隨溫度上升而先下降后上升，該材料是（C）。A. 渡越時(shí)間 B. 壽命 C. 平均自由時(shí)間 D. 擴(kuò)散系數(shù)21. 在太空的空間實(shí)驗(yàn)室里生長(zhǎng)的GaAS具有很高的載流子遷移率，是因?yàn)檫@樣的材料（D）。A. 單調(diào)上升 B. 單調(diào)下降 C. 經(jīng)過(guò)一個(gè)極小值后趨近 19. 若一種材料的電阻率隨溫度升高先下降后升高，則該材料是（D）。A. 質(zhì)量較大的原子形成的半導(dǎo)體產(chǎn)生的空穴 B. 價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴C. 價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴 D. 自旋—軌道耦合分裂出來(lái)的能帶上的空穴17. 根據(jù)費(fèi)米分布函數(shù)，電子占據(jù)（）能級(jí)的幾率（B）。A. 變大 B. 不變 C. 變小15. GaAs的導(dǎo)帶極值位于布里淵區(qū)（D）。A. 復(fù)合機(jī)構(gòu) B. 能帶結(jié)構(gòu) C. 晶體結(jié)構(gòu) D. 散射機(jī)構(gòu)13. 公式和中的對(duì)于（A）取值相同。A. 處于絕對(duì)零度 B. 不含任何雜質(zhì) C. 不含任何缺陷 D. 不含施主11. Si中摻金的工藝主要用于制造（B）器件。A. 電子濃度等于本征載流子濃度 B. 電阻率最高 C. 電子濃度等于空穴濃度 9. IIVI族化合物中的M空位Vm是（C）。D. 電子在晶體各原胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)的相位相同。 B. 電子在晶體原胞中各點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同。A. n B. p C. 本征7. 電子在晶體中的共有化運(yùn)動(dòng)是指（C）。A. EA B. ED C. EF D. Ei 5. 擴(kuò)散系數(shù)反映了載流子在（A）作用下運(yùn)動(dòng)的難易程度，遷移率反映了載流子在（B ）作用下運(yùn)動(dòng)的難易程度。（已知：室溫下，ni≈1010cm3，570K時(shí)，ni≈21017cm3）A. 高于Ei B. 低于Ei C. 約等于Ei3. 對(duì)于處于飽和區(qū)的半導(dǎo)體硅材料，溫度升高將導(dǎo)致禁帶寬度（C），本征流子濃度（A），多子濃度（B），少子濃度（A
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