半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)思考題-文庫(kù)吧資料
2025-06-13 17:25本頁(yè)面
【正文】 ，其兩邊雜質(zhì)濃度分別為，求其接觸電勢(shì)差、勢(shì)壘高度和勢(shì)壘寬度?！ ?%作為強(qiáng)電離的標(biāo)準(zhǔn)，求摻砷的n型鍺在300K時(shí)，以雜質(zhì)電離為主的飽和區(qū)摻雜的濃度范圍。并指出哪一種摻雜更接近本征激發(fā)。或表面處少數(shù)載流子濃度ni超過(guò)體內(nèi)多數(shù)載流子濃度即為反型。，并標(biāo)明勢(shì)壘區(qū)中載流子的漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向，及勢(shì)壘高度和勢(shì)壘寬度。因?yàn)樯僮訚舛鹊?，?dāng)反向偏壓很大時(shí)，邊界處的少子可以認(rèn)為是0，這時(shí)少子的濃度梯度不隨電壓變化，因此擴(kuò)散流也不隨電壓變化，所以在反向偏壓下，pn結(jié)的電流較小并且趨于不變。通過(guò)pn結(jié)的總電流就是通過(guò)邊界的電子擴(kuò)散電流與通過(guò)邊界的空穴擴(kuò)散電流之和。、反偏壓下勢(shì)壘區(qū)寬度、勢(shì)壘區(qū)高度的變化及載流子的運(yùn)動(dòng)情況，并定性解釋pn結(jié)的整流特性。答：小注入時(shí)，顯然有，且，因而比EF更靠近導(dǎo)帶，但偏離EF很小。（小注入），在內(nèi)部均勻產(chǎn)生非平衡載流子。BC段溫度繼續(xù)升高，雜質(zhì)已經(jīng)全部電離，本征激發(fā)還不十分明顯，載流子基本上不隨溫度變化，晶格震動(dòng)散射上升為主要矛盾，遷移率隨溫度升高而降低，所以，電阻率隨溫度升高而增大。電子脫離雜質(zhì)原子的束縛成為導(dǎo)電電子的過(guò)程稱為雜質(zhì)電離。4.
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