半導體器件習題及參考答案-文庫吧資料
2025-07-10 22:18本頁面
【正文】 和集電極延遲。解：不妨設為N＋PN管，在t1時刻達到飽和，相應集電極電流為存儲電荷為5. 一理想的PNP晶體管，其發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)的雜質濃度分別為10110151015cm3，而少數載流子的壽命分別為10107和106s，請求出晶體管的共基極電流增益。(b)若截止頻率主要受少子穿過基區(qū)的渡越時間限制，求在零偏壓下共基極和共發(fā)射級的電流截止頻率（，）。即由此求得εB為 平衡時基區(qū)中的空穴濃度PB0等于基區(qū)的雜質濃度NB，于是上式寫為，代入 則有考慮電子電流密度： 將εB（x）代入上式，可得 若忽略基區(qū)中空穴的復合，即JnB為常數，我們可以用NB（x）乘上式兩端，并從x到WB積分，得近似認為在x=WB處，nB=0，有 積分之得到 若忽略發(fā)射極電子電流在發(fā)射結勢壘區(qū)中的復合，即用JnE代替上式中的JnB，有 3 一個硅n+－pn晶體管的發(fā)射區(qū)和集電區(qū)兩側的摻雜是突變的。電場的大小是恰好使電場產生的空穴漂移流與因雜質濃度梯度所引起的擴散流相抵消，這一電場就稱為緩變基區(qū)內建電場。解：（a）熱平
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