半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)思考題-閱讀頁
2025-06-22 17:25本頁面
【正文】 G的增大，表面處禁帶中央Ei可以下降到EF以下，即出現(xiàn)反型層。形成條件：VGVT（或Vs≥2VB）計(jì)算題1. 1014及1012cm3，試計(jì)算500 K時(shí)電子和空穴濃度n0和p0。（500 K，ni = 1014cm3）解：由題意可得 由此可見第二種摻雜更接近本征激發(fā)。已知300K下， 。若結(jié)上加反偏電壓時(shí)，求勢(shì)壘區(qū)的寬度。解：（1）因?yàn)?，因此pn結(jié)為突變結(jié)。求：（1）熱平衡時(shí)電子濃度和空穴濃度；（2）費(fèi)米能級(jí)EF相對(duì)于禁帶中部能級(jí)Ei的位置；（3）半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。解：（1）在300K下強(qiáng)電離的范圍是為強(qiáng)電離熱平衡時(shí)電子濃度熱平衡時(shí)空穴濃度（2）。設(shè)表面的非平衡載流子濃度為，樣品足夠厚。解：，一硅突變pn結(jié)，pn結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度分別為：。注：300K下硅。解：8一硅突變pn結(jié)，pn結(jié)兩側(cè)的摻雜濃度分別為：。解：（1）（2分）（2） （2分）（4分）（3）（2分）
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