半導體器件基礎(chǔ)(2)-文庫吧資料
2025-05-18 12:03本頁面
【正文】 的 晶體管 (transistor) Bardeen, Brattain, and Schockley獲 1956年諾貝爾物理獎 半導體器件 晶體管的特性 半導體器件 制備工藝 半導體器件 理想 NPN摻雜分布 ? 集電結(jié)外延，發(fā)射結(jié)離子注入 e b c 半導體器件 ? 兩個獨立的 PN結(jié)構(gòu)成 晶體管的靜電特性 N+ P N 半導體器件 背靠背二極管 半導體器件 工作原理 半導體器件 特性參數(shù) ? 發(fā)射效率 (PNP) ? 基區(qū)輸運系數(shù) EnEpEpEEpIIIII????EpCpT II??半導體器件 特性參數(shù) 1 ? 共基極直流電流增益 CnCBTdcCBEdcCIIIII????00????半導體器件 特性參數(shù) 2 ? 共發(fā)射極直流電流增益 dcCBCEdcdcdcdcCBBdcdcCCBBCdcCCEBdcCIIIIIIIIIIII??????????????????????1,111)(00000???BCdc II??半導體器件 小結(jié) ? BJT的基本概念 ? BJT的結(jié)構(gòu)與工藝 ? BJT的工作原理 ?特性參數(shù) 半導體器件 半導體器件基礎(chǔ) 一． 半導體概要 二． 載流子模型 三． 載流子輸運 四． pn結(jié)的靜電特性 五． pn結(jié)二極管： IV特性 六． pn結(jié)二極管：小信號導納 七． pn結(jié)二極管：瞬態(tài)特性 八． BJT的基礎(chǔ)知識 9. BJT靜態(tài)特性 10. BJT動態(tài)響應模型 11. MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ) 12. MOSFET器件基礎(chǔ) 13. JFET 和 MESFET簡介 半導體器件 理想晶體管模型 ? 基本假設(shè) ① 載流子在基區(qū)的運動是一維的。 ② 基區(qū)寬度大于載流子的平均自由程、因而能夠?qū)⑤d流子在基區(qū)的輸運看作是擴散 +漂移 。 ④ 準中性區(qū)滿足小注入條件。 ⑤ 忽略基區(qū)復合，對于現(xiàn)代高 ?晶體管這一條是成立的。39。39。39。(0)39。0/022????????????kTqVCCCCCCCCBenxnxnndxndD?W 半導體器件 計算方法 ? 只要求出 的分布 ,就可計算各區(qū)的電流 , 從而計算出各特性參數(shù) . CBEnpn ??? ,半導體器件 通用解 ? 發(fā)射區(qū)的解 ?發(fā)射區(qū)通解 : EE LxLx
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