半導(dǎo)體物理復(fù)習(xí)思考題-在線瀏覽
2025-07-25 17:25本頁面
【正文】 散射主要由電離雜質(zhì)決定，遷移率隨溫度升高而增大，所以，電阻率隨溫度升高而降低。C段，溫度繼續(xù)升高，本征激發(fā)很快增加，大量本征載流子的產(chǎn)生遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過遷移率減小對(duì)電阻率的影響，這是，本征激發(fā)稱為矛盾的主要方面，雜質(zhì)半導(dǎo)體的電阻率隨溫度升高而急劇下降。畫出熱平衡狀態(tài)下的能帶圖，標(biāo)出EC、EV、EF、Ei能級(jí)的位置，并在此基礎(chǔ)上畫出光注入時(shí)的和，說明為什么和偏離EF的程度是不同的。這時(shí)，注入的空穴濃，所以比EF更靠近價(jià)帶，且比更顯著的偏離了EF。答：理想pn結(jié)在正向偏壓下勢(shì)壘區(qū)寬度減小，勢(shì)壘區(qū)高度降低，載流子表現(xiàn)為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)；理想pn結(jié)在反向偏壓下勢(shì)壘區(qū)寬度增加，勢(shì)壘區(qū)高度增高，載流子表現(xiàn)為漂移運(yùn)動(dòng)。當(dāng)正向偏壓時(shí)，由于載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，在和處分別形成電子和空穴的積累，形成擴(kuò)散電流，正向偏越大，擴(kuò)散電流越大，因此，在正向偏壓下，理想pn結(jié)的電流隨正向偏壓的增加增加；當(dāng)反向偏壓時(shí)，pn結(jié)中的總電流是通過勢(shì)壘區(qū)邊界和附近的少數(shù)載流子擴(kuò)散電流之和。答：當(dāng)pn結(jié)相互接觸時(shí)，在pn結(jié)附近的這些電離施主和電離受主所帶電荷稱為空間電荷，它們所存在的區(qū)域稱為空間電荷區(qū)。答：10. MIS結(jié)的反型層及形成條件答：隨著外加電壓V
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