電學(xué)半導(dǎo)體器件原理簡(jiǎn)明教程習(xí)題答案傅興華-文庫(kù)吧資料
2025-06-29 23:23本頁(yè)面
【正文】 成的pn結(jié)反偏，漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。解 見(jiàn)旁邊圖！ 簡(jiǎn)述p溝道MOSFET的工作原理。 n溝道JFET有關(guān)材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)是：，溝道寬度是Z=，溝道長(zhǎng)度，溝道厚度是，計(jì)算(1)柵結(jié)的接觸電勢(shì)差；(2)夾斷電壓；(3)冶金溝道電導(dǎo)；(4)和時(shí)的溝道電導(dǎo)(考慮空間電荷區(qū)使溝道變窄后的電導(dǎo))。的大小主要受柵源電壓控制，同時(shí)也受漏源電壓的影響。N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)也需要外加偏置電壓，即在柵源極間加一負(fù)電壓()，使柵源極間的結(jié)反偏，柵極電流，場(chǎng)效應(yīng)管呈現(xiàn)很高的輸入電阻(高達(dá)108左右)。發(fā)射區(qū)和基區(qū)的方塊電阻)發(fā)射結(jié)復(fù)合系數(shù)共基極直流電流放大系數(shù)=共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)= 硅晶體管的標(biāo)稱(chēng)耗散功率為20W,總熱阻為,滿負(fù)荷條件下允許的最高環(huán)境溫度是多少?（硅，鍺）解 最大耗散功率 滿負(fù)荷條件下有，其中 晶體管穿通后的特性如何變化?某晶體管的基區(qū)雜質(zhì)濃度,集電區(qū)的雜質(zhì)濃度,基區(qū)的寬度,集電區(qū)寬度,求晶體管的擊穿電壓.解 集電極電流不再受基極電流的控制，集電極電流的大小只受發(fā)射區(qū)和集電區(qū)體電阻的限制，外電路將出現(xiàn)很大的電流。器件基區(qū)雜質(zhì)濃度基區(qū)寬度ABC解 (1)(2)(3)(4)(5) 硅npn晶體管的材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)如下：發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)計(jì)算晶體管的發(fā)射結(jié)注入效率，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，計(jì)算復(fù)合系數(shù)，并由此計(jì)算晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)。(4)相同BC結(jié)反向偏壓下的BC結(jié)耗盡層電容。(2)基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)。解 硅pn結(jié)的雜質(zhì)濃度,計(jì)算pn結(jié)的反向擊穿電壓,如果要使其反向電壓提高到300V,n側(cè)的電阻率應(yīng)為多少?解 (1)反向擊穿電壓(2) 硅突變pn結(jié),設(shè)pn結(jié)擊穿時(shí)的最大電場(chǎng)為,計(jì)算pn結(jié)的擊穿電壓.解 突變結(jié)反向擊穿電壓 在雜質(zhì)濃
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