半導(dǎo)體復(fù)習(xí)提綱-文庫吧資料
2025-06-13 17:21本頁面
【正文】 向與相應(yīng)擴散運動方向相反。第6章 PN結(jié)1空間電荷區(qū)：通常把在pn結(jié)附近的電離施主和電離受主所帶電荷稱為空間電荷，它們所存在的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)，空間電荷區(qū)又叫勢壘區(qū)。愛因斯坦從理論上找到了擴散系數(shù)和遷移率之間的定量關(guān)系。材料的擴散系數(shù)有標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)，擴散長度測量是測量壽命方法之一。14 Lp標(biāo)志非平衡載流子深入樣品的平均距離，稱為擴散長度。3）位于禁帶中央附近的深能級是最有效的復(fù)合中心對于電子陷阱：EF以上的能級，越接近EF，陷阱效應(yīng)越顯著 12 擴散運動是由于粒子濃度不均勻引起的擴散：由于濃度不均勻而導(dǎo)致載流子（電子或空穴）從高濃度處向低濃度處擴散的過程。陷阱的作用：增加少數(shù)載流子壽命11 復(fù)合中心和陷阱中心的區(qū)別？ 1）對于有效復(fù)合中心, rn≈rp 電子陷阱： rn≧rp ；空穴陷阱： rp≧rn2）復(fù)合中心和電子陷阱中電子的運動途徑不同。稱為俄歇（Auger）復(fù)合。伴隨著復(fù)合，將有發(fā)光現(xiàn)象，常稱為發(fā)光復(fù)合或輻射復(fù)合；②發(fā)射聲子。是一種非輻射復(fù)合9載流子復(fù)合時，要釋放出多余的能量。為什么深能級才能起有效的復(fù)合中心作用？???：是指在半導(dǎo)體表面發(fā)生的復(fù)合過程。 半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷有促進復(fù)合的作用，稱促進復(fù)合的雜質(zhì)和缺陷為復(fù)合中心復(fù)合中心在禁帶中引入能級復(fù)合中心對少數(shù)載流子的俘獲決定著壽命，因復(fù)合中心總是基本上被多數(shù)載流子所填滿。 ：由電子在導(dǎo)帶與價帶間直接躍遷而引起非平衡載流子的復(fù)合過程。8復(fù)合理論：非平衡載流子的復(fù)合。因而費米能級和統(tǒng)計分布函數(shù)對價帶和導(dǎo)帶各自仍然是適用的，可以分別引入導(dǎo)帶費米能級和價帶費米能級，它們都是局部的費米能級，稱為“準(zhǔn)費米能級”. 為了方便討論非平衡載流子的統(tǒng)計分布以及載流子濃度的能級而引入的。5許多半導(dǎo)體器件，如晶體管、光電器件（太陽能電池）等，都是利用非平衡載流子效應(yīng)制成的。光注入時△n=△p △n、△p《多子濃度 小注入。非平衡電子稱非平衡多子，空穴為非平衡少子（p型相反）。它是衡量材料質(zhì)量的一個重要指標(biāo)。 壽命不同，非平衡載流子衰減的快慢不同。 3非平衡載流子的平均生存時間稱為非平衡載流子的壽命。這時比平衡狀態(tài)多出來的載流子稱為非平衡載流子，有時也稱為過剩載流子。9載流子在電場力的作用下加速理論上應(yīng)該無限加速，電流密度無限增大，實際上保持不變，引入散射.10主要散射機制 電離雜質(zhì)的散射（Ni越大，載流子遭受散射的機會越多T↑，載流子熱運動的平均速度越大，不易散射）晶格振動的散射 （Ｔ定，晶格中原子都各自在其平衡位置附近作微振動。7平均自由時間和散射概率是描述散射過程兩重要參量。5在外力和散射的影響下，使載流子以一定的平均速度沿力的方向漂移，這個平均速度是恒定的平均漂移速度。 2影響遷移率的相關(guān)因素 ：遷移率主要受材料內(nèi)部的散射因素影響。10禁帶寬度越寬、雜質(zhì)濃度越高，達到本征激發(fā)起主要作用的溫度也越高。顯然低溫弱電離區(qū)費米能級與溫度、雜質(zhì)濃度以及摻入何種雜質(zhì)原子有關(guān)。5發(fā)生載流子簡并化的半導(dǎo)體稱為簡并半導(dǎo)體，必須考慮泡利不相容原理!!!6考慮泡利不相容原理與否（載流子濃度大 要考慮 用費米分布函數(shù)） 7. N型半導(dǎo)體的載流子濃度：低溫弱電離區(qū)（中間電離區(qū) 強電離區(qū) 過渡區(qū) 高溫本征激發(fā)區(qū)） 溫度很低，大部分施主雜質(zhì)能級仍為電子占據(jù)，極少量施主雜質(zhì)電離，極少量電子進入了導(dǎo)帶，稱之為弱電離。 系統(tǒng)熱力學(xué)溫度 0時，如量子態(tài)的能量比費米能級低，則該量子態(tài)被電子占據(jù)的概率50%；量子態(tài)的能量比費米能級高，則該量子態(tài)被電子占據(jù)的概率50%。 費米能級EF由溫度及施主雜質(zhì)濃度所決定。. p空穴濃度6點缺陷：間隙原子和空位是成對出現(xiàn)的，稱為弗倫克耳缺陷；若只在晶體內(nèi)形成空位而無間隙原子時，稱為肖特基缺陷。 n電子濃度?？梢栽撟饔弥圃旄鞣N半導(dǎo)體器件！5施主電子剛好夠填充受主能級，雖然雜質(zhì)很多，但不能向?qū)Ш蛢r帶提供電子和空穴,這種現(xiàn)象稱為雜質(zhì)的高
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